Xtacking സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ രണ്ടാം പതിപ്പ് ചൈനീസ് 3D NAND-നായി തയ്യാറാക്കിയിട്ടുണ്ട്

എങ്ങനെ റിപ്പോർട്ട് മൾട്ടി-ലെയർ 3D NAND ഫ്ലാഷ് മെമ്മറിയുടെ ഉത്പാദനം ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്യുന്നതിനായി ചൈനീസ് വാർത്താ ഏജൻസികളായ യാങ്‌സി മെമ്മറി ടെക്‌നോളജീസ് (YMTC) അതിന്റെ ഉടമസ്ഥതയിലുള്ള Xtacking സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ രണ്ടാം പതിപ്പ് തയ്യാറാക്കിയിട്ടുണ്ട്. കഴിഞ്ഞ വർഷം ഓഗസ്റ്റിൽ നടന്ന വാർഷിക ഫ്ലാഷ് മെമ്മറി ഉച്ചകോടി ഫോറത്തിൽ Xtacking സാങ്കേതികവിദ്യ അവതരിപ്പിക്കുകയും "ഫ്ലാഷ് മെമ്മറി മേഖലയിലെ ഏറ്റവും നൂതനമായ സ്റ്റാർട്ടപ്പ്" എന്ന വിഭാഗത്തിൽ ഒരു അവാർഡ് ലഭിക്കുകയും ചെയ്തു.

തീർച്ചയായും, മൾട്ടി-ബില്യൺ ഡോളർ ബജറ്റുള്ള ഒരു എന്റർപ്രൈസിനെ സ്റ്റാർട്ടപ്പ് എന്ന് വിളിക്കുന്നത് കമ്പനിയെ വ്യക്തമായി കുറച്ചുകാണുന്നു, പക്ഷേ, സത്യസന്ധമായി പറയട്ടെ, YMTC ഇതുവരെ വൻതോതിൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ നിർമ്മിക്കുന്നില്ല. 3-Gbit 128-ലെയർ മെമ്മറിയുടെ ഉത്പാദനം സമാരംഭിക്കുമ്പോൾ, ഈ വർഷം അവസാനത്തോടെ കമ്പനി 64D NAND-ന്റെ വൻതോതിലുള്ള വാണിജ്യ വിതരണത്തിലേക്ക് നീങ്ങും, അതേ നൂതനമായ Xtacking സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ പിന്തുണയും ലഭിക്കും.

സമീപകാല റിപ്പോർട്ടുകളിൽ നിന്ന് ഇനിപ്പറയുന്നത് പോലെ, അടുത്തിടെ GSA മെമ്മറി + ഫോറത്തിൽ, Xtacking 2.0 സാങ്കേതികവിദ്യ ഓഗസ്റ്റിൽ അവതരിപ്പിക്കുമെന്ന് Yangtze Memory CTO ടാങ് ജിയാങ് സമ്മതിച്ചു. നിർഭാഗ്യവശാൽ, കമ്പനിയുടെ സാങ്കേതിക മേധാവി പുതിയ വികസനത്തിന്റെ വിശദാംശങ്ങൾ പങ്കിട്ടില്ല, അതിനാൽ ഞങ്ങൾ ഓഗസ്റ്റ് വരെ കാത്തിരിക്കണം. മുൻകാല പ്രാക്ടീസ് കാണിക്കുന്നതുപോലെ, കമ്പനി അവസാനം വരെ ഒരു രഹസ്യം സൂക്ഷിക്കുന്നു, ഫ്ലാഷ് മെമ്മറി ഉച്ചകോടി 2019 ആരംഭിക്കുന്നതിന് മുമ്പ്, Xtacking 2.0 നെ കുറിച്ച് രസകരമായ ഒന്നും പഠിക്കാൻ ഞങ്ങൾ സാധ്യതയില്ല.

