ໃນທ້າຍປີ, ຜູ້ຜະລິດຈີນ ChangXin Memory ຈະເລີ່ມຜະລິດຊິບ 8-Gbit LPDDR4.

ອີງຕາມແຫຼ່ງອຸດສາຫະກໍາໃນໄຕ້ຫວັນ, ເຊິ່ງ refersາຍເຖິງ ຊັບພະຍາກອນອິນເຕີເນັດ DigiTimes, ຜູ້ຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາຂອງຈີນ ChangXin Memory Technologies (CXMT) ແມ່ນຢູ່ໃນການກຽມພ້ອມຢ່າງເຕັມທີ່ສໍາລັບການຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ LPDDR4. ChangXin, ຊຶ່ງເອີ້ນກັນວ່າ Innotron Memory, ໄດ້ຖືກກ່າວວ່າໄດ້ພັດທະນາຂະບວນການຜະລິດ DRAM ຂອງຕົນເອງໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີ 19nm.

ສໍາ​ລັບ​ການ​ຜະ​ລິດ​ການ​ຄ້າ​ຂອງ​ຫນ່ວຍ​ຄວາມ​ຈໍາ​ໃນ​ວິ​ສາ​ຫະ​ກິດ 300 ມ​ມ​ຄັ້ງ​ທໍາ​ອິດ​ຂອງ​ຕົນ​, ChangXin ໄດ້​ ເລີ່ມ ​ໃນ​ເຄິ່ງ​ທຳ​ອິດ​ຂອງ​ປີ 2019. ອະນິຈາ, ນີ້ຍັງບໍ່ທັນເກີດຂຶ້ນເທື່ອ. ແຕ່ການເລີ່ມຕົ້ນຂອງການຜະລິດຊິບ 8-Gbit DDR4 LPDDR4 ຈະມາພ້ອມກັບການຂະຫຍາຍຄວາມອາດສາມາດເປັນ 20 ພັນ 300-nm wafers ຊິລິໂຄນຕໍ່ເດືອນ. ຄວາມອາດສາມາດສູງສຸດຂອງສາຍຢູ່ວິສາຫະກິດ ChangXin ບັນລຸ 125 ພັນ 300 ມມ wafers ຕໍ່ເດືອນ. ແຕ່ນີ້ກໍ່ບໍ່ແມ່ນຂອບເຂດຈໍາກັດ. ບໍລິສັດກ່າວວ່າມັນຈະເລີ່ມສ້າງໂຮງງານທີສອງໃນປີຫນ້າເພື່ອປຸງແຕ່ງ wafers ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ 300 ມມ.

ໃນເວລາດຽວກັນ, ຜູ້ຜະລິດຈີນນີ້ອາດຈະປະເຊີນກັບບັນຫາຂອງປະເພດທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ຂໍໃຫ້ພວກເຮົາຈື່ວ່າບໍລິສັດຈີນທໍາອິດທີ່ກໍາລັງຈະເລີ່ມການຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ DRAM ຂະຫນາດໃຫຍ່ແມ່ນ Fujian Jinhua. ໄດ້ຖືກລວມເຂົ້າໃນບັນຊີລາຍຊື່ການລົງໂທດ ອາ​ເມ​ລິ​ກາ ກັບ​ຂໍ້​ຫ້າມ​ຊື້​ອຸປະກອນ​ການ​ຜະລິດ​ຈາກ​ຄູ່​ຮ່ວມ​ມື​ອາ​ເມ​ລິ​ກາ. ຢູ່​ໄຕ້​ຫວັນ, ພວກ​ເຂົາ​ເຈົ້າ​ເຊື່ອ​ວ່າ ChangXin ຈະ​ປະ​ເຊີນ​ກັບ​ບັນ​ຫາ​ດຽວ​ກັນ​ກັບ Fujian​. ນອກຈາກນັ້ນ, ມັນໄດ້ທົດແທນວິສະວະກອນທີ່ມີຄຸນວຸດທິຈາກບໍລິສັດຍ່ອຍຂອງໄຕ້ຫວັນໃນອະດີດຂອງ Elpida ຂອງຍີ່ປຸ່ນ, ເຊິ່ງທຸລະກິດໄດ້ຖືກດູດຊືມໂດຍ American Micron. ນັກວິເຄາະຄາດວ່າການຮຽກຮ້ອງຕໍ່ ChangXin ຈາກ Micron ແລະການລົງໂທດຖ້າຝ່າຍຈີນບໍ່ຕອບສະຫນອງ.

ໃນຂະຫນານ, ChangXin ກໍາລັງພັດທະນາຂະບວນການດ້ານວິຊາການສໍາລັບການຜະລິດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ມີມາດຕະຖານ 17 nm. ຄາດວ່າຈະສຳເລັດການພັດທະນາໃນປີ 2021. ອາດຈະເປັນ, ໂຮງງານ ChangXin ທີສອງຈະເລີ່ມຕົ້ນເຮັດວຽກກັບການຜະລິດໄປເຊຍກັນ DRAM ກັບມາດຕະຖານເຫຼົ່ານີ້. ເວັ້ນເສຍແຕ່, ແນ່ນອນ, ການລົງໂທດຂອງສະຫະລັດແລະເຄື່ອງກົນຈັກຂອງ Micron ກາຍເປັນອຸປະສັກທີ່ບໍ່ສາມາດຜ່ານໄປໄດ້ໃນເສັ້ນທາງຂອງນາງ.

ແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ: 3dnews.ru