ബെൽജിയൻ ശാസ്ത്രജ്ഞരെ 3nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയിലേക്കും അതിനപ്പുറമുള്ളതിലേക്കും കടക്കാൻ സഹായിക്കുന്ന യുഎസ് ലേസർ

IEEE സ്പെക്‌ട്രം വെബ്‌സൈറ്റ് അനുസരിച്ച്, ഫെബ്രുവരി അവസാനം മുതൽ മാർച്ച് ആദ്യം വരെ, EUV റേഡിയേഷന്റെ സ്വാധീനത്തിൽ (അൾട്രാ-ഹാർഡിൽ) അർദ്ധചാലക ഫോട്ടോലിത്തോഗ്രാഫിയിലെ പ്രശ്നങ്ങൾ പഠിക്കാൻ അമേരിക്കൻ കമ്പനിയായ KMLabs-മായി ചേർന്ന് ബെൽജിയൻ കേന്ദ്രമായ Imec-ന്റെ അടിസ്ഥാനത്തിൽ ഒരു ലബോറട്ടറി സൃഷ്ടിച്ചു. അൾട്രാവയലറ്റ് ശ്രേണി). അത് തോന്നുന്നു, എന്താണ് പഠിക്കാൻ ഉള്ളത്? അല്ല, പഠനത്തിന് ഒരു വിഷയമുണ്ട്, എന്നാൽ ഇതിനായി ഒരു പുതിയ ലബോറട്ടറി സ്ഥാപിക്കുന്നത് എന്തുകൊണ്ട്? EUV റേഞ്ച് സ്കാനറുകളുടെ ഭാഗിക ഉപയോഗത്തോടെ സാംസങ് അര വർഷം മുമ്പ് 7nm ചിപ്പുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ തുടങ്ങി. TSMC ഉടൻ ചേരും. വർഷാവസാനത്തോടെ, ഇവ രണ്ടും 5 nm നിലവാരമുള്ള അപകടകരമായ ഉൽപ്പാദനം ആരംഭിക്കും. എന്നിട്ടും പ്രശ്നങ്ങളുണ്ട്, ലബോറട്ടറികളിൽ ചോദ്യങ്ങൾക്ക് ഉത്തരം തേടാൻ അവ ഗൗരവമുള്ളതാണ്, അല്ലാതെ ഉൽപാദനത്തിലല്ല.

EUV ലിത്തോഗ്രാഫിയിലെ പ്രധാന പ്രശ്നം ഫോട്ടോറെസിസ്റ്റിന്റെ ഗുണനിലവാരമാണ്. EUV റേഡിയേഷന്റെ ഉറവിടം പ്ലാസ്മയാണ്, ലേസർ അല്ല, പഴയ 193nm സ്കാനറുകളുടെ കാര്യത്തിലെന്നപോലെ. ലേസർ ഒരു വാതക മാധ്യമത്തിൽ ഒരു തുള്ളി ലെഡ് ബാഷ്പീകരിക്കുകയും തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന വികിരണം ഫോട്ടോണുകൾ പുറപ്പെടുവിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു, ഇതിന്റെ ഊർജ്ജം അൾട്രാവയലറ്റ് വികിരണമുള്ള സ്കാനറുകളിലെ ഫോട്ടോണുകളുടെ ഊർജ്ജത്തേക്കാൾ 14 മടങ്ങ് കൂടുതലാണ്. തൽഫലമായി, ഫോട്ടോണുകൾ ബോംബെറിയുന്ന സ്ഥലങ്ങളിൽ മാത്രമല്ല, ഫ്രാക്ഷണൽ നോയ്സ് ഇഫക്റ്റ് എന്ന് വിളിക്കപ്പെടുന്നതുൾപ്പെടെ ക്രമരഹിതമായ പിശകുകളും ഫോട്ടോറെസിസ്റ്റ് നശിപ്പിക്കപ്പെടുന്നു. ഫോട്ടോണുകളുടെ ഊർജ്ജം വളരെ കൂടുതലാണ്. EUV സ്കാനറുകൾ ഉപയോഗിച്ചുള്ള പരീക്ഷണങ്ങൾ കാണിക്കുന്നത്, ഇപ്പോഴും 7 nm നിലവാരത്തിൽ പ്രവർത്തിക്കാൻ കഴിവുള്ള ഫോട്ടോറെസിസ്റ്റുകൾ, 5 nm സർക്യൂട്ടുകളിൽ കെട്ടിച്ചമയ്ക്കുമ്പോൾ ഉയർന്ന തോതിലുള്ള നിരാകരണങ്ങൾ പ്രകടമാക്കുന്നു. പ്രശ്നം വളരെ ഗുരുതരമാണ്, 5nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ ആദ്യകാല വിജയകരമായ വിക്ഷേപണത്തിൽ പല വിദഗ്ധരും വിശ്വസിക്കുന്നില്ല, 3nm-ലേയ്ക്കും താഴെയുള്ള പരിവർത്തനത്തെക്കുറിച്ച് പരാമർശിക്കേണ്ടതില്ല.

