Samsung Electronics нь 10 нм процессын технологид гүнзгий нэвтэрсээр байна. Энэ удаад 16-р үеийн 4 нм ангиллын (10y-нм) процессын технологийг ашиглан DDR1 санах ойг олноор үйлдвэрлэж эхэлснээс хойш ердөө 4 сарын дараа Өмнөд Солонгосын үйлдвэрлэгч 10 нм ангиллын гурав дахь үеийн DDR1 санах ойн хөтчүүдийг боловсруулж дууслаа. 10z-nm) процессын технологи. Хамгийн чухал нь гурав дахь үеийн 193 нм ангиллын процесс нь 1 нм литографийн сканнерыг ашигладаг хэвээр байгаа бөгөөд бага хүчин чадалтай EUV сканнер дээр тулгуурладаггүй. Энэ нь хамгийн сүүлийн үеийн XNUMXz-nm процессын технологийг ашиглан санах ойг бөөнөөр үйлдвэрлэхэд шилжих нь харьцангуй хурдан бөгөөд шугамыг дахин тоноглоход санхүүгийн томоохон зардал гарахгүй гэсэн үг юм.
Тус компани 8 нм ангиллын 4z-nm процессын технологийг ашиглан 1 Gbit DDR10 чипийг энэ оны хоёрдугаар хагаст бөөнөөр үйлдвэрлэж эхэлнэ. 20 нм процессын технологид шилжсэнээс хойш хэвшсэн нэгэн адил Samsung процессын технологийн нарийн үзүүлэлтүүдийг задруулдаггүй. Компанийн 1x-nm 10-nm ангиллын техникийн процесс нь 18 нм стандартыг хангасан, 1y-nm процесс нь 17- эсвэл 16-нм стандартыг хангасан, хамгийн сүүлийн үеийн 1z-nm нь 16- эсвэл 15-нм стандартыг хангасан гэж үздэг. магадгүй бүр 13 нм хүртэл. Ямар ч тохиолдолд техникийн үйл явцын цар хүрээг багасгах нь Samsung-ийн хүлээн зөвшөөрч байгаа шиг нэг талстаас гарах талстуудын гарцыг дахин 20% -иар нэмэгдүүлсэн. Ирээдүйд энэ нь өрсөлдөгчид үйлдвэрлэлийн ижил төстэй үр дүнд хүрэх хүртэл шинэ санах ойг хямд эсвэл илүү сайн үнээр борлуулах боломжийг олгоно. Гэсэн хэдий ч Samsung 1z-nm 16 Gbit DDR4 талстыг бүтээж чадаагүй нь бага зэрэг түгшүүр төрүүлж байна. Энэ нь үйлдвэрлэлийн согогийн түвшин нэмэгдэнэ гэсэн хүлээлтийг илтгэж магадгүй юм.
Гурав дахь үеийн 10 нм ангиллын процессын технологийг ашиглан компани нь дээд зэрэглэлийн компьютерт зориулсан серверийн санах ой болон санах ойг үйлдвэрлэсэн анхны компани болно. Ирээдүйд 1z-nm 10nm ангиллын процессын технологийг DDR5, LPDDR5, GDDR6 санах ойг үйлдвэрлэхэд тохируулна. Серверүүд, хөдөлгөөнт төхөөрөмжүүд болон графикууд нь илүү хурдан бөгөөд санах ой бага шаарддаг санах ойн давуу талыг бүрэн ашиглах боломжтой бөгөөд үүнийг илүү нимгэн үйлдвэрлэлийн стандарт руу шилжүүлснээр хөнгөвчлөх болно.
Эх сурвалж: 3dnews.ru