Franči prezentēja rītdienas septiņu līmeņu GAA tranzistoru
Jau sen nav bijis noslēpums, ka ar 3nm procesa tehnoloģiju tranzistori pārvietosies no vertikālajiem FinFET kanāliem uz horizontāliem nanolapu kanāliem, kurus pilnībā ieskauj vārti jeb GAA (gate-all-around). Šodien Francijas institūts CEA-Leti parādīja, kā FinFET tranzistoru ražošanas procesus var izmantot daudzlīmeņu GAA tranzistoru ražošanai. Un tehnisko procesu nepārtrauktības uzturēšana ir uzticams pamats ātrai transformācijai. VLSI tehnoloģiju un shēmu simpozijam […]