SK Hynix ເລີ່ມການຜະລິດຊິບໜ່ວຍຄວາມຈຳທີ່ໄວທີ່ສຸດ HBM2E ຂະໜາດໃຫຍ່

ມັນໃຊ້ເວລາ SK Hynix ຫນ້ອຍກວ່າຫນຶ່ງປີເພື່ອຍ້າຍອອກຈາກຂັ້ນຕອນຂອງການສໍາເລັດ ການພັດທະນາ ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ HBM2E ກັບ ການ​ເລີ່ມ​ຕົ້ນ ການ​ຜະ​ລິດ​ຈໍາ​ນວນ​ຫຼາຍ​ຂອງ​ຕົນ​. ແຕ່ສິ່ງທີ່ສໍາຄັນບໍ່ແມ່ນແຕ່ປະສິດທິພາບທີ່ຫນ້າປະຫລາດໃຈນີ້, ແຕ່ຄຸນລັກສະນະຄວາມໄວທີ່ເປັນເອກະລັກຂອງຊິບ HBM2E ໃຫມ່. ຄວາມໄວຂອງຊິບ HBM2E SK Hynix ຮອດ 460 GB/s ຕໍ່ຊິບ, ເຊິ່ງສູງກວ່າຕົວເລກທີ່ຜ່ານມາ 50 GB/s.

ການກ້າວກະໂດດທີ່ສໍາຄັນໃນການປະຕິບັດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ HBM ຄວນເກີດຂຶ້ນເມື່ອປ່ຽນໄປ ຄວາມຊົງຈໍາຮຸ່ນທີສາມ ຫຼື HBM3. ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ຄວາມໄວຂອງການແລກປ່ຽນຈະເພີ່ມຂຶ້ນເຖິງ 820 GB / s. ໃນເວລານີ້, ຊ່ອງຫວ່າງຈະຖືກເຕີມລົງໄປດ້ວຍຊິບຈາກ SK Hynix, ຄວາມໄວຂອງການແລກປ່ຽນຂອງແຕ່ລະຜົນຜະລິດແມ່ນ 3,6 Gbit / s. ແຕ່ລະ microcircuit ດັ່ງກ່າວແມ່ນປະກອບມາຈາກແປດໄປເຊຍກັນ (ຊັ້ນ). ຖ້າພວກເຮົາຄໍານຶງເຖິງວ່າແຕ່ລະຊັ້ນປະກອບດ້ວຍໄປເຊຍກັນ 16-Gbit, ຄວາມສາມາດທັງຫມົດຂອງຊິບໃຫມ່ແມ່ນ 16 GB.

ຄວາມຊົງຈໍາທີ່ມີລັກສະນະປະສົມປະສານທີ່ຄ້າຍຄືກັນແມ່ນເລີ່ມມີຄວາມຕ້ອງການແລະມີຄວາມກ່ຽວຂ້ອງໃນການສ້າງວິທີແກ້ໄຂໃນພາກສະຫນາມຂອງການຮຽນຮູ້ເຄື່ອງຈັກແລະປັນຍາປະດິດ. ມັນເຕີບໃຫຍ່ອອກຈາກສະຫນາມຂອງບັດວີດີໂອເກມ, ເຊິ່ງໃນເວລາດຽວມັນເລີ່ມຕົ້ນຍ້ອນບັດວີດີໂອຈາກ AMD. ໃນມື້ນີ້, ຈຸດປະສົງຕົ້ນຕໍຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ HBM ແມ່ນຄອມພິວເຕີ້ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງແລະ AI.

ທ່ານ Jonghoon Oh, ຮອງປະທານບໍລິຫານ ແລະ ຫົວໜ້າຝ່າຍການຕະຫຼາດ (CMO) ທີ່ SK Hynix ກ່າວວ່າ “SK Hynix ແມ່ນຢູ່ແຖວໜ້າຂອງນະວັດຕະກໍາດ້ານເຕັກໂນໂລຢີທີ່ປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນອາລະຍະທໍາຂອງມະນຸດໂດຍຜ່ານຜົນສໍາເລັດລວມທັງການພັດທະນາຜະລິດຕະພັນ HBM ທໍາອິດຂອງໂລກ. "ດ້ວຍການຜະລິດປະລິມານເຕັມຮູບແບບຂອງ HBM2E, ພວກເຮົາຈະສືບຕໍ່ສ້າງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງພວກເຮົາໃນຕະຫຼາດຄວາມຊົງຈໍາຊັ້ນນໍາແລະນໍາພາການປະຕິວັດອຸດສາຫະກໍາຄັ້ງທີສີ່."

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ:

• ບໍລິສັດ SK Hynix

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru