SK Hynix ເລີ່ມການຜະລິດຊິບ 4D QLC NAND ທີ່ມີຄວາມຈຸ 1 Tbit

SK Hynix ໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນການຜະລິດຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 96-layer 4 Tbit 1D QLC NAND. ໃນປັດຈຸບັນ, ພວກເຮົາໄດ້ເລີ່ມສົ່ງຕົວຢ່າງຂອງຊິບເຫຼົ່ານີ້ໃຫ້ກັບຜູ້ພັດທະນາຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງຕົວຄວບຄຸມສໍາລັບ drives ແຂງ. ນີ້ຫມາຍຄວາມວ່າບໍ່ມີເວລາຫຼາຍກ່ອນທີ່ຈະຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່ຂອງຊິບເຫຼົ່ານີ້, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບການຂັບລົດໂດຍອີງໃສ່ພວກມັນ.

ເພື່ອເລີ່ມຕົ້ນ, ໃຫ້ພວກເຮົາຈື່ວ່າ 4D NAND ແມ່ນຊື່ການຕະຫຼາດສໍາລັບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 3D NAND ທີ່ຖືກດັດແປງເລັກນ້ອຍ. ບໍລິສັດ SK Hynix ຕັດສິນໃຈໃຊ້ຊື່ນີ້ເພາະວ່າໃນ microcircuits ຂອງມັນວົງຈອນ peripheral ທີ່ຄວບຄຸມ array ຂອງຈຸລັງບໍ່ໄດ້ຕັ້ງຢູ່ໃກ້ກັບຈຸລັງ, ແຕ່ຖືກຍ້າຍພາຍໃຕ້ພວກມັນ (Periphery Under Cell, PUC). ມັນຫນ້າສົນໃຈທີ່ຜູ້ຜະລິດອື່ນໆກໍ່ມີວິທີແກ້ໄຂທີ່ຄ້າຍຄືກັນ, ແຕ່ພວກເຂົາບໍ່ໄດ້ໃຊ້ຊື່ດັງໆ "4D NAND", ແຕ່ດ້ວຍຄວາມອ່ອນໂຍນສືບຕໍ່ເອີ້ນຄວາມຊົງຈໍາຂອງພວກເຂົາວ່າ "3D NAND".

ອີງຕາມຜູ້ຜະລິດ, ການເຄື່ອນຍ້າຍອຸປະກອນຂ້າງຄຽງພາຍໃຕ້ຈຸລັງໄດ້ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນໄປໄດ້ທີ່ຈະຫຼຸດຜ່ອນພື້ນທີ່ຂອງຊິບຫຼາຍກວ່າ 10% ເມື່ອທຽບກັບຊິບ 3D QLC NAND ຄລາສສິກ. ນີ້, ສົມທົບກັບຮູບແບບ 96 ຊັ້ນ, ເພີ່ມຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງການເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນຕື່ມອີກ. ເຖິງແມ່ນວ່າ, ຕາມທີ່ທ່ານຮູ້, ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ QLC ແມ່ນມີຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງແລ້ວເນື່ອງຈາກການເກັບຮັກສາຂໍ້ມູນສີ່ບິດໃນຫ້ອງຫນຶ່ງ.

ດຽວນີ້ SK Hynix ໄດ້ເລີ່ມສະໜອງຊິບ 4 Tbit 1D QLC NAND ໃຫ້ກັບຜູ້ຜະລິດຕ່າງໆເພື່ອທົດສອບ ແລະສ້າງໄດຣຟ໌ຕາມລຳດັບຕໍ່ໄປ. ແຕ່ໃນເວລາດຽວກັນ, ນາງເອງຍັງເຮັດວຽກກ່ຽວກັບ SSDs ໂດຍອີງໃສ່ຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາເຫຼົ່ານີ້. ບໍລິສັດກໍາລັງເຮັດວຽກກ່ຽວກັບຕົວຄວບຄຸມຂອງຕົນເອງ, ແລະຍັງພັດທະນາພື້ນຖານຊອບແວສໍາລັບການແກ້ໄຂ, ເຊິ່ງມັນວາງແຜນທີ່ຈະສະຫນອງໃຫ້ແກ່ຕະຫຼາດຜູ້ບໍລິໂພກ. SK Hynix ວາງແຜນທີ່ຈະປ່ອຍ SSDs ຂອງຕົນເອງໂດຍອີງໃສ່ 4D QLC NAND ໃນປີຫນ້າ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru