MIPT-ൽ നിന്നുള്ള ശാസ്ത്രജ്ഞർ ഒരു പുതിയ "ഫ്ലാഷ് ഡ്രൈവിന്റെ" ആവിർഭാവത്തിലേക്കുള്ള ഒരു ചുവടുവെപ്പ് നടത്തി.

ഡിജിറ്റൽ ഡാറ്റയുടെ അസ്ഥിരമല്ലാത്ത സംഭരണത്തിനായി ഉപകരണങ്ങളുടെ സൃഷ്ടിയും വികസനവും നിരവധി പതിറ്റാണ്ടുകളായി നടക്കുന്നു. NAND മെമ്മറി 20 വർഷങ്ങൾക്ക് മുമ്പ് ഒരു യഥാർത്ഥ വഴിത്തിരിവ് ഉണ്ടാക്കി, എന്നിരുന്നാലും അതിന്റെ വികസനം 20 വർഷം മുമ്പാണ് ആരംഭിച്ചത്. ഇന്ന്, വലിയ തോതിലുള്ള ഗവേഷണം ആരംഭിച്ച് ഏകദേശം അരനൂറ്റാണ്ട് കഴിഞ്ഞ്, ഉൽപ്പാദനം ആരംഭിച്ച് NAND മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനുള്ള നിരന്തരമായ ശ്രമങ്ങൾ, ഇത്തരത്തിലുള്ള മെമ്മറി അതിന്റെ വികസന സാധ്യതകൾ തളർത്തുന്നതിന് അടുത്താണ്. മെച്ചപ്പെട്ട ഊർജ്ജവും വേഗതയും മറ്റ് സവിശേഷതകളും ഉള്ള മറ്റൊരു മെമ്മറി സെല്ലിലേക്കുള്ള പരിവർത്തനത്തിന് അടിത്തറയിടേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്. ദീർഘകാലാടിസ്ഥാനത്തിൽ, അത്തരമൊരു മെമ്മറി ഒരു പുതിയ തരം ഫെറോഇലക്ട്രിക് മെമ്മറി ആയിരിക്കാം.

ഫെറോഇലക്‌ട്രിക്‌സ് (ഫെറോഇലക്‌ട്രിക്‌സ് എന്ന പദം വിദേശ സാഹിത്യത്തിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു) വൈദ്യുത മണ്ഡലത്തിന്റെ ഓർമ്മയുള്ള അല്ലെങ്കിൽ മറ്റൊരു വിധത്തിൽ പറഞ്ഞാൽ, ചാർജുകളുടെ ശേഷിക്കുന്ന ധ്രുവീകരണത്തിന്റെ സവിശേഷതയുള്ള വൈദ്യുതചാലകങ്ങളാണ്. ഫെറോ ഇലക്ട്രിക് മെമ്മറി പുതിയ കാര്യമല്ല. ഫെറോഇലക്‌ട്രിക് സെല്ലുകളെ നാനോ സ്‌കെയിൽ നിലവാരത്തിലേക്ക് താഴ്ത്തുക എന്നതായിരുന്നു വെല്ലുവിളി.

മൂന്ന് വർഷം മുമ്പ്, എംഐപിടിയിലെ ശാസ്ത്രജ്ഞർ അവതരിപ്പിച്ചു ഹാഫ്നിയം ഓക്സൈഡ് (HfO2) അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള ഫെറോഇലക്ട്രിക് മെമ്മറിയ്ക്കായി നേർത്ത-ഫിലിം മെറ്റീരിയൽ നിർമ്മിക്കുന്നതിനുള്ള സാങ്കേതികവിദ്യ. ഇതും അദ്വിതീയ മെറ്റീരിയലല്ല. പ്രോസസറുകളിലും മറ്റ് ഡിജിറ്റൽ ലോജിക്കുകളിലും മെറ്റൽ ഗേറ്റുകളുള്ള ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ നിർമ്മിക്കാൻ ഈ ഡൈഇലക്ട്രിക് തുടർച്ചയായി അഞ്ച് വർഷമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. MIPT-ൽ നിർദ്ദേശിച്ച 2,5 nm കട്ടിയുള്ള ഹാഫ്നിയം, സിർക്കോണിയം ഓക്സൈഡുകൾ എന്നിവയുടെ അലോയ് പോളിക്രിസ്റ്റലിൻ ഫിലിമുകളെ അടിസ്ഥാനമാക്കി, ഫെറോ ഇലക്ട്രിക് പ്രോപ്പർട്ടികൾ ഉപയോഗിച്ച് സംക്രമണങ്ങൾ സൃഷ്ടിക്കാൻ സാധിച്ചു.

