TSMC ໄດ້ສ້າງຄວາມຊົງຈໍາ magnetoresistive ປັບປຸງ - ມັນໃຊ້ພະລັງງານຫນ້ອຍລົງ 100 ເທົ່າ

Компания TSMC вместе с учёными Тайваньского НИИ промышленных технологий (ITRI) представила совместно разработанную память SOT-MRAM. Новое запоминающее устройство предназначено для вычислений в памяти и для применения в качестве кеша верхних уровней. Новая память быстрее DRAM и сохраняет данные даже после отключения питания, и она призвана заменить память STT-MRAM, потребляя при работе в 100 раз меньше энергии. Экспериментальная пластина с чипами SOT-MRAM. Источник изображения: TSMC / ITRI
ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru