Samsung ir izstrādājis 12 slāņu HBM3E atmiņu ar ieraksta ietilpību 36 GB uz vienu kaudzīti

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с. Источник изображения: Samsung Electronics
Avots: 3dnews.ru

Pievieno komentāru