Нова техника за напад на RowHammer на DRAM меморија

Google го претстави „Half-Double“, нова техника за напад на RowHammer која може да ја промени содржината на поединечни битови од меморијата за динамичен случаен пристап (DRAM). Нападот може да се репродуцира на некои модерни DRAM чипови, чии производители ја намалија геометријата на клетките.

Потсетете се дека нападите на класата RowHammer ви дозволуваат да ја искривувате содржината на поединечните мемориски битови со циклично читање податоци од соседните мемориски ќелии. Бидејќи DRAM меморијата е дводимензионална низа на ќелии, секоја се состои од кондензатор и транзистор, вршењето континуирано читање на истиот мемориски регион резултира со флуктуации на напонот и аномалии кои предизвикуваат мала загуба на полнење во соседните ќелии. Ако интензитетот на читање е доволно висок, тогаш соседната ќелија може да изгуби доволно голема количина на полнење и следниот циклус на регенерација нема да има време да ја врати првобитната состојба, што ќе доведе до промена на вредноста на податоците складирани во ќелија.

За да се заштитат од RowHammer, производителите на чипови имаат имплементирано механизам TRR (Освежување на целниот ред) кој штити од оштетување на ќелиите во соседните редови. Методот Half-Double ви овозможува да ја заобиколите оваа заштита со манипулирање дека изобличувањата не се ограничени на соседните линии и се шират на други линии на меморија, иако во помала мера. Инженерите на Google покажаа дека за последователни редови на меморија „A“, „B“ и „C“, можно е да се нападне редот „C“ со многу голем пристап до редот „A“ и мала активност што влијае на редот „B“. Пристапувањето до редот „Б“ за време на нападот го активира нелинеарното истекување на полнежот и дозволува редот „Б“ да се користи како транспорт за пренос на ефектот Роухамер од редот „А“ во „Ц“.

За разлика од нападот TRRespass, кој манипулира со недостатоци во различни имплементации на механизмот за спречување на корупцијата на клетките, нападот Half-Double се заснова на физичките својства на силициумската подлога. Half-Double покажува дека е веројатно дека ефектите што водат до Rowhammer се својство на растојанието, а не на директната близина на клетките. Како што се намалува геометријата на клетките кај модерните чипови, така се зголемува и радиусот на влијанието на изобличувањето. Можно е ефектот да се забележи на растојание од повеќе од две линии.

Забележано е дека, заедно со здружението JEDEC, се развиени неколку предлози кои ги анализираат можните начини за блокирање на таквите напади. Методот се открива затоа што Google верува дека истражувањето значително го проширува нашето разбирање за феноменот Rowhammer и ја нагласува важноста на истражувачите, производителите на чипови и другите засегнати страни да работат заедно за да развијат сеопфатно, долгорочно безбедносно решение.

Извор: opennet.ru