Araka ny fantatsika, ny fifindrana mankany amin'ny teknolojian'ny 3 nm dia miaraka amin'ny fifindrana mankany amin'ny rafitra transistor vaovao. Amin'ny teny Samsung, ohatra, ireo dia ho transistor MBCFET (Multi Bridge Channel FET), izay ny fantsona transistor dia ho toy ny fantsona maromaro miorina eo amboniny amin'ny endrika nanopages, voahodidina vavahady amin'ny lafiny rehetra (raha mila fanazavana fanampiny). , jereo ).
Araka ny filazan'ny mpamorona avy ao amin'ny foibe Belzika Imec, ity dia rafitra transistor mandroso, saingy tsy tonga lafatra, mampiasa vavahady FinFET mitsangana. Tsara ho an'ny dingana ara-teknolojia misy mizana singa latsaky ny 3 nm , izay natolotry ny Belzika.
Imec dia namolavola transistor misy pejy misaraka na Forksheet. Ireo dia nanopages mitsangana mitovy amin'ny fantsona transistor, saingy misaraka amin'ny dielectric mitsangana. Amin'ny lafiny iray amin'ny dielectric, misy transistor iray misy fantsona n-namorona, amin'ny lafiny iray, misy fantsona p. Ary izy roa dia voahodidin'ny fanakatonana mahazatra amin'ny endriky ny taolan-tehezana mitsangana.
Ny fampihenana ny elanelana eo amin'ny tsipìka eo amin'ny transistor miaraka amin'ny conductivity samihafa dia fanamby lehibe iray hafa ho an'ny fanodinana bebe kokoa. Ny simulation TCAD dia nanamafy fa ny transistor mizara pejy dia hanome fihenam-bidy 20 isan-jato amin'ny faritra maty. Amin'ny ankapobeny, ny rafitra transistor vaovao dia hampihena ny haavon'ny sela lojika mahazatra ho 4,3. Ny sela dia ho lasa tsotra kokoa, izay mihatra amin'ny fanamboarana ny sela fahatsiarovana SRAM.
Ny fifindrana tsotra avy amin'ny transistor nanopage mankany amin'ny transistor nanopage mizara dia hanome fampiakarana 10% amin'ny fampisehoana raha mitazona ny fanjifana, na fihenam-bidy 24% amin'ny fanjifana tsy misy fampitomboana. Ny simulations ho an'ny dingana 2nm dia nampiseho fa ny sela SRAM mampiasa nanopages misaraka dia hanome fampihenana faritra mitambatra sy fanatsarana ny fampisehoana hatramin'ny 30% miaraka amin'ny elanelana p- sy n-junction hatramin'ny 8 nm.
Source: 3dnews.ru