SK Hynix prireikė mažiau nei metų, kad pajudėtų nuo užbaigimo etapo HBM2E atmintis jos masinės gamybos. Tačiau svarbiausia net ne šis nuostabus efektyvumas, o unikalios naujųjų HBM2E lustų greičio charakteristikos. HBM2E SK Hynix lustų pralaidumas siekia 460 GB/s vienam lustui, o tai yra 50 GB/s didesnis nei ankstesni skaičiai.
Žymus HBM atminties našumo šuolis turėtų įvykti pereinant prie arba HBM3. Tada mainų greitis pakils iki 820 GB/s. Tuo tarpu spragą užpildys SK Hynix lustai, kurių keitimosi greitis kiekvienam išėjimui yra 3,6 Gbit/s. Kiekviena tokia mikroschema yra surinkta iš aštuonių kristalų (sluoksnių). Jei atsižvelgsime į tai, kad kiekviename sluoksnyje yra 16 Gbit kristalas, tada bendra naujų lustų talpa yra 16 GB.
Atmintis su panašiu charakteristikų deriniu pradeda būti paklausi ir aktuali kuriant sprendimus mašininio mokymosi ir dirbtinio intelekto srityje. Jis išaugo iš žaidimų vaizdo plokščių srities, kur kažkada pradėjo veikti AMD vaizdo plokščių dėka. Šiandien pagrindinis HBM atminties tikslas yra didelio našumo kompiuterija ir AI.
„SK Hynix yra technologinių naujovių priešakyje, kuri prisideda prie žmonių civilizacijos per pasiekimus, įskaitant pirmąjį pasaulyje HBM produkto kūrimą“, – sakė Jonghoon Oh, SK Hynix vykdomasis viceprezidentas ir vyriausiasis rinkodaros pareigūnas (BRO). „Gaminant HBM2E visa apimtimi, mes ir toliau stiprinsime savo buvimą aukščiausios kokybės atminties rinkoje ir vadovausime ketvirtajai pramonės revoliucijai.
Šaltinis:
Šaltinis: 3dnews.ru