Atmiņas moduļi, kas veidoti uz Samsung B-die mikroshēmām, iespējams, ir viena no populārākajām iespējām entuziastu vidū. Taču Dienvidkorejas ražotājs tos uzskata par novecojušiem un šobrīd aptur to ražošanu, piedāvājot nomaiņus ar citām DDR4 atmiņas mikroshēmām, kuru ražošanā tiek izmantoti jaunāki tehniskie procesi. Tas nozīmē, ka Samsung nebuferētie DDR4 atmiņas moduļi, kuru pamatā ir B-die mikroshēmas, tagad ir sasnieguši sava dzīves cikla beigas un drīz beigsies noliktavā. Arī citi ražotāji, kas savos produktos izmanto Samsung B-die mikroshēmas, pārtrauks piegādāt līdzīgus moduļus.
Samsung B-die mikroshēmas un uz tām balstītie atmiņas moduļi ir ieguvuši plašu atzinību to daudzpusības un pārspīlēšanas potenciāla dēļ. Tie lieliski mērogojas pēc frekvences, labi reaģē uz barošanas sprieguma pieaugumu un ļauj darboties ar īpaši agresīvu laiku. Atsevišķa svarīga Samsung B-die mikroshēmu bāzes moduļu priekšrocība ir to nepretenciozitāte un plašā savietojamība ar dažādiem atmiņas kontrolieriem, par ko tos īpaši mīl uz Ryzen procesoriem balstītu sistēmu īpašnieki.
Tomēr B-die mikroshēmu ražošanai tiek izmantots diezgan vecs tehnoloģiskais process ar 20 nm standartiem, tāpēc Samsung vēlme atteikties no šādu pusvadītāju ierīču ražošanas par labu modernākām alternatīvām ir diezgan saprotama. Pirms neilga laika uzņēmums paziņoja par DDR4 SDRAM mikroshēmu ražošanas uzsākšanu, izmantojot 1z-nm tehnoloģiju (trešā paaudze), un mikroshēmas, kas ražotas, izmantojot 1y-nm tehnoloģiju (otrā paaudze), tiek ražotas jau vairāk nekā pusotru gadu. Tieši uz tiem ražotājs mudina pārslēgties. B-die mikroshēmām oficiāli tiek piešķirts EOL (End of Life) statuss - dzīves cikla beigas.
Leģendāro Samsung B-die mikroshēmu vietā tagad tiks izplatīti citi piedāvājumi. M-die mikroshēmas, kas radītas, izmantojot 1y nm procesa tehnoloģiju, ir sasniegušas masveida ražošanas stadiju. Kvalifikācijas ražošanas stadiju sasniegušas arī A-die mikroshēmas, kas ražotas, izmantojot vēl progresīvākas tehnoloģijas ar 1z nm standartiem. Tas nozīmē, ka atmiņa uz M-die mikroshēmām nonāks pārdošanā jau pavisam tuvā nākotnē, bet moduļi, kas veidoti uz A-die mikroshēmām, lietotājiem kļūs pieejami sešu mēnešu laikā.
Jaunu atmiņas mikroshēmu ar atjauninātiem kodoliem galvenā priekšrocība papildus mūsdienīgiem tehniskajiem procesiem un potenciāli augstākas frekvences potenciālam ir arī to palielinātā jauda. Tie ļauj ražot vienpusējos DDR4 atmiņas moduļus ar ietilpību 16 GB un divpusējus moduļus ar ietilpību 32 GB, kas iepriekš nebija iespējams.
Der atgādināt, ka šovasar varam sagaidīt būtiskas izmaiņas tirgū pieejamo DDR4 SDRAM atmiņas moduļu klāstā. Papildus jaunajām Samsung mikroshēmām atmiņas joslās jāizmanto arī Micron E-die mikroshēmas un SK Hynix C-die mikroshēmas. Visticamāk, ka visas šīs izmaiņas izraisīs ne tikai vidējā skaļuma, bet arī vidējo DDR4 SDRAM moduļu frekvences potenciāla pieaugumu.
Avots: 3dnews.ru