Viedtālruņi jau vairākus gadus apsteidz klēpjdatorus un galddatorus RAM apjoma ziņā. Samsung nolēma vēl vairāk palielināt šo plaisu. Nākotnes premium ierīcēm tas 16 GB LPDDR5 DRAM mikroshēmas.
Samsung jaunās rekordlielās atmiņas mikroshēmas ir veidotas no 12 sakrautiem kristāliem. Astoņos no tiem katra ietilpība ir 12 Gb, bet četri no tām ir katra 8 Gb. Kopumā iznāk viena atmiņas mikroshēma ar 16 GB ietilpību. Acīmredzot, ja visi kaudze būtu 12 Gb, tad Samsung ieviestu 18 Gb mikroshēmu, ko tas, iespējams, darīs pārskatāmā nākotnē.
Samsung mikroshēma ar 16 GB ietilpību ir izgatavota LPDDR5 standartā ar joslas platumu 5500 Mbps uz katras datu kopnes tapas. Tas ir aptuveni 1,3 reizes ātrāk nekā LPDDR4X mobilā atmiņa (4266 Mbps). Salīdzinot ar 8 GB LPDDR4X mikroshēmu (iepakots), jaunā 16 GB LPDDR5 mikroshēma nodrošina 20% enerģijas ietaupījumu, vienlaikus dubultojot jaudu un ātrumu.
Ņemiet vērā, ka 16 GB LPDDR5 mikroshēma ir samontēta no atmiņas mikroshēmām, kas ražotas, izmantojot otrās paaudzes 10 nm klases procesa tehnoloģiju. Šā gada otrajā pusē Samsung rūpnīcā Dienvidkorejā sola sākt 16 Gb LPDDR5 veidņu masveida ražošanu, izmantojot trešās paaudzes 10 nm klases procesu tehnoloģiju. Šīs mikroshēmas būs ne tikai ietilpīgākās, bet arī ātrākas ar caurlaidspēju 6400 Mbps uz kontaktu.
Mūsdienu premium viedtālruņi un tuvākās nākotnes viedtālruņi, Samsung ir pārliecināti, nevarēs iztikt bez iespaidīga apjoma RAM. Viedā fotografēšana ar dinamiskā diapazona paplašināšanu un citiem "mikroshēmām", mobilās spēles ar pārsteidzošu grafiku, virtuālā un paplašinātā realitāte - tas viss, ko pastiprina 5G tīkli ar palielinātu joslas platumu un, vēl svarīgāk, ar samazinātu latentumu, prasīs ātrāku viedtālruņu atmiņas pieaugumu. , nevis datori.
Avots: 3dnews.ru