ഫിൻഫെറ്റിന് പകരം വരുന്ന ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളെക്കുറിച്ച് സാംസങ് സംസാരിച്ചു

പലതവണ റിപ്പോർട്ട് ചെയ്തതുപോലെ, 5 nm-ൽ താഴെയുള്ള ഒരു ട്രാൻസിസ്റ്റർ ഉപയോഗിച്ച് എന്തെങ്കിലും ചെയ്യേണ്ടതുണ്ട്. ഇന്ന്, ചിപ്പ് നിർമ്മാതാക്കൾ ലംബമായ ഫിൻഫെറ്റ് ഗേറ്റുകൾ ഉപയോഗിച്ച് ഏറ്റവും നൂതനമായ പരിഹാരങ്ങൾ നിർമ്മിക്കുന്നു. FinFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ഇപ്പോഴും 5-nm, 4-nm സാങ്കേതിക പ്രക്രിയകൾ ഉപയോഗിച്ച് നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയും (ഈ മാനദണ്ഡങ്ങൾ എന്തുതന്നെയായാലും), എന്നാൽ ഇതിനകം 3-nm അർദ്ധചാലകങ്ങളുടെ നിർമ്മാണ ഘട്ടത്തിൽ, FinFET ഘടനകൾ പ്രവർത്തിക്കുന്നത് നിർത്തുന്നു. ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ ഗേറ്റുകൾ വളരെ ചെറുതും കൺട്രോൾ വോൾട്ടേജ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾക്ക് ഇന്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ടുകളിൽ ഗേറ്റുകളായി പ്രവർത്തിക്കുന്നത് തുടരാൻ വേണ്ടത്ര കുറവുമല്ല. അതിനാൽ, വ്യവസായവും, പ്രത്യേകിച്ച്, 3nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയിൽ നിന്ന് ആരംഭിക്കുന്ന സാംസങ്ങും, റിംഗ് അല്ലെങ്കിൽ എല്ലാം ഉൾക്കൊള്ളുന്ന GAA (ഗേറ്റ്-ഓൾ-എറൗണ്ട്) ഗേറ്റുകളുള്ള ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ നിർമ്മാണത്തിലേക്ക് മാറും. പുതിയ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ ഘടനയെക്കുറിച്ചും അവ ഉപയോഗിക്കുന്നതിന്റെ ഗുണങ്ങളെക്കുറിച്ചും ഒരു വിഷ്വൽ ഇൻഫോഗ്രാഫിക് സാംസങ് അടുത്തിടെ ഒരു പത്രക്കുറിപ്പിലൂടെ അവതരിപ്പിച്ചു.

മുകളിലെ ചിത്രീകരണത്തിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, നിർമ്മാണ നിലവാരം കുറഞ്ഞതിനാൽ, ഗേറ്റിന് താഴെയുള്ള ഒരു പ്രദേശത്തെ നിയന്ത്രിക്കാൻ കഴിയുന്ന പ്ലാനർ ഘടനകളിൽ നിന്ന് മൂന്ന് വശത്തും ഒരു ഗേറ്റിനാൽ ചുറ്റപ്പെട്ട ലംബ ചാനലുകളിലേക്കും ഒടുവിൽ ഗേറ്റുകളാൽ ചുറ്റപ്പെട്ട ചാനലുകൾക്ക് അടുത്തേക്ക് നീങ്ങുന്ന ഗേറ്റുകളിലേക്കും വികസിച്ചു. നാലു വശവും. ഈ മുഴുവൻ പാതയും നിയന്ത്രിത ചാനലിന് ചുറ്റുമുള്ള ഗേറ്റ് ഏരിയയിൽ വർദ്ധനവുണ്ടായി, ഇത് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ നിലവിലെ സ്വഭാവസവിശേഷതകളിൽ വിട്ടുവീഴ്ച ചെയ്യാതെ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളിലേക്കുള്ള വൈദ്യുതി വിതരണം കുറയ്ക്കുന്നത് സാധ്യമാക്കി, അതിനാൽ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ പ്രകടനം വർദ്ധിക്കുന്നതിലേക്ക് നയിക്കുന്നു. ചോർച്ച പ്രവാഹങ്ങളുടെ കുറവും. ഇക്കാര്യത്തിൽ, GAA ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ സൃഷ്ടിയുടെ ഒരു പുതിയ കിരീടമായി മാറും, കൂടാതെ ക്ലാസിക്കൽ CMOS സാങ്കേതിക പ്രക്രിയകളുടെ കാര്യമായ പുനർനിർമ്മാണം ആവശ്യമില്ല.

ഗേറ്റിനാൽ ചുറ്റപ്പെട്ട ചാനലുകൾ നേർത്ത പാലങ്ങളുടെ (നാനോവയറുകൾ) രൂപത്തിലോ വീതിയുള്ള പാലങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ നാനോപേജുകളുടെ രൂപത്തിലോ നിർമ്മിക്കാം. സാംസങ് നാനോപേജുകൾക്ക് അനുകൂലമായി അതിന്റെ തിരഞ്ഞെടുപ്പ് പ്രഖ്യാപിക്കുകയും പേറ്റന്റുകൾ ഉപയോഗിച്ച് അതിന്റെ വികസനം സംരക്ഷിക്കുമെന്ന് അവകാശപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നു, എന്നിരുന്നാലും ഐബിഎമ്മുമായും മറ്റ് കമ്പനികളുമായും സഖ്യത്തിൽ ഏർപ്പെടുമ്പോൾ തന്നെ ഈ ഘടനകളെല്ലാം വികസിപ്പിച്ചെങ്കിലും, ഉദാഹരണത്തിന്, എഎംഡിയുമായി. സാംസങ് പുതിയ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളെ GAA എന്ന് വിളിക്കില്ല, എന്നാൽ MBCFET (മൾട്ടി ബ്രിഡ്ജ് ചാനൽ FET) എന്ന ഉടമസ്ഥതയിലുള്ള പേര്. വൈഡ് ചാനൽ പേജുകൾ ഗണ്യമായ പ്രവാഹങ്ങൾ നൽകും, ഇത് നാനോവയർ ചാനലുകളുടെ കാര്യത്തിൽ നേടാൻ പ്രയാസമാണ്.

