Samsung เบเปเบฒเบฅเบฑเบเปเบเปเบเบฐเปเบซเบเบเบขเปเบฒเบเปเบเบฑเบกเบเบตเปเบเบฒเบเบเบงเบฒเบกเปเบเปเบเบฝเบเปเบเบเบฒเบเบเบธเบเปเบเบตเบเบเบญเบเบเบปเบเปเบ lithography semiconductor เปเบเบเปเบเปเปเบเบทเปเบญเบเบชเบฐเปเบเบ EUV. เปเบเบเบฐเบเบฐเบเบตเป TSMC เบเบฐเบเบฝเบกเบเบตเปเบเบฐเปเบฅเบตเปเบกเปเบเปเปเบเบทเปเบญเบเบชเบฐเปเบเบ 13,5 nm เปเบเปเบเบทเบญเบเบกเบดเบเบธเบเบฒ, เบเบฒเบเบเบฑเบเบเบปเบงเบเบงเบเบกเบฑเบเปเบเบทเปเบญเบเบฐเบฅเบดเบเบเบดเบเปเบเบเบฒเบเบเบฐเบฅเบดเบเบเบตเบชเบญเบเบเบญเบเบเบฐเบเบงเบเบเบฒเบ 7 nm, Samsung เบเปเบฒเบฅเบฑเบเบเปเบฒเบฅเบปเบเปเบฅเบดเบเปเบฅเบฐ. เบเปเบฝเบงเบเบฑเบเบเบฒเบเบชเปเบฒเปเบฅเบฑเบเบเบฒเบเบเบฑเบเบเบฐเบเบฒเบเบฐเบเบงเบเบเบฒเบเบเปเบฒเบเบงเบดเบเบฒเบเบฒเบเบเบตเปเบกเบตเบกเบฒเบเบเบฐเบเบฒเบเบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบ 5 nm. เบเบดเปเบเปเบเบเบงเปเบฒเบเบฑเปเบ, เบเบฑเบเปเบซเบเปเบเบญเบเปเบเบปเบฒเบซเบผเบตเปเบเปเปเบเปเบเบฐเบเบฒเบเบเบฒเบเปเบฅเบตเปเบกเบเบปเปเบเบเบฒเบเบเบญเบกเบฎเบฑเบเบเปเบฒเบชเบฑเปเบเบชเปเบฒเบฅเบฑเบเบเบฒเบเบเบฐเบฅเบดเบเปเบเบฅเบนเบเบฑเปเบ 5-nm เบชเปเบฒเบฅเบฑเบเบเบฒเบเบเบฐเบฅเบดเบเปเบ wafers เบซเบผเบฒเบเบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบ. เบเบตเปเบซเบกเบฒเบเบเบงเบฒเบกเบงเปเบฒ Samsung เบเปเบญเบกเบเบตเปเบเบฐเบเบญเบกเบฎเบฑเบเบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบเบเบดเบเบเบดเบเบดเบเบญเบฅเบเบตเปเบกเบตเบกเบฒเบเบเบฐเบเบฒเบ 5 nm เปเบฅเบฐเบเบฐเบฅเบดเบเบเบธเบเบเบปเบเบฅเบญเบเบเบญเบเบเบดเบฅเบดเปเบเบ 5 nm เบเบตเปเปเบฎเบฑเบเบงเบฝเบ.
เบเปเบงเบเปเบซเปเบเปเบฅเบดเบชเบฑเบเบเปเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบขเปเบฒเบเปเบงเบงเบฒเบเบฒเบเบเบฒเบเบชเบฐเปเบซเบเบต 7nm เบเบฑเบ EUV เบเบฑเบเบเบฒเบเบเบฐเบฅเบดเบเปเบเบฅเบนเบเบฑเปเบ 5nm เบเบฑเบ EUV เปเบกเปเบเบเบงเบฒเบกเบเบดเบเบเบตเปเบงเปเบฒ Samsung เบฎเบฑเบเบชเบฒเบเบฒเบเปเบเปเบเบญเบเบฅเบฐเบซเบงเปเบฒเบเบญเบปเบเบเบฐเบเบญเบเบญเบญเบเปเบเบ (IP), เบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบเปเบฅเบฐเปเบเบทเปเบญเบเบกเบทเบเบงเบเบชเบญเบ. เปเบเบเบฑเบเบเบฒเบชเบดเปเบเบญเบทเปเบเป, เบเบตเปเบซเบกเบฒเบเบเบงเบฒเบกเบงเปเบฒเบฅเบนเบเบเปเบฒเบเบญเบเบเปเบฅเบดเบชเบฑเบเบเบฐเบเบฐเบซเบเบฑเบเปเบเบดเบเปเบเบเบฒเบเบเบทเปเปเบเบทเปเบญเบเบกเบทเบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบ, เบเบฒเบเบเบปเบเบชเบญเบเปเบฅเบฐเบเบฑเบ IP เบเบตเปเบเบฝเบกเบเปเบญเบก. PDKs เบชเปเบฒเบฅเบฑเบเบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบ, เบงเบดเบเบตเบเบฒเบ (DM, เบงเบดเบเบตเบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบ) เปเบฅเบฐเปเบงเบเบตเบเบฒเบเบญเบญเบเปเบเบเบญเบฑเบเบเบฐเปเบเบกเบฑเบ EDA เปเบเปเบเบฒเบเบกเบฒเปเบเบฑเบเบชเปเบงเบเบซเบเบถเปเบเบเบญเบเบเบฒเบเบเบฑเบเบเบฐเบเบฒเบเบดเบเบชเปเบฒเบฅเบฑเบเบกเบฒเบเบเบฐเบเบฒเบ 7-nm เบเบญเบ Samsung เบเบฑเบ EUV เปเบเปเบเบกเบฒเบเบเบตเปเบชเบตเปเบเบญเบเบเบตเบเบตเปเบเปเบฒเบเบกเบฒ. เปเบเบทเปเบญเบเบกเบทเบเบฑเบเบซเบกเบปเบเปเบซเบผเบปเปเบฒเบเบตเปเบเบฐเบฎเบฑเบเบเบฐเบเบฑเบเบเบฒเบเบเบฑเบเบเบฐเบเบฒเปเบเบเบเบฒเบเบเบดเบเบดเบเบญเบเบเบฑเบเบชเปเบฒเบฅเบฑเบเปเบเบฑเบเปเบเปเบฅเบเบตเบเบฐเบเบงเบเบเบฒเบ 5 nm เบเบฑเบ FinFET transistors.
เปเบกเบทเปเบญเบเบฝเบเบเบฝเบเบเบฑเบเบเบฐเบเบงเบเบเบฒเบ 7nm เปเบเบเปเบเปเปเบเบทเปเบญเบเบชเบฐเปเบเบ EUV, เบเบตเปเบเปเบฅเบดเบชเบฑเบ เปเบเบเบตเบเบฒเบเบเบตเป, เปเบเบฑเบเปเบเปเบฅเบเบตเบเบฐเบเบงเบเบเบฒเบ 5 nm เบเบฐเปเบซเปเบเบฐเบชเบดเบเบเบดเบเบฒเบเบเบญเบเบเบฒเบเบเปเบฒเปเบเปเบเบทเปเบเบเบตเปเบเบดเบเปเบเบตเปเบกเบเบถเปเบ 25%. เบเบญเบเบเบฒเบเบเบตเป, เบเบฒเบเบซเบฑเบเบเปเบฝเบเปเบเบชเบนเปเบเบฐเบเบงเบเบเบฒเบ 25-nm เบญเบฒเบเบเบฐเบซเบผเบธเบเบเปเบญเบเบเบฒเบเบเปเบฅเบดเปเบเบเบเบดเบ 5% เบซเบผเบทเปเบเบตเปเบกเบเบฐเบชเบดเบเบเบดเบเบฒเบเบเบญเบเบเบฒเบเปเบเปเปเบเปเบเบ 20%. เปเบเบดเบเปเบเบเบฑเบเบญเบตเบเบญเบฑเบเบซเบเบถเปเบเปเบกเปเบเบเบฒเบเบซเบผเบธเบเบเปเบญเบเบเปเบฒเบเบงเบ photomasks เบเบตเปเบเปเบฒเปเบเบฑเบเบชเปเบฒเบฅเบฑเบเบเบฒเบเบเบฐเบฅเบดเบ semiconductor.
Samsung เบเบฐเบฅเบดเบเบเบฐเบฅเบดเบเบเบฐเบเบฑเบเปเบเบเปเบเปเปเบเบทเปเบญเบเบชเบฐเปเบเบ EUV เบขเบนเปเปเบฎเบเบเบฒเบ S3 เปเบ Hwaseong. เปเบเปเบเบดเปเบเบเบตเปเบชเบญเบเบเบญเบเบเบตเบเบตเป, เบเปเบฅเบดเบชเบฑเบเบเบฐเบชเปเบฒเปเบฅเบฑเบเบเบฒเบเบเปเปเบชเปเบฒเบเบชเบฐเบเบฒเบเบเบตเปเปเบซเบกเปเบเปเปเปเบ Fab S3, เปเบเบดเปเบเบเบฐเบเปเบญเบกเบเบตเปเบเบฐเบเบฐเบฅเบดเบเบเบดเบเบเบตเปเปเบเปเบเบฐเบเบงเบเบเบฒเบ EUV เปเบเบเบตเบซเบเปเบฒ.
เปเบซเบผเปเบเบเปเปเบกเบนเบ: 3dnews.ru