സാംസങ്ങിൽ, ഓരോ നാനോമീറ്ററും കണക്കാക്കുന്നു: 7 nm ന് ശേഷം 6-, 5-, 4-, 3-nm സാങ്കേതിക പ്രക്രിയകൾ ഉണ്ടാകും

ഇന്ന് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് റിപ്പോർട്ടുചെയ്‌തു അർദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ഉത്പാദനത്തിനുള്ള സാങ്കേതിക പ്രക്രിയകൾ വികസിപ്പിക്കുന്നതിനുള്ള പദ്ധതികളെക്കുറിച്ച്. പേറ്റന്റ് നേടിയ MBCFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള പരീക്ഷണാത്മക 3-nm ചിപ്പുകളുടെ ഡിജിറ്റൽ പ്രോജക്ടുകൾ സൃഷ്ടിക്കുന്നതാണ് നിലവിലെ പ്രധാന നേട്ടമായി കമ്പനി കണക്കാക്കുന്നത്. ലംബമായ FET ഗേറ്റുകളിൽ (മൾട്ടി-ബ്രിഡ്ജ്-ചാനൽ FET) ഒന്നിലധികം തിരശ്ചീന നാനോപേജ് ചാനലുകളുള്ള ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളാണിവ.

ഐബിഎമ്മുമായുള്ള സഖ്യത്തിന്റെ ഭാഗമായി, സാംസങ് ഗേറ്റുകളാൽ ചുറ്റപ്പെട്ട (GAA അല്ലെങ്കിൽ ഗേറ്റ്-ഓൾ-എറൗണ്ട്) ചാനലുകളുള്ള ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ നിർമ്മിക്കുന്നതിന് അല്പം വ്യത്യസ്തമായ സാങ്കേതികവിദ്യ വികസിപ്പിച്ചെടുത്തു. ചാനലുകൾ നാനോവയറുകളുടെ രൂപത്തിൽ കനംകുറഞ്ഞതാക്കേണ്ടതായിരുന്നു. തുടർന്ന്, സാംസങ് ഈ സ്കീമിൽ നിന്ന് മാറി, നാനോപേജുകളുടെ രൂപത്തിൽ ചാനലുകളുള്ള ഒരു ട്രാൻസിസ്റ്റർ ഘടനയ്ക്ക് പേറ്റന്റ് നൽകി. പേജുകളുടെ എണ്ണം (ചാനലുകൾ) കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നതിലൂടെയും പേജുകളുടെ വീതി ക്രമീകരിക്കുന്നതിലൂടെയും ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ സവിശേഷതകൾ നിയന്ത്രിക്കാൻ ഈ ഘടന നിങ്ങളെ അനുവദിക്കുന്നു. ക്ലാസിക്കൽ FET സാങ്കേതികവിദ്യയ്ക്ക്, അത്തരമൊരു കുതന്ത്രം അസാധ്യമാണ്. ഒരു FinFET ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ ശക്തി വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നതിന്, അടിവസ്ത്രത്തിൽ FET ഫിനുകളുടെ എണ്ണം വർദ്ധിപ്പിക്കേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്, ഇതിന് പ്രദേശം ആവശ്യമാണ്. MBCFET ട്രാൻസിസ്റ്ററിന്റെ സവിശേഷതകൾ ഒരു ഫിസിക്കൽ ഗേറ്റിനുള്ളിൽ മാറ്റാൻ കഴിയും, ഇതിനായി നിങ്ങൾ ചാനലുകളുടെ വീതിയും അവയുടെ നമ്പറും സജ്ജമാക്കേണ്ടതുണ്ട്.

GAA പ്രോസസ്സ് ഉപയോഗിച്ച് ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്നതിനുള്ള ഒരു പ്രോട്ടോടൈപ്പ് ചിപ്പിന്റെ ഡിജിറ്റൽ ഡിസൈൻ (ടേപ്പ് ഔട്ട്) ലഭ്യത, MBCFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ കഴിവുകളുടെ പരിധി നിർണ്ണയിക്കാൻ സാംസങ്ങിനെ അനുവദിച്ചു. ഇത് ഇപ്പോഴും കമ്പ്യൂട്ടർ മോഡലിംഗ് ഡാറ്റയാണെന്നും പുതിയ സാങ്കേതിക പ്രക്രിയയെ വൻതോതിൽ ഉൽപ്പാദിപ്പിച്ചതിനുശേഷം മാത്രമേ അന്തിമമായി വിലയിരുത്താൻ കഴിയൂവെന്നും ഓർമ്മിക്കേണ്ടതാണ്. എന്നിരുന്നാലും, ഒരു ആരംഭ പോയിന്റുണ്ട്. 7nm പ്രക്രിയയിൽ നിന്ന് (വ്യക്തമായും ആദ്യ തലമുറ) GAA പ്രക്രിയയിലേക്കുള്ള മാറ്റം ഡൈ ഏരിയയിൽ 45% കുറവും ഉപഭോഗത്തിൽ 50% കുറവും നൽകുമെന്ന് കമ്പനി പറഞ്ഞു. നിങ്ങൾ ഉപഭോഗത്തിൽ ലാഭിക്കുന്നില്ലെങ്കിൽ, ഉൽപ്പാദനക്ഷമത 35% വർദ്ധിപ്പിക്കാം. മുമ്പ്, 3nm പ്രക്രിയയിലേക്ക് നീങ്ങുമ്പോൾ സാംസങ് സമ്പാദ്യവും ഉൽപ്പാദനക്ഷമതയും കണ്ടു പട്ടികപ്പെടുത്തിയിരിക്കുന്നു കോമകളാൽ വേർതിരിച്ചിരിക്കുന്നു. അത് ഒന്നോ രണ്ടോ ആണെന്ന് തെളിഞ്ഞു.

സ്വതന്ത്ര ചിപ്പ് ഡെവലപ്പർമാർക്കും ഫാബ്ലെസ് കമ്പനികൾക്കുമായി ഒരു പൊതു ക്ലൗഡ് പ്ലാറ്റ്ഫോം തയ്യാറാക്കുന്നത് 3nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യ ജനപ്രിയമാക്കുന്നതിനുള്ള ഒരു പ്രധാന പോയിന്റായി കമ്പനി കണക്കാക്കുന്നു. പ്രൊഡക്ഷൻ സെർവറുകളിലെ വികസന പരിസ്ഥിതി, പ്രോജക്റ്റ് പരിശോധന, ലൈബ്രറികൾ എന്നിവ സാംസങ് മറച്ചുവെച്ചില്ല. ലോകമെമ്പാടുമുള്ള ഡിസൈനർമാർക്ക് സേഫ് (സാംസങ് അഡ്വാൻസ്ഡ് ഫൗണ്ടറി ഇക്കോസിസ്റ്റം ക്ലൗഡ്) പ്ലാറ്റ്ഫോം ലഭ്യമാകും. ആമസോൺ വെബ് സേവനങ്ങളും (AWS), മൈക്രോസോഫ്റ്റ് അസ്യൂറും പോലുള്ള പ്രധാന പൊതു ക്ലൗഡ് സേവനങ്ങളുടെ പങ്കാളിത്തത്തോടെയാണ് SAFE ക്ലൗഡ് പ്ലാറ്റ്ഫോം സൃഷ്ടിച്ചത്. Cadence, Synopsys എന്നിവയിൽ നിന്നുള്ള ഡിസൈൻ സിസ്റ്റങ്ങളുടെ ഡെവലപ്പർമാർ അവരുടെ ഡിസൈൻ ടൂളുകൾ സുരക്ഷിതമായി നൽകി. സാംസങ് പ്രക്രിയകൾക്കായി പുതിയ പരിഹാരങ്ങൾ സൃഷ്ടിക്കുന്നത് എളുപ്പവും വിലകുറഞ്ഞതുമാക്കുമെന്ന് ഇത് വാഗ്ദാനം ചെയ്യുന്നു.

സാംസങ്ങിന്റെ 3nm പ്രോസസ്സ് ടെക്നോളജിയിലേക്ക് മടങ്ങുമ്പോൾ, കമ്പനി അതിന്റെ ചിപ്പ് വികസന പാക്കേജിന്റെ ആദ്യ പതിപ്പ് അവതരിപ്പിച്ചു - 3nm GAE PDK പതിപ്പ് 0.1. അതിന്റെ സഹായത്തോടെ, നിങ്ങൾക്ക് ഇന്ന് 3nm സൊല്യൂഷനുകൾ രൂപകൽപന ചെയ്യാൻ ആരംഭിക്കാം, അല്ലെങ്കിൽ ഈ സാംസങ് പ്രക്രിയ വ്യാപകമാകുമ്പോൾ നേരിടാൻ തയ്യാറെടുക്കുക.

സാംസങ് അതിന്റെ ഭാവി പദ്ധതികൾ ഇനിപ്പറയുന്ന രീതിയിൽ പ്രഖ്യാപിക്കുന്നു. ഈ വർഷത്തിന്റെ രണ്ടാം പകുതിയിൽ, 6nm പ്രോസസ്സ് ഉപയോഗിച്ച് ചിപ്പുകളുടെ വൻതോതിലുള്ള ഉത്പാദനം ആരംഭിക്കും. അതേ സമയം, 4nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ വികസനം പൂർത്തിയാകും. 5nm പ്രോസസ്സ് ഉപയോഗിക്കുന്ന ആദ്യത്തെ സാംസങ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ വികസനം ഈ വീഴ്ചയിൽ പൂർത്തിയാകും, അടുത്ത വർഷം ആദ്യ പകുതിയിൽ ഉത്പാദനം ആരംഭിക്കും. കൂടാതെ, ഈ വർഷം അവസാനത്തോടെ, 18FDS പ്രോസസ് ടെക്നോളജി (FD-SOI വേഫറുകളിൽ 18 nm), 1-Gbit eMRAM ചിപ്പുകൾ എന്നിവയുടെ വികസനം സാംസങ് പൂർത്തിയാക്കും. 7 nm മുതൽ 3 nm വരെയുള്ള പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യകൾ വർദ്ധിച്ചുവരുന്ന തീവ്രതയോടെ EUV സ്കാനറുകൾ ഉപയോഗിക്കും, ഇത് ഓരോ നാനോമീറ്ററും എണ്ണുന്നു. ഇനിയുള്ള യാത്രയിൽ ഓരോ ചുവടും പോരാട്ടത്തോടെയായിരിക്കും.

അവലംബം: 3dnews.ru