റിംഗ് ഗേറ്റുകളിലേക്കുള്ള മാറ്റം പുതിയ ട്രാൻസിസ്റ്റർ ഘടനകളുടെ ഊർജ്ജ കാര്യക്ഷമതയും മെച്ചപ്പെടുത്തും. ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ വിതരണ വോൾട്ടേജ് കുറയ്ക്കാൻ കഴിയുമെന്നാണ് ഇതിനർത്ഥം. FinFET ഘടനകൾക്കായി, കമ്പനി സോപാധികമായ പവർ റിഡക്ഷൻ ത്രെഷോൾഡ് 0,75 V എന്ന് വിളിക്കുന്നു. MBCFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളിലേക്കുള്ള മാറ്റം ഈ പരിധി ഇനിയും കുറയ്ക്കും.

എം‌ബി‌സി‌എഫ്‌ഇ‌ടി ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ അടുത്ത നേട്ടത്തെ കമ്പനി വിളിക്കുന്നു പരിഹാരങ്ങളുടെ അസാധാരണമായ വഴക്കം. അതിനാൽ, പ്രൊഡക്ഷൻ ഘട്ടത്തിലെ ഫിൻഫെറ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ വ്യതിരിക്തമായി നിയന്ത്രിക്കാൻ കഴിയുമെങ്കിൽ, ഓരോ ട്രാൻസിസ്റ്ററിനും ഒരു നിശ്ചിത എണ്ണം അരികുകൾ പ്രോജക്റ്റിലേക്ക് ഇടുന്നുവെങ്കിൽ, MBCFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ഉപയോഗിച്ച് സർക്യൂട്ടുകൾ രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുന്നത് ഓരോ പ്രോജക്റ്റിനും ഏറ്റവും മികച്ച ട്യൂണിംഗിനോട് സാമ്യമുള്ളതാണ്. ഇത് ചെയ്യാൻ വളരെ ലളിതമായിരിക്കും: നാനോപേജ് ചാനലുകളുടെ ആവശ്യമായ വീതി തിരഞ്ഞെടുക്കാൻ ഇത് മതിയാകും, ഈ പരാമീറ്റർ രേഖീയമായി മാറ്റാൻ കഴിയും.

MBCFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളുടെ ഉത്പാദനത്തിന്, മുകളിൽ സൂചിപ്പിച്ചതുപോലെ, ക്ലാസിക് CMOS പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയും ഫാക്ടറികളിൽ സ്ഥാപിച്ചിട്ടുള്ള വ്യാവസായിക ഉപകരണങ്ങളും കാര്യമായ മാറ്റങ്ങളില്ലാതെ അനുയോജ്യമാണ്. സിലിക്കൺ വേഫറുകളുടെ പ്രോസസ്സിംഗ് ഘട്ടത്തിൽ മാത്രം ചെറിയ മാറ്റങ്ങൾ ആവശ്യമായി വരും, അത് മനസ്സിലാക്കാവുന്നതേയുള്ളൂ, അത്രയേയുള്ളൂ. കോൺടാക്റ്റ് ഗ്രൂപ്പുകളുടെയും മെറ്റലൈസേഷൻ ലെയറുകളുടെയും ഭാഗത്ത്, നിങ്ങൾ ഒന്നും മാറ്റേണ്ടതില്ല.

ഉപസംഹാരമായി, സാംസങ് ആദ്യമായി 3nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയിലേക്കും MBCFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളിലേക്കും മാറുന്ന മെച്ചപ്പെടുത്തലുകളുടെ ഗുണപരമായ വിവരണം നൽകുന്നു (വ്യക്തമാക്കുന്നതിന്, 3nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയെക്കുറിച്ച് സാംസങ് നേരിട്ട് സംസാരിക്കുന്നില്ല, പക്ഷേ അത് മുമ്പ് റിപ്പോർട്ട് ചെയ്തു. 4nm പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യ ഇപ്പോഴും FinFET ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ഉപയോഗിക്കും). അതിനാൽ, 7nm FinFET പ്രോസസ്സ് സാങ്കേതികവിദ്യയുമായി താരതമ്യപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, പുതിയ മാനദണ്ഡത്തിലേക്കും MBCFET ലേക്ക് നീങ്ങുന്നത് ഉപഭോഗത്തിൽ 50% കുറവും പ്രകടനത്തിൽ 30% വർദ്ധനവും ചിപ്പ് ഏരിയയിൽ 45% കുറവും നൽകും. "ഒന്നുകിൽ, അല്ലെങ്കിൽ" അല്ല, മൊത്തത്തിൽ. ഇത് എപ്പോൾ സംഭവിക്കും? 2021 അവസാനത്തോടെ അത് സംഭവിക്കാം.

അവലംബം: 3dnews.ru