Samsung ເລັ່ງພັດທະນາໜ່ວຍຄວາມຈຳ 160D NAND 3 ຊັ້ນ

ໃນອາທິດນີ້, ບໍລິສັດຈີນ YMTC ລາຍງານ ກ່ຽວ​ກັບ​ການ​ພັດ​ທະ​ນາ​ຂອງ​ການ​ທໍາ​ລາຍ​ການ​ບັນ​ທຶກ 128-layer 3D NAND flash memory. ຈີນຈະຂ້າມຂັ້ນຕອນການຜະລິດຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 96 ຊັ້ນແລະໃນທ້າຍປີພວກເຂົາຈະເລີ່ມຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 128 ຊັ້ນໃນທັນທີ. ດັ່ງນັ້ນ, ພວກເຂົາຈະໄປຮອດລະດັບຜູ້ນໍາອຸດສາຫະກໍາ, ເຊິ່ງເທົ່າກັບການໂບກຜ້າສີແດງຢູ່ທາງຫນ້າຂອງງົວ. ແລະ "bulls" reacted ຕາມທີ່ຄາດໄວ້.

ເວັບໄຊ ETNews ຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ ໃນມື້ນີ້ ລາຍງານມາວ່າ Samsung ໄດ້ເລັ່ງການພັດທະນາຂອງ 160-layer 3D NAND (ຫຼື V-NAND, ຍ້ອນວ່າບໍລິສັດເອີ້ນວ່າຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ flash ຫຼາຍຊັ້ນ). Samsung ເອີ້ນມັນເປັນຍຸດທະສາດ "ຊ່ອງຫວ່າງທີ່ສູງ", ຫຼືຫຼິ້ນລ່ວງຫນ້າ, ເຊິ່ງຄວນຈະຊ່ວຍໃຫ້ຜູ້ນໍາດ້ານເຕັກໂນໂລຢີຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ຢູ່ຂ້າງຫນ້າຂອງການແຂ່ງຂັນ. ເນື່ອງຈາກຄວາມສໍາເລັດຂອງ Samsung ແມ່ນຢູ່ໃນຈຸດໃຈກາງຂອງເສດຖະກິດເກົາຫຼີໃຕ້, ມັນເປັນເລື່ອງຂອງຄວາມຈະເລີນຮຸ່ງເຮືອງຂອງປະເທດຊາດທັງຫມົດ, ດັ່ງນັ້ນບໍລິສັດຈຶ່ງເອົາໃຈໃສ່ວຽກງານຂອງຕົນຢ່າງຈິງຈັງ.

Samsung ນໍາສະເຫນີຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ມີ 100+ ຊັ້ນໃນ ເດືອນສິງຫາປີກາຍນີ້. ພວກເຮົາສາມາດສົມມຸດວ່າບໍລິສັດໄດ້ປ່ອຍຄວາມຊົງຈໍາ 128 ຊັ້ນຕາມປົກກະຕິສໍາລັບໄຕມາດທີສາມຕິດຕໍ່ກັນ (ຈໍານວນຊັ້ນທີ່ແນ່ນອນຍັງບໍ່ແນ່ນອນ). ຕໍ່ໄປໃນ scene ຄວນຈະເປັນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ Samsung ທີ່ມີ 160 ຫຼືແມ້ກະທັ້ງຫຼາຍຊັ້ນ. ມັນຈະເປັນຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ V-NAND ລຸ້ນທີ 7. ອີງຕາມຂ່າວລື, ບໍລິສັດໄດ້ມີຄວາມກ້າວຫນ້າຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໃນການພັດທະນາຂອງຕົນ. ມີຄວາມຄິດເຫັນວ່າ Samsung ຈະເປັນຜູ້ທໍາອິດທີ່ສາມາດບັນລຸເຄື່ອງຫມາຍ 160 ຊັ້ນ, ດັ່ງທີ່ເກີດຂື້ນກັບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 3D NAND ລຸ້ນກ່ອນຫນ້າທັງຫມົດ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru