Samsung ໄດ້ເລີ່ມການຜະລິດ 100D NAND 3 ຊັ້ນແລະສັນຍາ 300 ຊັ້ນ.

ຖະແຫຼງຂ່າວສົດຈາກ Samsung Electronics ລາຍງານວ່າມັນໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນການຜະລິດ 3D NAND ຈໍານວນຫລາຍທີ່ມີຫຼາຍກວ່າ 100 ຊັ້ນ. ການຕັ້ງຄ່າສູງສຸດທີ່ເປັນໄປໄດ້ອະນຸຍາດໃຫ້ມີຊິບທີ່ມີ 136 ຊັ້ນ, ເຊິ່ງເປັນຈຸດສໍາຄັນໃຫມ່ໃນເສັ້ນທາງໄປສູ່ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash 3D NAND ທີ່ຫນາແຫນ້ນ. ການຂາດການຕັ້ງຄ່າຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ຊັດເຈນຊີ້ໃຫ້ເຫັນວ່າຊິບທີ່ມີຫຼາຍກວ່າ 100 ຊັ້ນແມ່ນປະກອບມາຈາກສອງຫຼື, ສ່ວນຫຼາຍອາດຈະ, ສາມ monolithic 3D NAND ຕາຍ (ຕົວຢ່າງ, 48-layer). ໃນລະຫວ່າງການຂະບວນການຂອງໄປເຊຍກັນ soldering, ບາງຊັ້ນເຂດແດນຖືກທໍາລາຍ, ແລະນີ້ເຮັດໃຫ້ມັນບໍ່ສາມາດຊີ້ບອກຈໍານວນຂອງຊັ້ນໃນໄປເຊຍກັນໄດ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງ, ດັ່ງນັ້ນ Samsung ບໍ່ໄດ້ຖືກກ່າວຫາວ່າບໍ່ຖືກຕ້ອງໃນພາຍຫລັງ.

ຢ່າງໃດກໍຕາມ, Samsung ຢືນຢັນການເຈາະຮູຊ່ອງທີ່ເປັນເອກະລັກ, ເຊິ່ງເປີດຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງການເຈາະຜ່ານຄວາມຫນາຂອງໂຄງສ້າງ monolithic ແລະເຊື່ອມຕໍ່ array ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash ອອກຕາມລວງນອນເຂົ້າໄປໃນຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາຫນຶ່ງ. ຜະລິດຕະພັນ 100 ຊັ້ນທໍາອິດແມ່ນຊິບ 3D NAND TLC ທີ່ມີຄວາມຈຸ 256 Gbit. ບໍລິສັດຈະເລີ່ມຜະລິດຊິບ 512-Gbit ດ້ວຍຊັ້ນ 100(+) ໃນລະດູໃບໄມ້ປົ່ງທີ່ຈະມາເຖິງນີ້.

ການປະຕິເສດການປ່ອຍຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ມີຄວາມສາມາດສູງກວ່າແມ່ນກໍານົດໂດຍຄວາມຈິງ (ອາດຈະ) ວ່າລະດັບຄວາມບົກພ່ອງໃນເວລາທີ່ປ່ອຍຜະລິດຕະພັນໃຫມ່ແມ່ນງ່າຍຕໍ່ການຄວບຄຸມໃນກໍລະນີຂອງຄວາມຈໍາຂອງຄວາມອາດສາມາດຕ່ໍາ. ໂດຍ "ການເພີ່ມຈໍານວນຊັ້ນ," Samsung ສາມາດຜະລິດຊິບທີ່ມີພື້ນທີ່ຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າໂດຍບໍ່ມີການສູນເສຍຄວາມສາມາດ. ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, ຊິບມີບາງວິທີກາຍເປັນແບບງ່າຍໆ, ເພາະວ່າດຽວນີ້ແທນທີ່ຈະມີ 930 ລ້ານຮູຕັ້ງຢູ່ໃນ monolith, ມັນພຽງພໍທີ່ຈະຂຸດພຽງແຕ່ 670 ລ້ານຮູ. ອີງ​ຕາມ Samsung, ນີ້​ໄດ້​ງ່າຍ​ແລະ​ຫຼຸດ​ຜ່ອນ​ວົງ​ຈອນ​ການ​ຜະ​ລິດ​ແລະ​ການ​ເພີ່ມ​ຂຶ້ນ 20​% ຂອງ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​ແຮງ​ງານ​, ຊຶ່ງ​ຫມາຍ​ຄວາມ​ວ່າ​ຄ່າ​ໃຊ້​ຈ່າຍ​ຫຼາຍ​ແລະ​ຫນ້ອຍ​.

ອີງໃສ່ຄວາມຊົງຈໍາ 100 ຊັ້ນ, Samsung ເລີ່ມຜະລິດ 256 GB SSD ທີ່ມີການໂຕ້ຕອບ SATA. ຜະລິດຕະພັນຈະຖືກສະຫນອງໃຫ້ແກ່ PC OEMs. ບໍ່ຕ້ອງສົງໃສເລີຍວ່າ Samsung ຈະນຳສະເໜີ Drive Solid-State ທີ່ໜ້າເຊື່ອຖື ແລະ ລາຄາບໍ່ແພງຫຼາຍໃນໄວໆນີ້.

ການຫັນປ່ຽນໄປສູ່ໂຄງສ້າງ 100 ຊັ້ນບໍ່ໄດ້ບັງຄັບໃຫ້ພວກເຮົາເສຍສະລະການປະຕິບັດຫຼືການໃຊ້ພະລັງງານ. ໃໝ່ 256 Gbit 3D NAND TLC ໂດຍລວມແລ້ວ 10% ໄວກວ່າໜ່ວຍຄວາມຈຳ 96 ຊັ້ນ. ການປັບປຸງການອອກແບບຂອງເອເລັກໂຕຣນິກຄວບຄຸມຂອງຊິບເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດຮັກສາອັດຕາການໂອນຂໍ້ມູນໃນໂຫມດການຂຽນຕ່ໍາກວ່າ 450 μs, ແລະໃນໂຫມດອ່ານຕ່ໍາກວ່າ 45 μs. ໃນເວລາດຽວກັນ, ການບໍລິໂພກໄດ້ຫຼຸດລົງ 15%. ສິ່ງທີ່ຫນ້າສົນໃຈທີ່ສຸດແມ່ນວ່າອີງໃສ່ 100-layer 3D NAND, ບໍລິສັດສັນຍາວ່າຈະປ່ອຍ 300-layer 3D NAND ຕໍ່ໄປ, ພຽງແຕ່ເຂົ້າຮ່ວມສາມຊັ້ນ crystals monolithic 100-layer. ຖ້າ Samsung ສາມາດເລີ່ມຕົ້ນການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງ 300-layer 3D NAND ໃນປີຫນ້າ, ມັນຈະເປັນການເຕະທີ່ເຈັບປວດກັບຄູ່ແຂ່ງແລະ ທີ່​ພົ້ນ​ເດັ່ນ​ຂຶ້ນ​ໃນ​ປະ​ເທດ​ຈີນ​ ອຸດສາຫະກໍາ flash memory.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru