TSMC kopā ar Taivānas Industriālo tehnoloģiju pētniecības institūta (ITRI) zinātniekiem prezentēja kopīgi izstrādātu SOT-MRAM atmiņu. Jaunā atmiņas ierīce ir paredzēta skaitļošanai atmiņā un izmantošanai kā augsta līmeņa kešatmiņa. Jaunā atmiņa ir ātrāka par DRAM un saglabā datus pat pēc strāvas izslēgšanas, un tā ir paredzēta STT-MRAM atmiņas aizstāšanai, patērējot 100 reizes mazāk enerģijas, kad tā darbojas. Eksperimentāla vafele ar SOT-MRAM mikroshēmām. Attēla avots: TSMC/ITRI
Avots: 3dnews.ru