Xtacking तंत्रज्ञानाची दुसरी आवृत्ती चीनी 3D NAND साठी तयार करण्यात आली आहे

कसे अहवाल चीनी वृत्तसंस्था, Yangtze Memory Technologies (YMTC) ने मल्टी-लेयर 3D NAND फ्लॅश मेमरीचे उत्पादन ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी त्याच्या मालकीच्या Xtacking तंत्रज्ञानाची दुसरी आवृत्ती तयार केली आहे. Xtacking तंत्रज्ञान, आम्हाला आठवते, गेल्या वर्षी ऑगस्टमध्ये वार्षिक फ्लॅश मेमरी समिट फोरममध्ये सादर केले गेले होते आणि "फ्लॅश मेमरी क्षेत्रातील सर्वात नाविन्यपूर्ण स्टार्टअप" या श्रेणीमध्ये पुरस्कार देखील मिळाला होता.

अर्थात, अब्जावधी-डॉलर बजेट असलेल्या एखाद्या एंटरप्राइझला स्टार्टअप म्हणणे स्पष्टपणे कंपनीला कमी लेखणे आहे, परंतु, प्रामाणिकपणे सांगूया, YMTC अद्याप मोठ्या प्रमाणात उत्पादने तयार करत नाही. कंपनी या वर्षाच्या अखेरीस 3D NAND च्या मोठ्या प्रमाणात व्यावसायिक पुरवठ्याकडे वळेल जेव्हा ती 128-Gbit 64-लेयर मेमरीचे उत्पादन लाँच करेल, ज्याला त्याच नाविन्यपूर्ण Xtacking तंत्रज्ञानाद्वारे समर्थित केले जाईल.

अलीकडील अहवालांनुसार, अलीकडेच GSA मेमरी+ मंचावर, Yangtze Memory CTO Tang Jiang ने कबूल केले की Xtacking 2.0 तंत्रज्ञान ऑगस्टमध्ये सादर केले जाईल. दुर्दैवाने, कंपनीच्या तांत्रिक प्रमुखाने नवीन विकासाचे तपशील सामायिक केले नाहीत, म्हणून आम्हाला ऑगस्टपर्यंत प्रतीक्षा करावी लागेल. मागील सराव दर्शविल्याप्रमाणे, कंपनी शेवटपर्यंत गुप्त ठेवते आणि फ्लॅश मेमरी समिट 2019 सुरू होण्यापूर्वी, आम्हाला Xtacking 2.0 बद्दल मनोरंजक काहीही शिकण्याची शक्यता नाही.

Xtacking तंत्रज्ञानासाठीच, त्याचे ध्येय तीन गुण होते: प्रस्तुत करणे 3D NAND आणि त्यावर आधारित उत्पादनांच्या निर्मितीवर निर्णायक प्रभाव. हे फ्लॅश मेमरी चिप्सच्या इंटरफेसची गती, रेकॉर्डिंग घनतेत वाढ आणि नवीन उत्पादने बाजारात आणण्याची गती आहेत. Xtacking तंत्रज्ञान तुम्हाला 3D NAND चिप्समधील मेमरी अॅरेसह विनिमय दर 1-1,4 Gbit/s (ONFi 4.1 आणि ToggleDDR इंटरफेस) वरून 3 Gbit/s पर्यंत वाढवण्याची परवानगी देते. चिप्सची क्षमता जसजशी वाढत जाईल, तसतशी एक्सचेंज गतीची आवश्यकता वाढेल आणि या क्षेत्रात प्रथम यश मिळवण्यासाठी चिनी लोकांची आशा आहे.

रेकॉर्डिंग घनता वाढवण्यात आणखी एक अडथळा आहे - केवळ मेमरी अॅरेची 3D NAND चिपच नाही तर परिधीय नियंत्रण आणि पॉवर सर्किट्सची उपस्थिती. हे सर्किट मेमरी अॅरेमधून वापरण्यायोग्य क्षेत्राच्या 20% ते 30% पर्यंत दूर घेतात आणि 128% चिप पृष्ठभाग 50-Gbit चिप्सपासून दूर नेले जातील. Xtacking तंत्रज्ञानाच्या बाबतीत, मेमरी अॅरे त्याच्या स्वतःच्या चिपवर तयार केली जाते आणि कंट्रोल सर्किट्स दुसर्यावर तयार केली जातात. क्रिस्टल पूर्णपणे मेमरी सेलसाठी समर्पित आहे आणि चिप असेंबलीच्या अंतिम टप्प्यावर नियंत्रण सर्किट मेमरीसह क्रिस्टलशी संलग्न आहेत.

वेगळे उत्पादन आणि त्यानंतरचे असेंब्ली सानुकूल मेमरी चिप्स आणि सानुकूल उत्पादनांचा जलद विकास करण्यास अनुमती देते जे योग्य संयोजनात विटांसारखे एकत्र केले जातात. हा दृष्टिकोन आम्हाला 3 ते 12 महिन्यांच्या एकूण विकास कालावधीपैकी किमान 18 महिन्यांनी सानुकूल मेमरी चिप्सचा विकास कमी करण्यास अनुमती देतो. अधिक लवचिकता म्हणजे उच्च ग्राहक स्वारस्य, ज्याची तरुण चीनी उत्पादकाला हवेसारखी गरज असते.

स्त्रोत: 3dnews.ru