ഫെറോഇലക്ട്രിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ (എംഐപിടിയിൽ വിളിക്കപ്പെടാൻ തുടങ്ങിയത്) മെമ്മറി സെല്ലുകളായി ഉപയോഗിക്കുന്നതിന്, സാധ്യമായ ഏറ്റവും ഉയർന്ന ധ്രുവീകരണം നേടേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്, ഇതിന് നാനോലെയറിലെ ഭൗതിക പ്രക്രിയകളെക്കുറിച്ച് വിശദമായ പഠനം ആവശ്യമാണ്. പ്രത്യേകിച്ചും, വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിക്കുമ്പോൾ ലെയറിനുള്ളിലെ വൈദ്യുത സാധ്യതയുടെ വിതരണത്തെക്കുറിച്ച് ഒരു ആശയം നേടുക. അടുത്ത കാലം വരെ, ശാസ്ത്രജ്ഞർക്ക് പ്രതിഭാസത്തെ വിവരിക്കാൻ ഒരു ഗണിതശാസ്ത്ര ഉപകരണത്തെ മാത്രമേ ആശ്രയിക്കാൻ കഴിയൂ, ഇപ്പോൾ മാത്രമാണ് ഒരു സാങ്കേതികത നടപ്പിലാക്കിയത്, പ്രതിഭാസത്തിന്റെ പ്രക്രിയയിൽ മെറ്റീരിയലിന്റെ ഉള്ളിലേക്ക് നോക്കുന്നത് അക്ഷരാർത്ഥത്തിൽ സാധ്യമാണ്.

ഹൈ-എനർജി എക്സ്-റേ ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രോൺ സ്പെക്ട്രോസ്കോപ്പി അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള നിർദ്ദിഷ്ട സാങ്കേതികത ഒരു പ്രത്യേക ഇൻസ്റ്റാളേഷനിൽ (സിൻക്രോട്രോൺ ആക്സിലറേറ്ററുകൾ) മാത്രമേ നടപ്പിലാക്കാൻ കഴിയൂ. ഇത് ഹാംബർഗിൽ (ജർമ്മനി) സ്ഥിതിചെയ്യുന്നു. എംഐപിടിയിൽ നിർമ്മിച്ച ഹാഫ്നിയം ഓക്സൈഡ് അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള "ഫെറോ ഇലക്ട്രിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ" ഉപയോഗിച്ചുള്ള എല്ലാ പരീക്ഷണങ്ങളും ജർമ്മനിയിൽ നടന്നു. നടത്തിയ പ്രവർത്തനങ്ങളെക്കുറിച്ചുള്ള ഒരു ലേഖനം പ്രസിദ്ധീകരിച്ചു നാനോസ്‌കെയിൽ.

"ഞങ്ങളുടെ ലബോറട്ടറിയിൽ സൃഷ്ടിച്ച ഫെറോഇലക്ട്രിക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ, അസ്ഥിരമല്ലാത്ത മെമ്മറി സെല്ലുകളുടെ വ്യാവസായിക ഉൽപാദനത്തിനായി ഉപയോഗിക്കുകയാണെങ്കിൽ, 1010 റീറൈറ്റ് സൈക്കിളുകൾ നൽകാൻ കഴിയും - ആധുനിക കമ്പ്യൂട്ടർ ഫ്ലാഷ് ഡ്രൈവുകൾ അനുവദിക്കുന്നതിനേക്കാൾ ഒരു ലക്ഷം മടങ്ങ് കൂടുതൽ," ആന്ദ്രേ സെൻകെവിച്ച് പറയുന്നു. ജോലി, നാനോഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് MIPT-നുള്ള ഫങ്ഷണൽ മെറ്റീരിയലുകളുടെയും ഉപകരണങ്ങളുടെയും ലബോറട്ടറിയുടെ തലവൻ. അങ്ങനെ, ഇനിയും ഒരുപാട്, ഒരുപാട് ചുവടുകൾ എടുക്കാനുണ്ടെങ്കിലും, ഒരു പുതിയ ഓർമ്മയിലേക്ക് മറ്റൊരു ചുവടുവെപ്പ് കൂടി.

അവലംബം: 3dnews.ru