Өнөө өглөө Өмнөд Солонгосын Сөүл хотод Intel компани санах ой болон хатуу төлөвт дискний зах зээл дэх ирээдүйн төлөвлөгөөнд зориулсан “Санах ой, хадгалах өдөр 2019” арга хэмжээг зохион байгууллаа. Тэнд компанийн төлөөлөгчид ирээдүйн Optane загварууд, таван битийн PLC NAND (Penta Level Cell) хөгжүүлэлтийн ахиц дэвшил болон ойрын жилүүдэд сурталчлахаар төлөвлөж буй бусад ирээдүйтэй технологийн талаар ярилцав. Intel мөн удаан хугацаанд суурин компьютерт тогтворгүй RAM-г нэвтрүүлэх хүсэлтэй байгаа талаар болон энэ сегментэд танил болсон SSD-ийн шинэ загваруудын талаар ярьсан.
Intel-ийн хийгдэж буй бүтээн байгуулалтын талаархи танилцуулгын хамгийн гэнэтийн хэсэг нь илүү нягт флаш санах ойн төрөл болох PLC NAND-ийн тухай түүх байв. Сүүлийн хоёр жилийн хугацаанд дэлхий дээр үйлдвэрлэсэн нийт өгөгдлийн хэмжээ хоёр дахин нэмэгдсэн тул дөрвөн битийн QLC NAND дээр суурилсан хөтчүүд энэ асуудлыг шийдвэрлэх сайн шийдэл байхаа больсон гэж тус компани онцолж байна. хадгалах нягтрал. Гаралт нь Penta-Level Cell (PLC) флаш санах ой байх ёстой бөгөөд нүд бүр нь таван бит өгөгдлийг нэг дор хадгалдаг. Тиймээс флаш санах ойн төрлүүдийн шатлал удахгүй SLC-MLC-TLC-QLC-PLC шиг харагдах болно. Шинэ PLC NAND нь SLC-тэй харьцуулахад тав дахин их өгөгдөл хадгалах боломжтой, гэхдээ мэдээжийн хэрэг гүйцэтгэл, найдвартай байдал нь доогуур байх болно, учир нь хянагч нь таван бит бичих, уншихын тулд үүрний цэнэгийн 32 өөр төлөвийг ялгах шаардлагатай болно. .
Илүү нягт флаш санах ойг бүтээхийн төлөө Intel ганцаараа биш гэдгийг тэмдэглэх нь зүйтэй. Toshiba мөн XNUMX-р сард болсон Flash санах ойн дээд хэмжээний уулзалтын үеэр PLC NAND-ийг бүтээх төлөвлөгөөний талаар ярьсан. Гэсэн хэдий ч Intel-ийн технологи нь мэдэгдэхүйц ялгаатай: тус компани хөвөгч хаалгатай санах ойн эсүүдийг ашигладаг бол Toshiba-ийн загварууд нь цэнэгийн урхинд суурилсан эсийн эргэн тойронд бүтээгдсэн байдаг. Мэдээллийн хадгалалтын нягтрал нэмэгдэж байгаа тул хөвөгч хаалга нь эсийн харилцан нөлөөлөл, цэнэгийн урсгалыг багасгаж, өгөгдлийг бага алдаатай унших боломжийг олгодог тул хамгийн сайн шийдэл юм. Өөрөөр хэлбэл, Intel-ийн загвар нь нягтралыг нэмэгдүүлэхэд илүү тохиромжтой байдаг нь өөр өөр технологи ашиглан худалдаанд гарсан QLC NAND-ийн туршилтын үр дүнгээр нотлогддог. Ийм туршилтууд нь хөвөгч хаалган дээр суурилсан QLC санах ойн эсийн өгөгдөл задрах нь цэнэгийн зангилаа бүхий QLC NAND эсүүдээс XNUMX-XNUMX дахин удаан явагддаг болохыг харуулж байна.
Үүний цаана микрон флаш санах ойн хөгжүүлэлтээ Intel-тэй хуваалцахаар шийдсэн тухай мэдээлэл, тухайлбал цэнэглэгч эсийг ашиглахад шилжих хүсэлтэй байгаа тул нэлээд сонирхолтой харагдаж байна. Intel нь анхны технологидоо үнэнч хэвээр байгаа бөгөөд үүнийг бүх шинэ шийдэлд системтэйгээр хэрэгжүүлдэг.
Одоохондоо боловсруулагдаж байгаа PLC NAND-аас гадна Intel нь бусад хямд технологиудыг ашиглан флаш санах ойд мэдээлэл хадгалах нягтралыг нэмэгдүүлэхээр зорьж байна. Тодруулбал, тус компани 96 давхар QLC 3D NAND-ийн масс үйлдвэрлэлд удахгүй шилжихийг баталжээ: үүнийг шинэ хэрэглэгчийн хөтөч дээр ашиглах болно. .
Үүний дараа 144 давхар QLC 3D NAND-ийн үйлдвэрлэлийг эзэмшинэ - энэ нь ирэх жил үйлдвэрлэлийн хөтчүүдэд хүрэх болно. Intel нь цул талстыг гурвалсан гагнуурыг ашиглах хүсэл эрмэлзэлээ өнөөг хүртэл үгүйсгэж байгаа нь сонин байна, тиймээс 96 давхаргат загвар нь 48 давхар хоёр талстыг босоо угсралтыг багтаадаг бол 144 давхаргын технологи нь 72 давхаргад суурилсан байх болно. "хагас боловсруулсан бүтээгдэхүүн".
QLC 3D NAND талстуудын давхаргын тоо нэмэгдэхийн зэрэгцээ Intel хөгжүүлэгчид талстуудын хүчин чадлыг өөрсдөө нэмэгдүүлэх бодолгүй байна. 96 ба 144 давхаргат технологид тулгуурлан эхний үеийн 64 давхар QLC 3D NAND-тай ижил терабитийн талстыг үйлдвэрлэх болно. Энэ нь үүн дээр суурилсан SSD-ийг хүлээн зөвшөөрөгдсөн түвшний гүйцэтгэлээр хангах хүсэлтэй холбоотой юм. 144 давхар санах ойг ашиглах анхны SSD нь Arbordale+ серверийн хөтчүүд байх болно.
Эх сурвалж: 3dnews.ru