ഫ്രഞ്ചുകാർ നാളത്തെ ഏഴ് ലെവൽ GAA ട്രാൻസിസ്റ്റർ അവതരിപ്പിച്ചു

ദീർഘനാളായി ഒരു രഹസ്യമല്ല, 3nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയിൽ നിന്ന്, ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ലംബമായ "ഫിൻ" FinFET ചാനലുകളിൽ നിന്ന് പൂർണ്ണമായും ഗേറ്റുകളാൽ ചുറ്റപ്പെട്ട അല്ലെങ്കിൽ GAA (ഗേറ്റ്-എല്ലായിടത്തും) തിരശ്ചീനമായ നാനോപേജ് ചാനലുകളിലേക്ക് നീങ്ങും. ഇന്ന്, ഫ്രഞ്ച് ഇൻസ്റ്റിറ്റ്യൂട്ട് CEA-Leti, മൾട്ടി ലെവൽ GAA ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ FinFET ട്രാൻസിസ്റ്റർ നിർമ്മാണ പ്രക്രിയകൾ എങ്ങനെ ഉപയോഗിക്കാമെന്ന് കാണിച്ചുതന്നു. സാങ്കേതിക പ്രക്രിയകളുടെ തുടർച്ച നിലനിർത്തുന്നത് ദ്രുതഗതിയിലുള്ള പരിവർത്തനത്തിനുള്ള വിശ്വസനീയമായ അടിത്തറയാണ്.

VLSI ടെക്നോളജി & സർക്യൂട്ടുകൾ 2020 സിമ്പോസിയത്തിനായുള്ള CEA-Leti സ്പെഷ്യലിസ്റ്റുകൾ ഒരു റിപ്പോർട്ട് തയ്യാറാക്കി ഏഴ്-ലെവൽ GAA ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ നിർമ്മാണത്തെക്കുറിച്ച് (കൊറോണ വൈറസ് പാൻഡെമിക്കിന് പ്രത്യേക നന്ദി, അവതരണങ്ങളുടെ രേഖകൾ പെട്ടെന്ന് പ്രത്യക്ഷപ്പെടാൻ തുടങ്ങിയതിന് നന്ദി, കോൺഫറൻസുകൾക്ക് മാസങ്ങൾക്ക് ശേഷമല്ല). ആർ‌എം‌ജി പ്രോസസ്സ് (മെറ്റൽ ഗേറ്റ് മാറ്റിസ്ഥാപിക്കൽ അല്ലെങ്കിൽ റഷ്യൻ ഭാഷയിൽ മാറ്റിസ്ഥാപിക്കൽ (താൽക്കാലിക) മെറ്റൽ) എന്ന് വിളിക്കപ്പെടുന്ന സാങ്കേതികവിദ്യ ഉപയോഗിച്ച് നാനോപേജുകളുടെ മുഴുവൻ “സ്റ്റാക്ക്” രൂപത്തിൽ ചാനലുകളുള്ള GAA ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയുമെന്ന് ഫ്രഞ്ച് ഗവേഷകർ തെളിയിച്ചിട്ടുണ്ട്. ഗേറ്റ്). ഒരു സമയത്ത്, ഫിൻഫെറ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ നിർമ്മാണത്തിനായി ആർഎംജി സാങ്കേതിക പ്രക്രിയ സ്വീകരിച്ചു, നമ്മൾ കാണുന്നതുപോലെ, നാനോപേജ് ചാനലുകളുടെ മൾട്ടി-ലെവൽ ക്രമീകരണം ഉപയോഗിച്ച് ജിഎഎ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ നിർമ്മാണത്തിലേക്ക് വ്യാപിപ്പിക്കാം.

സാംസങ്, നമുക്കറിയാവുന്നിടത്തോളം, 3-nm ചിപ്പുകളുടെ ഉത്പാദനം ആരംഭിക്കുന്നതോടെ, രണ്ട് ലെവൽ GAA ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ പദ്ധതിയിടുന്നു, രണ്ട് ഫ്ലാറ്റ് ചാനലുകൾ (നാനോപേജുകൾ) ഒന്നിനുപുറകെ ഒന്നായി സ്ഥിതിചെയ്യുന്നു, എല്ലാ വശങ്ങളിലും ഒരു ഗേറ്റിനാൽ ചുറ്റപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു. ഏഴ് നാനോപേജ് ചാനലുകൾ ഉപയോഗിച്ച് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയുമെന്ന് CEA-Leti സ്പെഷ്യലിസ്റ്റുകൾ കാണിച്ചുതന്നിട്ടുണ്ട്, അതേ സമയം ചാനലുകൾ ആവശ്യമായ വീതിയിലേക്ക് സജ്ജമാക്കുക. ഉദാഹരണത്തിന്, ഏഴ് ചാനലുകളുള്ള ഒരു പരീക്ഷണാത്മക GAA ട്രാൻസിസ്റ്റർ 15 nm മുതൽ 85 nm വരെ വീതിയുള്ള പതിപ്പുകളിൽ പുറത്തിറക്കി. ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾക്ക് കൃത്യമായ സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ സജ്ജമാക്കാനും അവയുടെ ആവർത്തനക്ഷമത ഉറപ്പുനൽകാനും ഇത് നിങ്ങളെ അനുവദിക്കുന്നുവെന്ന് വ്യക്തമാണ് (പാരാമീറ്ററുകളുടെ വ്യാപനം കുറയ്ക്കുക).

ഫ്രഞ്ചുകാർ പറയുന്നതനുസരിച്ച്, GAA ട്രാൻസിസ്റ്ററിൽ കൂടുതൽ ചാനൽ ലെവലുകൾ, മൊത്തം ചാനലിന്റെ ഫലപ്രദമായ വീതിയും, അതിനാൽ, ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ മികച്ച നിയന്ത്രണക്ഷമതയും വർദ്ധിക്കും. കൂടാതെ, ഒരു മൾട്ടി ലെയർ ഘടനയിൽ ചോർച്ച കറന്റ് കുറവാണ്. ഉദാഹരണത്തിന്, ഏഴ്-ലെവൽ GAA ട്രാൻസിസ്റ്ററിന് രണ്ട്-ലെവൽ ഒന്നിനെ അപേക്ഷിച്ച് മൂന്ന് മടങ്ങ് കുറവ് ലീക്കേജ് കറന്റ് ഉണ്ട് (താരതമ്യേന, ഒരു Samsung GAA പോലെ). ശരി, വ്യവസായം ഒടുവിൽ ഒരു വഴി കണ്ടെത്തി, ഒരു ചിപ്പിലെ മൂലകങ്ങളുടെ തിരശ്ചീന പ്ലെയ്‌സ്‌മെന്റിൽ നിന്ന് ലംബമായി നീങ്ങുന്നു. കൂടുതൽ വേഗമേറിയതും കൂടുതൽ ശക്തവും ഊർജ്ജക്ഷമതയുള്ളതുമാകാൻ മൈക്രോ സർക്യൂട്ടുകൾക്ക് ക്രിസ്റ്റലുകളുടെ വിസ്തീർണ്ണം വർദ്ധിപ്പിക്കേണ്ടതില്ലെന്ന് തോന്നുന്നു.

അവലംബം: 3dnews.ru