फ्रेंचांनी उद्याचे सात-स्तरीय GAA ट्रान्झिस्टर सादर केले

बराच काळ गुप्त नाही, की 3nm प्रक्रिया तंत्रज्ञानातून, ट्रान्झिस्टर उभ्या “फिन” FinFET चॅनेलवरून पूर्णपणे गेट्स किंवा GAA (गेट-ऑल-अराउंड) ने वेढलेल्या क्षैतिज नॅनोपेज चॅनेलवर हलतील. आज, फ्रेंच इन्स्टिट्यूट CEA-Leti ने दाखवले की FinFET ट्रान्झिस्टर निर्मिती प्रक्रिया बहु-स्तरीय GAA ट्रान्झिस्टर तयार करण्यासाठी कशी वापरली जाऊ शकते. आणि तांत्रिक प्रक्रियेची सातत्य राखणे हा जलद परिवर्तनाचा एक विश्वासार्ह आधार आहे.

VLSI तंत्रज्ञान आणि सर्किट्स 2020 सिम्पोजियमसाठी CEA-Leti तज्ञ एक अहवाल तयार केला सात-स्तरीय GAA ट्रान्झिस्टरच्या उत्पादनाबद्दल (कोरोनाव्हायरस साथीच्या रोगाबद्दल विशेष धन्यवाद, ज्याबद्दल धन्यवाद सादरीकरणासाठी कागदपत्रे शेवटी त्वरीत दिसू लागली, आणि काही महिन्यांनंतर नाही). फ्रेंच संशोधकांनी हे सिद्ध केले आहे की ते तथाकथित आरएमजी प्रक्रियेच्या (रिप्लेसमेंट मेटल गेट किंवा रशियन भाषेत, रिप्लेसमेंट (तात्पुरती) मेटलच्या मोठ्या प्रमाणात वापरल्या जाणार्‍या तंत्रज्ञानाचा वापर करून नॅनोपेजेसच्या संपूर्ण "स्टॅक" स्वरूपात चॅनेलसह GAA ट्रान्झिस्टर तयार करू शकतात. गेट). एकेकाळी, आरएमजी तांत्रिक प्रक्रिया FinFET ट्रान्झिस्टरच्या उत्पादनासाठी स्वीकारली गेली होती आणि जसे आपण पाहतो, नॅनोपेज चॅनेलच्या बहु-स्तरीय व्यवस्थेसह GAA ट्रान्झिस्टरच्या उत्पादनासाठी विस्तारित केले जाऊ शकते.

सॅमसंग, आमच्या माहितीनुसार, 3nm चिप्सचे उत्पादन सुरू झाल्यानंतर, दोन-स्तरीय GAA ट्रान्झिस्टर तयार करण्याची योजना आहे ज्यामध्ये दोन सपाट चॅनेल (नॅनोपेजेस) एकमेकांच्या वर स्थित आहेत, सर्व बाजूंनी गेटने वेढलेले आहेत. सीईए-लेटी तज्ञांनी दर्शविले आहे की सात नॅनोपेज चॅनेलसह ट्रान्झिस्टर तयार करणे शक्य आहे आणि त्याच वेळी आवश्यक रुंदीवर चॅनेल सेट करणे शक्य आहे. उदाहरणार्थ, सात चॅनेलसह प्रायोगिक GAA ट्रान्झिस्टर 15 nm ते 85 nm रुंदीच्या आवृत्त्यांमध्ये सोडण्यात आले. हे स्पष्ट आहे की हे आपल्याला ट्रान्झिस्टरसाठी अचूक वैशिष्ट्ये सेट करण्यास आणि त्यांच्या पुनरावृत्तीची हमी देते (पॅरामीटर्सचा प्रसार कमी करते).

फ्रेंचच्या मते, GAA ट्रान्झिस्टरमध्ये चॅनेलची पातळी जितकी जास्त असेल तितकी एकूण चॅनेलची प्रभावी रुंदी जास्त असेल आणि म्हणूनच ट्रान्झिस्टरची नियंत्रणक्षमता अधिक असेल. तसेच, मल्टीलेअर स्ट्रक्चरमध्ये कमी गळती चालू असते. उदाहरणार्थ, सात-स्तरीय GAA ट्रान्झिस्टरमध्ये दोन-स्तरीय (तुलनेने, Samsung GAA प्रमाणे) पेक्षा तीन पट कमी गळती चालू असते. बरं, उद्योगाला शेवटी एक मार्ग सापडला आहे, चिपवरील घटकांच्या क्षैतिज प्लेसमेंटपासून उभ्याकडे जाण्याचा. असे दिसते की मायक्रोसर्किटला आणखी वेगवान, अधिक शक्तिशाली आणि ऊर्जा कार्यक्षम होण्यासाठी क्रिस्टल्सचे क्षेत्रफळ वाढवावे लागणार नाही.

स्त्रोत: 3dnews.ru