Тайвань дахь салбарын эх сурвалжийн мэдээлснээр, аль Хятадын санах ой үйлдвэрлэгч ChangXin Memory Technologies (CXMT) DigiTimes интернет эх үүсвэр LPDDR4 санах ойг олноор үйлдвэрлэх шугамыг бэлтгэж байна. ChangXin нь Innotron Memory гэгддэг бөгөөд 19 нм технологийг ашиглан өөрийн DRAM үйлдвэрлэх процессыг боловсруулсан гэж үздэг.
ChangXin анхны 300 мм-ийн үйлдвэрт санах ойг арилжааны зорилгоор үйлдвэрлэх шаардлагатай болсон 2019 оны эхний хагаст. Харамсалтай нь ийм зүйл хараахан болоогүй байна. Гэхдээ 8 Гбит DDR4 LPDDR4 чип үйлдвэрлэж эхэлснээр хүчин чадал нь сард 20 мянган 300 нм цахиур хавтан хүртэл нэмэгдэх болно. ChangXin аж ахуйн нэгжийн шугамын хамгийн дээд хүчин чадал нь сард 125 мянга 300 мм хавтан хүрдэг. Гэхдээ энэ нь бас хязгаар биш юм. Тус компани ирэх онд 300 мм-ийн санах ойн хавтан боловсруулах хоёр дахь үйлдвэрээ барьж эхэлнэ гэж мэдэгджээ.
Үүний зэрэгцээ Хятадын энэ үйлдвэрлэгч өөр төрлийн асуудалтай тулгарч магадгүй юм. DRAM санах ойг олноор үйлдвэрлэж эхлэх Хятадын анхны компани бол Фужиан Жинхуа байсныг эргэн санацгаая. АНУ Америкийн түншүүдээс үйлдвэрлэлийн тоног төхөөрөмж худалдан авахыг хориглов. Тайваньд тэд Чан Шинийг Фүжяньтай адил асуудалтай тулгарах болно гэж үзэж байна. Нэмж дурдахад Америкийн микронд бизнес нь шингэсэн Японы Элпидагийн Тайвань дахь охин компаниас мэргэшсэн инженерүүдийг ажилд авсан. Шинжээчид Хятадын тал хариу өгөхгүй бол Micron-аас ChangXin-ийн эсрэг нэхэмжлэл гаргаж, хориг арга хэмжээ авна гэж найдаж байна.
Үүний зэрэгцээ ChangXin нь 17 нм стандарт бүхий санах ой үйлдвэрлэх техникийн процессыг боловсруулж байна. Бүтээн байгуулалтыг 2021 онд дуусгах төлөвтэй байна. Магадгүй ChangXin-ийн хоёр дахь үйлдвэр нь эдгээр стандартын дагуу DRAM талстыг үйлдвэрлэх ажлыг эхлүүлэх болно. Мэдээжийн хэрэг, АНУ-ын хориг арга хэмжээ болон Микроны заль мэх нь түүний замд даван туулах боломжгүй саад бэрхшээл болохгүй бол.
Эх сурвалж: 3dnews.ru