Дэлхийн цорын ганц дискрет соронзон эсэргүүцэлтэй MRAM санах ойн чип үйлдвэрлэгч Everspin Technologies нь үйлдвэрлэлийн технологийг сайжруулсаар байна. Өнөөдөр Everspin болон GlobalFoundries хамтран 12 нм стандарт бүхий STT-MRAM микро схем болон FinFET транзистор үйлдвэрлэх технологийг хөгжүүлэх.
Everspin нь АМГ-ын санах ойтой холбоотой 650 гаруй патент, программуудтай. Энэ бол санах ой бөгөөд түүний нүд рүү бичих нь хатуу дискний соронзон хавтан дээр мэдээлэл бичихтэй адил юм. Зөвхөн бичил схемийн хувьд эс бүр өөрийн гэсэн (нөхцөлт) соронзон толгойтой байдаг. Үүнийг орлуулсан STT-MRAM санах ой нь электрон эргэлтийн импульс дамжуулах эффект дээр суурилсан бөгөөд бичих болон унших горимд бага гүйдэл ашигладаг тул эрчим хүчний зардал багатай ажилладаг.
Эхэндээ Everspin-ийн захиалсан MRAM санах ойг NXP АНУ дахь үйлдвэртээ үйлдвэрлэж байжээ. 2014 онд Everspin GlobalFoundries-тэй хамтарсан ажлын гэрээ байгуулсан. Тэд хамтдаа илүү дэвшилтэт үйлдвэрлэлийн процессуудыг ашиглан салангид болон суулгагдсан АМГ (STT-MRAM) үйлдвэрлэлийн процессыг боловсруулж эхэлсэн.
Цаг хугацаа өнгөрөхөд GlobalFoundries байгууламжууд 40 нм ба 28 нм STT-MRAM чип (шинэ бүтээгдэхүүн - 1 Гбит дискрет STT-MRAM чипээр төгсдөг) үйлдвэрлэж эхэлсэн бөгөөд STT-ийг нэгтгэх 22FDX процессын технологийг бэлтгэсэн. АМГ-ын массивыг FD-SOI хавтан дээрх 22 нм нм процессын технологийг ашиглан хянагч болгон хувиргадаг. Everspin болон GlobalFoundries хоорондын шинэ гэрээ нь STT-MRAM чипийн үйлдвэрлэлийг 12 нм технологийн технологид шилжүүлэхэд хүргэнэ.
MRAM санах ой нь SRAM санах ойн гүйцэтгэлд ойртож байгаа бөгөөд үүнийг интернетийн зүйлсийн хянагчаар солих боломжтой. Үүний зэрэгцээ ердийн NAND санах ойтой харьцуулахад тогтворгүй, элэгдэлд тэсвэртэй. 12 нм стандарт руу шилжих нь АМГ-ын бичлэгийн нягтыг нэмэгдүүлэх бөгөөд энэ нь түүний гол дутагдал юм.
Эх сурвалж: 3dnews.ru