ຮູບແບບ X3D: AMD ສະເໜີການລວມເອົາຊິບເລັດ ແລະ ໜ່ວຍຄວາມຈຳ HBM

Intel ເວົ້າຫຼາຍກ່ຽວກັບຮູບແບບພື້ນທີ່ຂອງໂປເຊດເຊີ Foveros, ມັນໄດ້ທົດສອບມັນຢູ່ໃນໂທລະສັບມືຖື Lakefield, ແລະໃນທ້າຍປີ 2021, ມັນກໍາລັງໃຊ້ມັນເພື່ອສ້າງໂປເຊດເຊີກາຟິກ 7nm ແຍກຕ່າງຫາກ. ໃນກອງປະຊຸມລະຫວ່າງຜູ້ຕາງຫນ້າ AMD ແລະນັກວິເຄາະ, ມັນໄດ້ກາຍເປັນທີ່ຊັດເຈນວ່າແນວຄວາມຄິດດັ່ງກ່າວບໍ່ແມ່ນສິ່ງແປກປະຫລາດສໍາລັບບໍລິສັດນີ້.

ໃນເຫດການ FAD 2020 ທີ່ຜ່ານມາ, AMD CTO Mark Papermaster ສາມາດເວົ້າສັ້ນໆກ່ຽວກັບເສັ້ນທາງໃນອະນາຄົດຂອງການພັດທະນາການແກ້ໄຂການຫຸ້ມຫໍ່. ກັບຄືນໄປໃນປີ 2015, ໂປເຊດເຊີກາຟິກ Vega ໃຊ້ອັນທີ່ເອີ້ນວ່າຮູບແບບ 2,5 ມິຕິ, ເມື່ອຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາປະເພດ HBM ຖືກວາງຢູ່ເທິງຊັ້ນລຸ່ມດຽວກັນກັບ GPU ໄປເຊຍກັນ. AMD ໄດ້ໃຊ້ການອອກແບບຫຼາຍແຜ່ນທີ່ວາງແຜນໃນປີ 2017 ສອງປີຕໍ່ມາ, ທຸກຄົນໄດ້ໃຊ້ກັບຄວາມຈິງທີ່ວ່າບໍ່ມີຕົວພິມໃນຄໍາວ່າ "chiplet".

ໃນອະນາຄົດ, ດັ່ງທີ່ສະໄລ້ການນໍາສະເຫນີອະທິບາຍ, AMD ຈະປ່ຽນເປັນຮູບແບບປະສົມທີ່ຈະສົມທົບອົງປະກອບ 2,5D ແລະ 3D. ຮູບແຕ້ມໃຫ້ຄວາມຄິດທີ່ບໍ່ດີກ່ຽວກັບລັກສະນະຂອງການຈັດວາງນີ້, ແຕ່ຢູ່ໃນໃຈກາງທ່ານສາມາດເບິ່ງສີ່ໄປເຊຍກັນຢູ່ໃນຍົນດຽວກັນ, ອ້ອມຮອບດ້ວຍສີ່ stacks ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ HBM ຂອງການຜະລິດທີ່ສອດຄ້ອງກັນ. ປາກົດຂື້ນ, ການອອກແບບຂອງ substrate ທົ່ວໄປຈະກາຍເປັນຄວາມສັບສົນຫຼາຍ. AMD ຄາດຫວັງວ່າການຫັນປ່ຽນໄປສູ່ຮູບແບບນີ້ຈະເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງສ່ວນຕິດຕໍ່ໂປຣໄຟລ໌ເພີ່ມຂຶ້ນສິບເທົ່າ. ມັນສົມເຫດສົມຜົນທີ່ຈະສົມມຸດວ່າ GPU ເຊີບເວີຈະເປັນຫນຶ່ງໃນຜູ້ທໍາອິດທີ່ຮັບຮອງເອົາຮູບແບບນີ້.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru