Samsung ໄດ້ເລີ່ມການຜະລິດ 100D NAND 3 ຊັ້ນແລະສັນຍາ 300 ຊັ້ນ.

Свежим пресс-релизом компания Samsung Electronics ລາຍງານ, что она приступила к массовому производству 3D NAND с более чем 100 слоями. Максимально возможная конфигурация допускает выпуск чипов со 136 слоями, что становится новой вехой на пути к более плотной флеш-памяти 3D NAND. Отсутствие чёткой конфигурации памяти намекает, что чип с более чем 100 слоями собирается из двух или, скорее всего, из трёх монолитных кристаллов 3D NAND (например, из 48-слойных). В процессе спайки кристаллов часть пограничных слоёв разрушается, и это делает невозможным точно указать число слоёв в кристалле, чтобы Samsung потом не обвинили в неточности.

Тем не менее, в Samsung настаивают на уникальном сквозном травлении кристаллов (channel hole etching), которое открывает возможность насквозь пронзить толщу монолитной структуры и соединить горизонтальные массивы флеш-памяти в один чип памяти. Первой 100-слойной продукцией стали чипы 3D NAND TLC ёмкостью 256-Гбит. Чипы объёмом 512-Гбит со 100(+) слоями компания начнёт выпускать грядущей осенью.

Отказ от выпуска более ёмкой памяти продиктован тем (вероятно), что уровень брака при выпуске новейшей продукции легче контролировать в случае памяти меньшей ёмкости. За счёт «повышения этажности» Samsung смогла выпускать чип меньшей площади, не теряя в ёмкости. Более того, чип в некотором роде стал проще, поскольку теперь вместо 930 млн вертикальных отверстий в монолите достаточно протравить только 670 млн дыр. По словам Samsung, это упростило и сократило технологические циклы производства и позволило на 20 % увеличить производительность труда, что означает больше и дешевле.

На основе 100-слойной памяти Samsung начала выпуск 256-Гбайт SSD с интерфейсом SATA. Продукция будет поставляться OEM-производителям ПК. Можно не сомневаться, что вскоре Samsung представит надёжные и сравнительно недорогие твердотельные накопители.

Переход на 100-слойную структуру не заставил пожертвовать производительностью и энергопотреблением. Новая 256-Гбит 3D NAND TLC в целом оказалась на 10 % быстрее 96-слойной памяти. Улучшенный дизайн управляющей электроники чипа позволил удержать скорость передачи данных в режиме записи ниже 450 мкс, а в режиме чтения ниже 45 мкс. При этом потребление удалось снизить на 15 %. Самое интересное, что на основе 100-слойной 3D NAND компания обещает следующей выпустить 300-слойную 3D NAND, просто состыковав три условно монолитных 100-слойных кристалла. Если Samsung сможет начать массовый выпуск 300-слойной 3D NAND в следующем году, это станет болезненным пинком конкурентам и зарождающейся в Китае индустрии по выпуску флеш-памяти.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru