इंटेल 144-लेयर QLC NAND तयार करते आणि पाच-बिट PLC NAND विकसित करते

आज सकाळी सोल, दक्षिण कोरिया येथे, इंटेलने मेमरी आणि सॉलिड-स्टेट ड्राइव्ह मार्केटमधील भविष्यातील योजनांना समर्पित "मेमरी आणि स्टोरेज डे 2019" कार्यक्रम आयोजित केला. तेथे, कंपनीच्या प्रतिनिधींनी भविष्यातील Optane मॉडेल्स, पाच-बिट PLC NAND (पेंटा लेव्हल सेल) च्या विकासातील प्रगती आणि इतर आशादायक तंत्रज्ञानाबद्दल सांगितले ज्यांचा आगामी वर्षांमध्ये प्रचार करण्याची योजना आहे. इंटेलने डेस्कटॉप कॉम्प्युटरमध्ये दीर्घकालीन नॉन-अस्थिर रॅम सादर करण्याच्या इच्छेबद्दल आणि या विभागासाठी परिचित SSD च्या नवीन मॉडेल्सबद्दल देखील सांगितले.

चालू घडामोडींबद्दल इंटेलच्या सादरीकरणाचा सर्वात अनपेक्षित भाग म्हणजे PLC NAND बद्दलची कथा - फ्लॅश मेमरीचा आणखी दाट प्रकार. कंपनीने यावर जोर दिला आहे की गेल्या दोन वर्षांत, जगात उत्पादित केलेल्या डेटाचे एकूण प्रमाण दुप्पट झाले आहे, त्यामुळे फोर-बिट QLC NAND वर आधारित ड्राइव्ह या समस्येवर चांगला उपाय आहे असे वाटत नाही - उद्योगाला काही पर्यायांची आवश्यकता आहे स्टोरेज घनता. आउटपुट पेंटा-लेव्हल सेल (PLC) फ्लॅश मेमरी असावी, ज्यातील प्रत्येक सेल एकाच वेळी पाच बिट डेटा संचयित करतो. अशा प्रकारे, फ्लॅश मेमरी प्रकारांची श्रेणीक्रम लवकरच SLC-MLC-TLC-QLC-PLC सारखी दिसेल. नवीन PLC NAND SLC च्या तुलनेत पाचपट जास्त डेटा संचयित करण्यास सक्षम असेल, परंतु, अर्थातच, कमी कार्यप्रदर्शन आणि विश्वासार्हतेसह, कारण नियंत्रकाला पाच बिट्स लिहिण्यासाठी आणि वाचण्यासाठी सेलच्या चार्जच्या 32 वेगवेगळ्या स्थितींमध्ये फरक करावा लागेल. .

हे लक्षात घेण्यासारखे आहे की अधिक घनता फ्लॅश मेमरी बनवण्याच्या शोधात इंटेल एकटा नाही. तोशिबाने ऑगस्टमध्ये झालेल्या फ्लॅश मेमरी समिट दरम्यान PLC NAND तयार करण्याच्या योजनांबद्दलही सांगितले. तथापि, इंटेलचे तंत्रज्ञान लक्षणीय भिन्न आहे: कंपनी फ्लोटिंग-गेट मेमरी सेल वापरते, तर तोशिबाची रचना चार्ज ट्रॅप-आधारित सेलभोवती तयार केली जाते. वाढत्या माहितीच्या संचयन घनतेसह, फ्लोटिंग गेट हा सर्वोत्तम उपाय असल्याचे दिसते, कारण ते पेशींमधील परस्पर प्रभाव आणि शुल्काचा प्रवाह कमी करते आणि कमी त्रुटींसह डेटा वाचणे शक्य करते. दुसऱ्या शब्दांत सांगायचे तर, इंटेलची रचना घनता वाढवण्यासाठी अधिक योग्य आहे, ज्याची पुष्टी विविध तंत्रज्ञानाचा वापर करून व्यावसायिकरित्या उपलब्ध QLC NAND च्या चाचणी परिणामांद्वारे केली जाते. अशा चाचण्या दर्शवितात की फ्लोटिंग गेटवर आधारित QLC मेमरी सेलमधील डेटा डिग्रेडेशन चार्ज ट्रॅप असलेल्या QLC NAND सेलच्या तुलनेत दोन ते तीन पटीने कमी होते.

या पार्श्वभूमीवर, चार्ज ट्रॅप सेल वापरण्याच्या इच्छेमुळे, मायक्रोनने इतर गोष्टींबरोबरच त्याची फ्लॅश मेमरी डेव्हलपमेंट इंटेलसह सामायिक करण्याचा निर्णय घेतला ही माहिती खूपच मनोरंजक दिसते. इंटेल मूळ तंत्रज्ञानासाठी वचनबद्ध आहे आणि ते सर्व नवीन उपायांमध्ये पद्धतशीरपणे लागू करते.

PLC NAND व्यतिरिक्त, जे अद्याप विकासाधीन आहे, Intel इतर, अधिक स्वस्त तंत्रज्ञानाचा वापर करून फ्लॅश मेमरीमधील माहितीची साठवण घनता वाढवण्याचा मानस आहे. विशेषत:, कंपनीने 96-लेयर QLC 3D NAND च्या मोठ्या प्रमाणात उत्पादनात नजीकच्या संक्रमणाची पुष्टी केली: ते नवीन ग्राहक ड्राइव्हमध्ये वापरले जाईल इंटेल एसएसडी 665p.

यानंतर 144-लेयर QLC 3D NAND च्या उत्पादनात प्रभुत्व मिळवले जाईल - ते पुढील वर्षी उत्पादन ड्राइव्हला हिट करेल. हे उत्सुक आहे की इंटेलने आतापर्यंत मोनोलिथिक क्रिस्टल्सचे ट्रिपल सोल्डरिंग वापरण्याचा कोणताही हेतू नाकारला आहे, म्हणून 96-लेयर डिझाइनमध्ये दोन 48-लेयर क्रिस्टल्सचे उभ्या असेंबलीचा समावेश आहे, तर 144-लेयर तंत्रज्ञान वरवर पाहता 72-लेयरवर आधारित असेल. "अर्ध-तयार उत्पादने".

QLC 3D NAND क्रिस्टल्समधील स्तरांच्या संख्येत वाढ होण्याबरोबरच, इंटेल डेव्हलपर अद्याप क्रिस्टल्सची क्षमता वाढवू इच्छित नाहीत. 96- आणि 144-लेयर तंत्रज्ञानावर आधारित, तेच टेराबिट क्रिस्टल्स पहिल्या पिढीतील 64-लेयर QLC 3D NAND म्हणून तयार केले जातील. हे कार्यक्षमतेच्या स्वीकारार्ह स्तरावर आधारित SSD प्रदान करण्याच्या इच्छेमुळे आहे. 144-लेयर मेमरी वापरणारे पहिले SSDs Arbordale+ सर्व्हर ड्राइव्ह असतील.

स्त्रोत: 3dnews.ru