เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบŠเบตเปƒเบซเบกเปˆเบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ‚เบญเบ‡ nanometer semiconductors เป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒเบขเบนเปˆเปƒเบ™เบชเบฐเบซเบฐเบฅเบฑเบ”

เบกเบฑเบ™เป€เบ›เบฑเบ™เป„เบ›เบšเปเปˆเป„เบ”เป‰เบ—เบตเปˆเบˆเบฐเบˆเบดเบ™เบ•เบฐเบ™เบฒเบเบฒเบ™เบเบฒเบ™เบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒเบ‚เบญเบ‡เบˆเบธเบ™เบฅเบฐเบžเบฒเบเบญเบตเป€เบฅเบฑเบเป‚เบ—เบฃเบ™เบดเบเบ•เปเปˆเป„เบ›เป‚เบ”เบเบšเปเปˆเบกเบตเบเบฒเบ™เบ›เบฑเบšเบ›เบธเบ‡เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ” semiconductor. เป€เบžเบทเปˆเบญเบ‚เบฐเบซเบเบฒเบเป€เบ‚เบ”เปเบ”เบ™เปเบฅเบฐเบฎเบฝเบ™เบฎเบนเป‰เบงเบดเบ—เบตเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบญเบปเบ‡เบ›เบฐเบเบญเบšเบ‚เบฐเบซเบ™เบฒเบ”เบ™เป‰เบญเบเบเบงเปˆเบฒเบขเบนเปˆเปƒเบ™เป„เบ›เป€เบŠเบเบเบฑเบ™, เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเปƒเบซเบกเปˆเปเบฅเบฐเป€เบ„เบทเปˆเบญเบ‡เบกเบทเปƒเบซเบกเปˆเปเบกเปˆเบ™เบˆเปเบฒเป€เบ›เบฑเบ™. เบซเบ™เบถเปˆเบ‡เปƒเบ™เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเป€เบซเบผเบปเปˆเบฒเบ™เบตเป‰เบญเบฒเบ”เบˆเบฐเป€เบ›เบฑเบ™เบเบฒเบ™เบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒเบ—เบตเปˆเบเป‰เบฒเบงเบซเบ™เป‰เบฒเป‚เบ”เบเบ™เบฑเบเบงเบดเบ—เบฐเบเบฒเบชเบฒเบ”เบญเบฒเป€เบกเบฅเบดเบเบฒ.

เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบŠเบตเปƒเบซเบกเปˆเบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ‚เบญเบ‡ nanometer semiconductors เป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒเบขเบนเปˆเปƒเบ™เบชเบฐเบซเบฐเบฅเบฑเบ”

เบ—เบตเบกเบ™เบฑเบเบงเบดเป„เบˆเบˆเบฒเบเบซเป‰เบญเบ‡เบ—เบปเบ”เบฅเบญเบ‡เปเบซเปˆเบ‡เบŠเบฒเบ” Argonne เบ‚เบญเบ‡เบเบฐเบŠเบงเบ‡เบžเบฐเบฅเบฑเบ‡เบ‡เบฒเบ™เบชเบฐเบซเบฐเบฅเบฑเบ” เป„เบ”เป‰เบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒ เป€เบ•เบฑเบเบ™เบดเบเปƒเบซเบกเปˆเบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบชเป‰เบฒเบ‡เปเบฅเบฐ etching เบฎเบนเบšเป€เบ‡เบปเบฒเบšเบฒเบ‡เป†เบขเบนเปˆเบ”เป‰เบฒเบ™เบ‚เบญเบ‡เป„เบ›เป€เบŠเบเบเบฑเบ™. เบ™เบตเป‰เบญเบฒเบ”เบˆเบฐเป€เบฎเบฑเบ”เปƒเบซเป‰เบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบŠเบดเบšเปƒเบ™เบ‚เบฐเบซเบ™เบฒเบ”เบ‚เบฐเบซเบ™เบฒเบ”เบ™เป‰เบญเบเบเบงเปˆเบฒเปƒเบ™เบกเบทเป‰เบ™เบตเป‰เปเบฅเบฐเปƒเบ™เบญเบฐเบ™เบฒเบ„เบปเบ”เบญเบฑเบ™เปƒเบเป‰เบ™เบตเป‰. เบเบฒเบ™เบชเบถเบเบชเบฒเป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเบˆเบฑเบ”เบžเบตเบกเบกเบฒเบขเบนเปˆเปƒเบ™เบงเบฒเบฅเบฐเบชเบฒเบ™เป€เบ„เบกเบตเบ‚เบญเบ‡เบงเบฑเบ”เบชเบฐเบ”เบธ.

เป€เบ•เบฑเบเบ™เบดเบเบ—เบตเปˆเบชเบฐเป€เบซเบ™เบตเปเบกเปˆเบ™เบ„เป‰เบฒเบเบ„เบทเบเบฑเบšเบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™เบžเบทเป‰เบ™เป€เบกเบทเบญเบ‡ เบŠเบฑเป‰เบ™เบ›เบฐเบฅเปเบฒเบกเบฐเบ™เบน เปเบฅเบฐ etching, เบžเบฝเบ‡เปเบ•เปˆเปเบ—เบ™เบ—เบตเปˆเบˆเบฐเป€เบ›เบฑเบ™เบฎเบนเบšเป€เบ‡เบปเบฒเบญเบฐเบ™เบปเบ‡เบ„เบฐเบ—เบฒเบ”, เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบŠเบตเปƒเบซเบกเปˆเบชเป‰เบฒเบ‡เปเบฅเบฐเป€เบฎเบฑเบ”เบงเบฝเบเบเบฑเบšเบฎเบนเบšเป€เบ‡เบปเบฒเบญเบดเบ™เบŠเบต. เบ•เบปเบงเบˆเบดเบ‡เปเบฅเป‰เบง, เบ”เป‰เบงเบเบเบฒเบ™เบ›เบฝเบšเบ—เบฝเบš, เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบŠเบตเปƒเบซเบกเปˆเป€เบญเบตเป‰เบ™เบงเปˆเบฒเบเบฒเบ™เบเบฒเบเบŠเบฑเป‰เบ™เป‚เบกเป€เบฅเบเบธเบ™ (MLD, เบเบฒเบ™เบเบฒเบเบŠเบฑเป‰เบ™เป‚เบกเป€เบฅเบเบธเบ™) เปเบฅเบฐ etching เบŠเบฑเป‰เบ™เป‚เบกเป€เบฅเบเบธเบ™ (MLE, molecular layer etching).

เป€เบŠเบฑเปˆเบ™เบ”เบฝเบงเบเบฑเบšเปƒเบ™เบเปเบฅเบฐเบ™เบตเบ‚เบญเบ‡เบเบฒเบ™เปเบเบฐเบชเบฐเบซเบผเบฑเบเบŠเบฑเป‰เบ™เบ›เบฐเบฅเปเบฒเบกเบฐเบ™เบน, เบงเบดเบ—เบตเบเบฒเบ™ MLE เปƒเบŠเป‰เบเบฒเบ™เบšเปเบฒเบšเบฑเบ”เบญเบฒเบเปเบเบฑเบชเบขเบนเปˆเปƒเบ™เบซเป‰เบญเบ‡เบ‚เบญเบ‡เบซเบ™เป‰เบฒเบ”เบดเบ™เบ‚เบญเบ‡เป„เบ›เป€เบŠเบเบเบฑเบ™เบ—เบตเปˆเบกเบตเบฎเบนเบšเป€เบ‡เบปเบฒเบ‚เบญเบ‡เบงเบฑเบ”เบชเบฐเบ”เบธเบญเบดเบ™เบŠเบต. เป„เบ›เป€เบŠเบเบเบฑเบ™เป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเบ›เบฐเบ•เบดเบšเบฑเบ”เบฎเบญเบšเบงเบฝเบ™เบ”เป‰เบงเบเบชเบญเบ‡เบ—เบฒเบ”เบญเบฒเบเบœเบดเบ”เบ—เบตเปˆเปเบ•เบเบ•เปˆเบฒเบ‡เบเบฑเบ™เบชเบฐเบฅเบฑเบšเบเบฑเบ™เบˆเบปเบ™เบเปˆเบงเบฒเบฎเบนเบšเป€เบ‡เบปเบฒเป„เบ”เป‰เบ–เบทเบ thinned เบเบฑเบšเบ„เบงเบฒเบกเบซเบ™เบฒเบ—เบตเปˆเบเปเบฒเบ™เบปเบ”เป„เบงเป‰.

เบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™เบ—เบฒเบ‡เป€เบ„เบกเบตเปเบกเปˆเบ™เบ‚เบถเป‰เบ™เบเบฑเบšเบฅเบฐเบšเบฝเบšเบเบปเบ”เบซเบกเบฒเบเบ‚เบญเบ‡เบ•เบปเบ™เป€เบญเบ‡. เบ™เบตเป‰เบซเบกเบฒเบเบ„เบงเบฒเบกเบงเปˆเบฒเบŠเบฑเป‰เบ™เบซเบผเบฑเบ‡เบˆเบฒเบเบŠเบฑเป‰เบ™เป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเป‚เบเบเบเป‰เบฒเบเบญเบญเบเบขเปˆเบฒเบ‡เป€เบ—เบปเปˆเบฒเบ—เบฝเบกเบเบฑเบ™เปเบฅเบฐเปƒเบ™เบฅเบฑเบเบชเบฐเบ™เบฐเบ—เบตเปˆเบ„เบงเบšเบ„เบธเบก. เบ–เป‰เบฒเบ—เปˆเบฒเบ™เปƒเบŠเป‰ photomasks, เบ—เปˆเบฒเบ™เบชเบฒเบกเบฒเบ”เบœเบฐเบฅเบดเบ” topology เบ‚เบญเบ‡ chip เปƒเบ™เบญเบฐเบ™เบฒเบ„เบปเบ”เปƒเบ™ chip เปเบฅเบฐ etch เบเบฒเบ™เบญเบญเบเปเบšเบšเบ—เบตเปˆเบกเบตเบ„เบงเบฒเบกเบ–เบทเบเบ•เป‰เบญเบ‡เบชเบนเบ‡เบชเบธเบ”.

เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบŠเบตเปƒเบซเบกเปˆเบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ”เบ‚เบญเบ‡ nanometer semiconductors เป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒเบขเบนเปˆเปƒเบ™เบชเบฐเบซเบฐเบฅเบฑเบ”

เปƒเบ™เบเบฒเบ™เบ—เบปเบ”เบฅเบญเบ‡, เบ™เบฑเบเบงเบดเบ—เบฐเบเบฒเบชเบฒเบ”เป„เบ”เป‰เปƒเบŠเป‰เบญเบฒเบเปเบเบฑเบชเบ—เบตเปˆเบกเบตเป€เบเบทเบญ lithium เปเบฅเบฐเบญเบฒเบเปเบเบฑเบชเบ—เบตเปˆเบญเบตเบ‡เปƒเบชเปˆ trimethylaluminum เบชเปเบฒเบฅเบฑเบšเบเบฒเบ™เบ‚เบธเบ”เป‚เบกเป€เบฅเบเบธเบ™. เปƒเบ™โ€‹เบฅเบฐโ€‹เบซเบงเปˆเบฒเบ‡โ€‹เบเบฒเบ™โ€‹เบ‚เบฐโ€‹เบšเบงเบ™โ€‹เบเบฒเบ™ etchingโ€‹, เบชเบฒเบ™โ€‹เบ›เบฐโ€‹เบชเบปเบก lithium reacted เบเบฑเบšโ€‹เบซเบ™เป‰เบฒโ€‹เบ”เบดเบ™โ€‹เบ‚เบญเบ‡โ€‹เบฎเบนเบšโ€‹เป€เบ‡เบปเบฒ alucone เปƒเบ™โ€‹เบงเบดโ€‹เบ—เบตโ€‹เบเบฒเบ™โ€‹เบ—เบตเปˆ lithium เบ–เบทเบโ€‹เบเบฒเบโ€‹เป„เบงเป‰โ€‹เป€เบ—เบดเบ‡โ€‹เบซเบ™เป‰เบฒโ€‹เบ”เบดเบ™โ€‹เปเบฅเบฐโ€‹เบ—เปเบฒโ€‹เบฅเบฒเบโ€‹เบžเบฑเบ™โ€‹เบ—เบฐโ€‹เบšเบฑเบ”โ€‹เบ—เบฒเบ‡โ€‹เป€เบ„โ€‹เบกเบตโ€‹เปƒเบ™โ€‹เบฎเบนเบšโ€‹เป€เบ‡เบปเบฒโ€‹เป„เบ”เป‰โ€‹. เบซเบผเบฑเบ‡เบˆเบฒเบเบ™เบฑเป‰เบ™, trimethylaluminum เป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเบชเบฐเบซเบ™เบญเบ‡, เป€เบŠเบดเปˆเบ‡เป€เบญเบปเบฒเบŠเบฑเป‰เบ™เบ‚เบญเบ‡เบฎเบนเบšเป€เบ‡เบปเบฒเบ—เบตเปˆเบกเบต lithium, เปเบฅเบฐเบญเบทเปˆเบ™เป†เบˆเบปเบ™เบเปˆเบงเบฒเบฎเบนเบšเป€เบ‡เบปเบฒเป„เบ”เป‰เบ–เบทเบเบซเบผเบธเบ”เบฅเบปเบ‡เป€เบ›เบฑเบ™เบ„เบงเบฒเบกเบซเบ™เบฒเบ—เบตเปˆเบ•เป‰เบญเบ‡เบเบฒเบ™. เบเบฒเบ™เบ„เบงเบšเบ„เบธเบกเบ—เบตเปˆเบ”เบตเบ‚เบญเบ‡เบ‚เบฐเบšเบงเบ™เบเบฒเบ™, เบ™เบฑเบเบงเบดเบ—เบฐเบเบฒเบชเบฒเบ”เป€เบŠเบทเปˆเบญเบงเปˆเบฒ, เบชเบฒเบกเบฒเบ”เบญเบฐเบ™เบธเบเบฒเบ”เปƒเบซเป‰เป€เบ•เบฑเบเป‚เบ™เป‚เบฅเบขเบตเบ—เบตเปˆเบชเบฐเป€เบซเบ™เบตเป€เบžเบทเปˆเบญเบŠเบธเบเบเบนเป‰เบเบฒเบ™เบžเบฑเบ”เบ—เบฐเบ™เบฒเบเบฒเบ™เบœเบฐเบฅเบดเบ” semiconductor.



เปเบซเบผเปˆเบ‡เบ‚เปเป‰เบกเบนเบ™: 3dnews.ru

เป€เบžเบตเปˆเบกเบ„เบงเบฒเบกเบ„เบดเบ”เป€เบซเบฑเบ™