„Samsung Electronics“ ir toliau nardo 10 nm klasės proceso technologijoje. Šį kartą, praėjus vos 16 mėnesių nuo masinės DDR4 atminties gamybos pradžios naudojant antros kartos 10 nm klasės (1y-nm) proceso technologiją, Pietų Korėjos gamintojas baigė kurti DDR4 atminties štampelius, naudodamas trečios kartos 10 nm klasę ( 1z-nm) proceso technologija. Svarbu tai, kad trečiosios kartos 10 nm klasės procese vis dar naudojami 193 nm litografiniai skaitytuvai ir nesiremia žemo našumo EUV skaitytuvais. Tai reiškia, kad perėjimas prie masinės atminties gamybos, naudojant naujausią 1z-nm proceso technologiją, bus gana greitas ir be didelių finansinių išlaidų linijų pertvarkymui.
Antroje šių metų pusėje bendrovė pradės masinę 8 Gbit DDR4 lustų gamybą, naudodama 1 nm klasės 10z-nm proceso technologiją. Kaip įprasta nuo perėjimo prie 20 nm proceso technologijos, „Samsung“ neatskleidžia tikslių proceso technologijos specifikacijų. Daroma prielaida, kad įmonės 1x nm 10 nm klasės techninis procesas atitinka 18 nm standartus, 1y nm procesas atitinka 17 arba 16 nm standartus, o naujausias 1z-nm atitinka 16 arba 15 nm standartus ir gal net iki 13 nm. Bet kokiu atveju, sumažinus techninio proceso mastą, kristalų išeiga iš vienos plokštelės vėl padidėjo, kaip pripažįsta Samsung, 20%. Ateityje tai leis įmonei parduoti naują atmintį pigiau arba su geresne marža, kol konkurentai pasieks panašių rezultatų gamyboje. Tačiau šiek tiek nerimą kelia tai, kad „Samsung“ nesugebėjo sukurti 1z-nm 16 Gbit DDR4 kristalo. Tai gali reikšti, kad gamyboje tikimasi didesnio defektų skaičiaus.
Naudodama trečiosios kartos 10 nm klasės proceso technologiją, bendrovė pirmoji gamins serverio atmintį ir atmintį aukščiausios klasės kompiuteriams. Ateityje 1z-nm 10nm klasės proceso technologija bus pritaikyta DDR5, LPDDR5 ir GDDR6 atminties gamybai. Serveriai, mobilieji įrenginiai ir grafika galės išnaudoti visas greitesnės ir mažiau atminties reikalaujančios atminties privalumus, o tai palengvins perėjimas prie plonesnių gamybos standartų.
Šaltinis: 3dnews.ru