Xtacking സാങ്കേതികവിദ്യയെ സംബന്ധിച്ചിടത്തോളം, അതിന്റെ ലക്ഷ്യം മൂന്ന് പോയിന്റുകളായിരുന്നു: റെൻഡർ ചെയ്യുക 3D NAND-ന്റെയും അതിനെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെയും നിർമ്മാണത്തിൽ നിർണ്ണായക സ്വാധീനം. ഫ്ലാഷ് മെമ്മറി ചിപ്പുകളുടെ ഇന്റർഫേസിന്റെ വേഗത, റെക്കോർഡിംഗ് സാന്ദ്രതയിലെ വർദ്ധനവ്, പുതിയ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ വിപണിയിൽ കൊണ്ടുവരുന്നതിനുള്ള വേഗത എന്നിവയാണ് ഇവ. 3D NAND ചിപ്പുകളിലെ മെമ്മറി അറേ ഉപയോഗിച്ച് എക്സ്ചേഞ്ച് നിരക്ക് 1–1,4 Gbit/s (ONFi 4.1, ToggleDDR ഇന്റർഫേസുകൾ) മുതൽ 3 Gbit/s വരെ വർദ്ധിപ്പിക്കാൻ Xtacking സാങ്കേതികവിദ്യ നിങ്ങളെ അനുവദിക്കുന്നു. ചിപ്പുകളുടെ ശേഷി വർദ്ധിക്കുന്നതിനനുസരിച്ച്, എക്സ്ചേഞ്ച് വേഗതയുടെ ആവശ്യകതകൾ വർദ്ധിക്കും, ഈ മേഖലയിൽ ഒരു മുന്നേറ്റം ഉണ്ടാക്കാൻ ചൈനക്കാർ പ്രതീക്ഷിക്കുന്നു.

റെക്കോർഡിംഗ് സാന്ദ്രത വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിന് മറ്റൊരു തടസ്സമുണ്ട് - മെമ്മറി അറേ മാത്രമല്ല, പെരിഫറൽ കൺട്രോൾ, പവർ സർക്യൂട്ടുകൾ എന്നിവയുടെ 3D NAND ചിപ്പിലെ സാന്നിധ്യം. ഈ സർക്യൂട്ടുകൾ മെമ്മറി അറേകളിൽ നിന്ന് ഉപയോഗയോഗ്യമായ സ്ഥലത്തിന്റെ 20% മുതൽ 30% വരെ എടുക്കുന്നു, കൂടാതെ ചിപ്പ് ഉപരിതലത്തിന്റെ 128% 50-Gbit ചിപ്പുകളിൽ നിന്ന് എടുക്കും. Xtacking സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ കാര്യത്തിൽ, മെമ്മറി അറേ അതിന്റെ സ്വന്തം ചിപ്പിലും കൺട്രോൾ സർക്യൂട്ടുകൾ മറ്റൊന്നിലും നിർമ്മിക്കുന്നു. ക്രിസ്റ്റൽ പൂർണ്ണമായും മെമ്മറി സെല്ലുകൾക്കായി നീക്കിവച്ചിരിക്കുന്നു, കൂടാതെ ചിപ്പ് അസംബ്ലിയുടെ അവസാന ഘട്ടത്തിലെ കൺട്രോൾ സർക്യൂട്ടുകൾ മെമ്മറി ഉപയോഗിച്ച് ക്രിസ്റ്റലുമായി ഘടിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു.

വെവ്വേറെ നിർമ്മാണവും തുടർന്നുള്ള അസംബ്ലിയും ഇഷ്‌ടാനുസൃത മെമ്മറി ചിപ്പുകളുടെയും ഇഷ്ടിക ഉൽപന്നങ്ങളുടെയും വേഗത്തിലുള്ള വികസനം അനുവദിക്കുന്നു. 3 മുതൽ 12 മാസം വരെയുള്ള മൊത്തം വികസന സമയത്തിൽ കുറഞ്ഞത് 18 മാസമെങ്കിലും ഇഷ്‌ടാനുസൃത മെമ്മറി ചിപ്പുകളുടെ വികസനം കുറയ്ക്കാൻ ഈ സമീപനം ഞങ്ങളെ അനുവദിക്കുന്നു. ഉയർന്ന വഴക്കം അർത്ഥമാക്കുന്നത് ഉയർന്ന ഉപഭോക്തൃ താൽപ്പര്യമാണ്, ഇത് യുവ ചൈനീസ് നിർമ്മാതാവിന് വായു പോലെ ആവശ്യമാണ്.

അവലംബം: 3dnews.ru