Imec, KMLabs എന്നിവയുടെ സംയുക്ത ലബോറട്ടറിയിൽ ഒരു പുതിയ തലമുറ ഫോട്ടോറെസിസ്റ്റ് സൃഷ്ടിക്കുന്നതിനുള്ള പ്രശ്നം പരിഹരിക്കപ്പെടും. ഒരു ശാസ്ത്രീയ സമീപനത്തിന്റെ വീക്ഷണകോണിൽ നിന്ന് അവർ അത് പരിഹരിക്കും, അല്ലാതെ കഴിഞ്ഞ മുപ്പത് വർഷമായി ചെയ്തതുപോലെ റിയാക്ടറുകൾ തിരഞ്ഞെടുത്ത് അല്ല. ഇത് ചെയ്യുന്നതിന്, ഫോട്ടോറെസിസ്റ്റിലെ ഭൗതികവും രാസപരവുമായ പ്രക്രിയകളെക്കുറിച്ചുള്ള വിശദമായ പഠനത്തിനായി ശാസ്ത്രീയ പങ്കാളികൾ ഒരു ഉപകരണം സൃഷ്ടിക്കും. സാധാരണയായി, തന്മാത്രാ തലത്തിൽ പ്രക്രിയകൾ പഠിക്കാൻ സിൻക്രോട്രോണുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു, എന്നാൽ Imec ഉം KMLab ഉം ഇൻഫ്രാറെഡ് ലേസറുകൾ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള പ്രൊജക്ഷൻ, മെഷർമെന്റ് EUV ഉപകരണങ്ങൾ സൃഷ്ടിക്കാൻ പോകുന്നു. KMLabs ലേസർ സിസ്റ്റങ്ങളിൽ ഒരു സ്പെഷ്യലിസ്റ്റ് മാത്രമാണ്.

 

കെഎംലാബ്സ് ലേസർ സൗകര്യത്തെ അടിസ്ഥാനമാക്കി, ഉയർന്ന ഹാർമോണിക്സ് സൃഷ്ടിക്കുന്നതിനുള്ള ഒരു പ്ലാറ്റ്ഫോം സൃഷ്ടിക്കും. സാധാരണയായി, ഇതിനായി, ഉയർന്ന തീവ്രതയുള്ള ലേസർ പൾസ് ഒരു വാതക മാധ്യമത്തിലേക്ക് നയിക്കപ്പെടുന്നു, അതിൽ ഡയറക്റ്റ് പൾസിന്റെ ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി ഹാർമോണിക്സ് സംഭവിക്കുന്നു. അത്തരമൊരു പരിവർത്തനത്തിലൂടെ, ഗണ്യമായ വൈദ്യുതി നഷ്ടം സംഭവിക്കുന്നു, അതിനാൽ EUV വികിരണം സൃഷ്ടിക്കുന്നതിനുള്ള സമാനമായ തത്വം അർദ്ധചാലക ലിത്തോഗ്രാഫിക്ക് നേരിട്ട് ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയില്ല. എന്നാൽ പരീക്ഷണങ്ങൾക്ക് ഇത് മതിയാകും. ഏറ്റവും പ്രധാനമായി, തത്ഫലമായുണ്ടാകുന്ന വികിരണം പിക്കോസെക്കൻഡ് (10-12) മുതൽ അറ്റോസെക്കൻഡ് (10-18) വരെയുള്ള പൾസ് ദൈർഘ്യം വഴിയും 6,5 nm മുതൽ 47 nm വരെയുള്ള തരംഗദൈർഘ്യം വഴിയും നിയന്ത്രിക്കാനാകും. ഒരു അളക്കുന്ന ഉപകരണത്തിന്, ഇവ വിലപ്പെട്ട ഗുണങ്ങളാണ്. ഫോട്ടോറെസിസ്റ്റിലെ അൾട്രാഫാസ്റ്റ് തന്മാത്രാ മാറ്റങ്ങളുടെ പ്രക്രിയകൾ, അയോണൈസേഷൻ പ്രക്രിയകൾ, ഉയർന്ന ഊർജ്ജ ഫോട്ടോണുകളുടെ എക്സ്പോഷർ എന്നിവ പഠിക്കാൻ അവ സഹായിക്കും. ഇത് കൂടാതെ, 3-ൽ താഴെയും 5 nm-ൽ താഴെയും നിലവാരമുള്ള വ്യാവസായിക ഫോട്ടോലിത്തോഗ്രാഫി ചോദ്യം ചെയ്യപ്പെടും.

അവലംബം: 3dnews.ru