ທີ່ Samsung, ທຸກໆ nanometer ນັບ: ຫຼັງຈາກ 7 nm ຈະມີຂະບວນການເຕັກໂນໂລຢີ 6-, 5-, 4- ແລະ 3-nm.

ມື້ນີ້ Samsung Electronics ລາຍງານ ກ່ຽວ​ກັບ​ແຜນ​ການ​ສໍາ​ລັບ​ການ​ພັດ​ທະ​ນາ​ຂະ​ບວນ​ການ​ດ້ານ​ວິ​ຊາ​ການ​ສໍາ​ລັບ​ການ​ຜະ​ລິດ semiconductors​. ບໍລິສັດພິຈາລະນາການສ້າງໂຄງການດິຈິຕອນຂອງຊິບ 3-nm ທົດລອງໂດຍອີງໃສ່ transistors MBCFET ທີ່ໄດ້ຮັບສິດທິບັດເປັນຜົນສໍາເລັດຕົ້ນຕໍໃນປະຈຸບັນ. ເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນ transistors ທີ່ມີຫຼາຍຊ່ອງ nanopage ອອກຕາມລວງນອນຢູ່ໃນປະຕູຮົ້ວ FET ຕັ້ງ (Multi-Bridge-Channel FET).

ເປັນສ່ວນຫນຶ່ງຂອງພັນທະມິດກັບ IBM, Samsung ໄດ້ພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີທີ່ແຕກຕ່າງກັນເລັກນ້ອຍສໍາລັບການຜະລິດ transistors ທີ່ມີຊ່ອງທາງທີ່ອ້ອມຮອບດ້ວຍປະຕູ (GAA ຫຼື Gate-All-Around). ຊ່ອງທາງດັ່ງກ່າວຄວນຈະຖືກເຮັດໃຫ້ບາງໆໃນຮູບແບບຂອງ nanowires. ຫຼັງຈາກນັ້ນ, Samsung ໄດ້ຍ້າຍອອກໄປຈາກໂຄງການນີ້ແລະສິດທິບັດໂຄງສ້າງຂອງ transistor ທີ່ມີຊ່ອງທາງໃນຮູບແບບຂອງ nanopages. ໂຄງສ້າງນີ້ຊ່ວຍໃຫ້ທ່ານສາມາດຄວບຄຸມຄຸນລັກສະນະຂອງ transistors ໂດຍການຫມູນໃຊ້ທັງຈໍານວນຫນ້າ (ຊ່ອງທາງ) ແລະໂດຍການປັບຄວາມກວ້າງຂອງຫນ້າ. ສໍາລັບເທກໂນໂລຍີ FET ຄລາສສິກ, ການ maneuver ດັ່ງກ່າວແມ່ນເປັນໄປບໍ່ໄດ້. ເພື່ອເພີ່ມພະລັງງານຂອງ transistor FinFET, ມັນຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ຄູນຈໍານວນ FET fins ເທິງຊັ້ນຍ່ອຍ, ແລະນີ້ຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີພື້ນທີ່. ຄຸນລັກສະນະຂອງ transistor MBCFET ສາມາດປ່ຽນແປງໄດ້ພາຍໃນປະຕູທາງກາຍະພາບຫນຶ່ງ, ເຊິ່ງທ່ານຈໍາເປັນຕ້ອງກໍານົດຄວາມກວ້າງຂອງຊ່ອງທາງແລະຈໍານວນຂອງພວກເຂົາ.

ຄວາມພ້ອມຂອງການອອກແບບດິຈິຕອນ (ຖອດອອກ) ຂອງຊິບຕົ້ນແບບສໍາລັບການຜະລິດໂດຍໃຊ້ຂະບວນການ GAA ໄດ້ອະນຸຍາດໃຫ້ Samsung ກໍານົດຂອບເຂດຈໍາກັດຂອງຄວາມສາມາດຂອງ transistors MBCFET. ມັນຄວນຈະໄດ້ຮັບການ borne ຢູ່ໃນໃຈວ່ານີ້ແມ່ນຍັງເປັນຂໍ້ມູນແບບຈໍາລອງຄອມພິວເຕີແລະຂະບວນການດ້ານວິຊາການໃຫມ່ພຽງແຕ່ສາມາດໄດ້ຮັບການຕັດສິນສຸດທ້າຍຫຼັງຈາກທີ່ມັນໄດ້ຖືກເປີດຕົວເຂົ້າໄປໃນການຜະລິດຂະຫນາດໃຫຍ່. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ມີຈຸດເລີ່ມຕົ້ນ. ບໍລິສັດກ່າວວ່າການຫັນປ່ຽນຈາກຂະບວນການ 7nm (ແນ່ນອນລຸ້ນທໍາອິດ) ໄປສູ່ຂະບວນການ GAA ຈະສະຫນອງການຫຼຸດຜ່ອນພື້ນທີ່ຕາຍ 45% ແລະຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກ 50%. ຖ້າທ່ານບໍ່ປະຫຍັດການບໍລິໂພກ, ຜົນຜະລິດສາມາດເພີ່ມຂຶ້ນ 35%. ກ່ອນຫນ້ານີ້, Samsung ໄດ້ເຫັນການປະຫຍັດແລະຜົນຜະລິດທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນເມື່ອກ້າວໄປສູ່ຂະບວນການ 3nm ລາຍຊື່ ແຍກດ້ວຍເຄື່ອງໝາຍຈຸດ. ມັນໄດ້ຫັນອອກມັນແມ່ນຫນຶ່ງຫຼືອື່ນໆ.

ບໍລິສັດພິຈາລະນາການກະກຽມຂອງແພລະຕະຟອມຟັງສາທາລະນະສໍາລັບຜູ້ພັດທະນາຊິບເອກະລາດແລະບໍລິສັດ fabless ເປັນຈຸດສໍາຄັນໃນຄວາມນິຍົມຂອງເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 3nm. Samsung ບໍ່ໄດ້ເຊື່ອງສະພາບແວດລ້ອມການພັດທະນາ, ການຢັ້ງຢືນໂຄງການ ແລະຫ້ອງສະໝຸດຢູ່ໃນເຊີບເວີການຜະລິດ. ແພລດຟອມ SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) ຈະມີໃຫ້ຜູ້ອອກແບບທົ່ວໂລກ. ແພລດຟອມຄລາວທີ່ປອດໄພໄດ້ຖືກສ້າງຂື້ນດ້ວຍການມີສ່ວນຮ່ວມຂອງບໍລິການຟັງສາທາລະນະທີ່ສໍາຄັນເຊັ່ນ Amazon Web Services (AWS) ແລະ Microsoft Azure. ຜູ້ພັດທະນາລະບົບການອອກແບບຈາກ Cadence ແລະ Synopsys ໄດ້ໃຫ້ເຄື່ອງມືການອອກແບບຂອງເຂົາເຈົ້າພາຍໃນ SAFE. ນີ້ສັນຍາວ່າຈະເຮັດໃຫ້ມັນງ່າຍຂຶ້ນແລະລາຄາຖືກກວ່າໃນການສ້າງວິທີແກ້ໄຂໃຫມ່ສໍາລັບຂະບວນການ Samsung.

ກັບຄືນສູ່ເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 3nm ຂອງ Samsung, ໃຫ້ຕື່ມວ່າບໍລິສັດໄດ້ນໍາສະເຫນີຊຸດການພັດທະນາຊິບຮຸ່ນທໍາອິດ - 3nm GAE PDK Version 0.1. ດ້ວຍການຊ່ວຍເຫຼືອຂອງມັນ, ທ່ານສາມາດເລີ່ມຕົ້ນການອອກແບບການແກ້ໄຂ 3nm ໃນມື້ນີ້, ຫຼືຢ່າງຫນ້ອຍກະກຽມເພື່ອຕອບສະຫນອງຂະບວນການ Samsung ນີ້ໃນເວລາທີ່ມັນແຜ່ຂະຫຍາຍຢ່າງກວ້າງຂວາງ.

Samsung ປະກາດແຜນການໃນອະນາຄົດຂອງຕົນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້. ໃນເຄິ່ງທີ່ສອງຂອງປີນີ້, ການຜະລິດຊິບຈໍານວນຫລາຍທີ່ໃຊ້ຂະບວນການ 6nm ຈະເປີດຕົວ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີຂອງຂະບວນການ 4nm ຈະສໍາເລັດ. ການພັດທະນາຜະລິດຕະພັນ Samsung ທໍາອິດທີ່ໃຊ້ຂະບວນການ 5nm ຈະສໍາເລັດໃນລຶະເບິ່ງໃບໄມ້ຜລິໃນລະດູໃບໄມ້ປົ່ງນີ້, ດ້ວຍການເປີດຕົວການຜະລິດໃນເຄິ່ງທໍາອິດຂອງປີຫນ້າ. ນອກຈາກນີ້, ໃນທ້າຍປີນີ້, Samsung ຈະສໍາເລັດການພັດທະນາຂອງເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການ 18FDS (18 nm ກ່ຽວກັບ FD-SOI wafers) ແລະຊິບ 1-Gbit eMRAM. ເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການຈາກ 7 nm ຫາ 3 nm ຈະໃຊ້ເຄື່ອງສະແກນ EUV ທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນເພີ່ມຂຶ້ນ, ເຮັດໃຫ້ທຸກໆ nanometer ນັບ. ຕໍ່ໄປ, ໃນໄລຍະທາງລົງ, ທຸກໆບາດກ້າວຈະຖືກປະຕິບັດດ້ວຍການຕໍ່ສູ້.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru