लहान पण ठळक: एक लघु रेखीय कण प्रवेगक ज्याने नवीन विक्रम प्रस्थापित केला

विज्ञान आणि तंत्रज्ञानासह समाजाच्या अनेक क्षेत्रांमध्ये "अधिक आहे अधिक शक्तिशाली" हे परिचित तत्त्व फार पूर्वीपासून स्थापित केले गेले आहे. तथापि, आधुनिक वास्तवांमध्ये, "लहान, परंतु पराक्रमी" या म्हणीची व्यावहारिक अंमलबजावणी अधिकाधिक सामान्य होत आहे. हे दोन्ही संगणकांमध्ये प्रकट होते, ज्याने पूर्वी संपूर्ण खोली घेतली होती, परंतु आता ती मुलाच्या तळहातावर आणि चार्ज केलेल्या कण प्रवेगकांमध्ये बसते. होय, लार्ज हॅड्रॉन कोलायडर (LHC) लक्षात ठेवा, ज्याचे प्रभावी परिमाण (लांबी 26 मीटर) त्याच्या नावाने अक्षरशः सूचित केले आहेत? तर, डीईएसवायच्या शास्त्रज्ञांच्या म्हणण्यानुसार ही आधीच भूतकाळातील गोष्ट आहे, ज्यांनी एक्सीलरेटरची एक लघु आवृत्ती विकसित केली आहे, जी त्याच्या पूर्ण-आकाराच्या पूर्ववर्तीपेक्षा कार्यक्षमतेत निकृष्ट नाही. शिवाय, मिनी एक्सीलरेटरने टेराहर्ट्झ प्रवेगकांमध्ये एक नवीन जागतिक विक्रमही प्रस्थापित केला, एम्बेडेड इलेक्ट्रॉनची उर्जा दुप्पट केली. लघु प्रवेगक कसा विकसित झाला, त्याच्या ऑपरेशनची मूलभूत तत्त्वे काय आहेत आणि व्यावहारिक प्रयोगांनी काय दर्शविले आहे? संशोधन गटाचा अहवाल आम्हाला याबद्दल शोधण्यास मदत करेल. जा.

संशोधनाचा आधार

DESY (जर्मन इलेक्ट्रॉन सिंक्रोट्रॉन) मधील डोंगफांग झांग आणि त्यांचे सहकारी यांच्या मते, ज्यांनी मिनी-एक्सिलेटर विकसित केले, अल्ट्राफास्ट इलेक्ट्रॉन स्त्रोत आधुनिक समाजाच्या जीवनात अविश्वसनीयपणे महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात. त्यापैकी बरेच औषध, इलेक्ट्रॉनिक्स विकास आणि वैज्ञानिक संशोधनात दिसतात. रेडिओ फ्रिक्वेन्सी ऑसिलेटर वापरणाऱ्या सध्याच्या रेखीय प्रवेगकांची सर्वात मोठी समस्या म्हणजे त्यांची उच्च किंमत, जटिल पायाभूत सुविधा आणि प्रभावी वीज वापर. आणि अशा उणीवा वापरकर्त्यांच्या विस्तृत श्रेणीसाठी अशा तंत्रज्ञानाची उपलब्धता मोठ्या प्रमाणात मर्यादित करतात.

या स्पष्ट समस्या अशा उपकरणे विकसित करण्यासाठी एक उत्कृष्ट प्रोत्साहन आहेत ज्यांचे आकार आणि वीज वापर भयभीत होणार नाही.

या उद्योगातील सापेक्ष नॉव्हेल्टींमध्ये टेराहर्ट्झ एक्सीलरेटर्स आहेत, ज्याचे अनेक “फायदे” आहेत:

• टेराहर्ट्झ किरणोत्सर्गाच्या लहान लहरी आणि लहान नाडी थ्रेशोल्डमध्ये लक्षणीय वाढ करतील अशी अपेक्षा आहे. यंत्रातील बिघाड*, फील्डमुळे होणारे, जे प्रवेग ग्रेडियंट वाढवेल;

विद्युत बिघाड* - जेव्हा गंभीर वरील व्होल्टेज लागू केले जाते तेव्हा वर्तमान सामर्थ्यात तीव्र वाढ.

• हाय-फील्ड टेराहर्ट्झ रेडिएशन तयार करण्यासाठी प्रभावी पद्धतींची उपस्थिती इलेक्ट्रॉन आणि उत्तेजित क्षेत्रांमधील अंतर्गत सिंक्रोनाइझेशनला परवानगी देते;
• अशी उपकरणे तयार करण्यासाठी शास्त्रीय पद्धती वापरल्या जाऊ शकतात, परंतु त्यांची किंमत, उत्पादन वेळ आणि आकार मोठ्या प्रमाणात कमी केला जाईल.

शास्त्रज्ञांचा असा विश्वास आहे की त्यांचे मिलिमीटर-स्केल टेराहर्ट्झ प्रवेगक हे सध्या उपलब्ध असलेले पारंपारिक प्रवेगक आणि विकसित केले जाणारे सूक्ष्म प्रवेगक यांच्यातील तडजोड आहे, परंतु त्यांच्या अतिशय लहान परिमाणांमुळे त्यांचे अनेक तोटे आहेत.

टेराहर्ट्झ प्रवेग तंत्रज्ञान काही काळापासून विकसित होत आहे हे संशोधक नाकारत नाहीत. तथापि, त्यांच्या मते, या क्षेत्रात अजूनही अनेक पैलू आहेत ज्यांचा अभ्यास, चाचणी किंवा अंमलबजावणी केली गेली नाही.

त्यांच्या कार्यात, ज्याचा आपण आज विचार करत आहोत, शास्त्रज्ञ स्टीमची क्षमता प्रदर्शित करतात (खंडित टेराहर्ट्झ इलेक्ट्रॉन प्रवेगक आणि मॅनिपुलेटर) - एक खंडित टेराहर्ट्झ इलेक्ट्रॉन प्रवेगक आणि मॅनिपुलेटर. स्टीममुळे इलेक्ट्रॉन बीमची लांबी उप-पिकोसेकंद कालावधीपर्यंत कमी करणे शक्य होते, ज्यामुळे प्रवेग टप्प्यावर फेमटोसेकंद नियंत्रण मिळते.

200 MV/m (MV - मेगाव्होल्ट) चे प्रवेग क्षेत्र प्राप्त करणे शक्य होते, ज्यामुळे 70 keV ऊर्जेसह एम्बेडेड इलेक्ट्रॉन बीममधून > 55 keV (किलोइलेक्ट्रॉनव्होल्ट) चे रेकॉर्ड टेराहर्ट्झ प्रवेग होते. अशा प्रकारे, 125 keV पर्यंत प्रवेगक इलेक्ट्रॉन प्राप्त झाले.

डिव्हाइस रचना आणि अंमलबजावणी

प्रतिमा क्रमांक 1: अभ्यासाधीन उपकरणाचा आकृती.

प्रतिमा क्रमांक 1-2: a - विकसित 5-लेयर खंडित संरचनेचा आकृती, b - गणना केलेल्या प्रवेग आणि इलेक्ट्रॉन प्रसाराची दिशा यांचे गुणोत्तर.

पासून इलेक्ट्रॉन बीम (55 keV) तयार होतात इलेक्ट्रॉन बंदूक* आणि ते टेराहर्ट्झ स्टीम-बंचर (बीम कंप्रेसर) मध्ये सादर केले जातात, त्यानंतर ते स्टीम-लिनॅकमध्ये जातात (रेखीय प्रवेगक*).

इलेक्ट्रॉन गन* - आवश्यक कॉन्फिगरेशन आणि उर्जेचे इलेक्ट्रॉनचे बीम तयार करण्यासाठी एक उपकरण.

रेखीय प्रवेगक* - एक प्रवेगक ज्यामध्ये चार्ज केलेले कण फक्त एकदाच संरचनेतून जातात, जे चक्रीय प्रवेगक (उदाहरणार्थ, LHC) पासून रेखीय प्रवेगक वेगळे करतात.

दोन्ही स्टीम उपकरणांना सिंगल जवळ-इन्फ्रारेड (NIR) लेसरकडून टेराहर्ट्ज पल्स प्राप्त होतात, जे इलेक्ट्रॉन गनच्या फोटोकॅथोडला देखील फायर करतात, परिणामी इलेक्ट्रॉन आणि प्रवेगक फील्डमधील अंतर्गत समक्रमण होते. फोटोकॅथोडवर प्रकाश उत्सर्जनासाठी अल्ट्राव्हायोलेट डाळी सलग दोन टप्प्यांतून तयार होतात GVG* जवळ-अवरक्त प्रकाशाची मूलभूत तरंगलांबी. ही प्रक्रिया 1020 nm लेसर पल्स प्रथम 510 nm आणि नंतर 255 nm मध्ये रूपांतरित करते.

GVG* (ऑप्टिकल सेकंड हार्मोनिक जनरेशन) ही नॉनलाइनर मटेरियलच्या परस्परसंवादादरम्यान समान वारंवारतेचे फोटॉन एकत्र करण्याची प्रक्रिया आहे, ज्यामुळे दुप्पट ऊर्जा आणि वारंवारता, तसेच अर्ध्या तरंगलांबीसह नवीन फोटॉन तयार होतात.

एनआयआर लेसर बीमचा उर्वरित भाग 4 बीममध्ये विभागलेला आहे, ज्याचा उपयोग इंट्रा-पल्स फ्रिक्वेंसी फरक निर्माण करून चार सिंगल-सायकल टेराहर्ट्ज पल्स तयार करण्यासाठी केला जातो.

त्यानंतर दोन टेराहर्ट्झ डाळी प्रत्येक स्टीम उपकरणाला सममितीय हॉर्न स्ट्रक्चर्सद्वारे वितरित केल्या जातात जे इलेक्ट्रॉन प्रसाराच्या दिशेने परस्परसंवाद क्षेत्रामध्ये टेराहर्ट्झ ऊर्जा निर्देशित करतात.

जेव्हा इलेक्ट्रॉन प्रत्येक स्टीम उपकरणात प्रवेश करतात तेव्हा ते विद्युत आणि चुंबकीय घटकांच्या संपर्कात येतात लॉरेन्ट्झ फोर्स*.

लॉरेन्ट्झ फोर्स* - विद्युत चुंबकीय क्षेत्र चार्ज केलेल्या कणावर कार्य करते ते बल.

या प्रकरणात, विद्युत क्षेत्र प्रवेग आणि कमी होण्यास जबाबदार आहे आणि चुंबकीय क्षेत्र पार्श्व विक्षेपण कारणीभूत आहे.

प्रतिमा #2

जसे आपण चित्रांमध्ये पाहतो एक्सएनयूएमएक्स и 2b, प्रत्येक स्टीम उपकरणाच्या आत, टेराहर्ट्झ बीम पातळ धातूच्या शीटद्वारे वेगवेगळ्या जाडीच्या अनेक स्तरांमध्ये आडवापणे विभागले जातात, ज्यापैकी प्रत्येक वेव्हगाइड म्हणून कार्य करते, एकूण उर्जेचा काही भाग परस्परसंवाद क्षेत्रामध्ये हस्तांतरित करते. टेराहर्ट्झच्या आगमनाच्या वेळेत समन्वय साधण्यासाठी प्रत्येक थरामध्ये डायलेक्ट्रिक प्लेट्स देखील आहेत तरंग समोर* इलेक्ट्रॉनच्या पुढच्या भागासह.

वेव्हफ्रंट* - ज्या पृष्ठभागावर लाट पोहोचली आहे.

दोन्ही स्टीम उपकरणे इलेक्ट्रिकल मोडमध्ये कार्य करतात, म्हणजे अशा प्रकारे विद्युत क्षेत्र लादणे आणि परस्परसंवाद क्षेत्राच्या मध्यभागी चुंबकीय क्षेत्र दाबणे.

पहिल्या उपकरणात, इलेक्ट्रॉन्समधून जाण्याची वेळ असते शून्य क्रॉसिंग* terahertz फील्ड, जिथे इलेक्ट्रिक फील्डचे टाइम ग्रेडियंट्स कमाल केले जातात आणि सरासरी फील्ड कमी केले जाते.

झिरो क्रॉसिंग* - एक बिंदू जेथे तणाव नाही.

या कॉन्फिगरेशनमुळे इलेक्ट्रॉन बीमची शेपटी वेगवान होते आणि त्याचे डोके कमी होते, परिणामी बॅलिस्टिक रेखांशाचा फोकस होतो (एक्सएनयूएमएक्स и 2c).

दुसऱ्या यंत्रामध्ये, इलेक्ट्रॉन आणि टेराहर्ट्झ रेडिएशनचे सिंक्रोनाइझेशन सेट केले जाते जेणेकरून इलेक्ट्रॉन बीमला टेराहर्ट्झ इलेक्ट्रिक फील्डचे फक्त नकारात्मक चक्र अनुभवता येते. या कॉन्फिगरेशनचा परिणाम निव्वळ सतत प्रवेग होतो (2b и 2d).

NIR लेसर ही क्रायोजेनिकली कूल्ड Yb:YLF प्रणाली आहे जी 1.2 ps कालावधीची ऑप्टिकल पल्स आणि 50 nm च्या तरंगलांबी आणि 1020 Hz च्या पुनरावृत्ती दराने 10 mJ ऊर्जा तयार करते. आणि 0.29 टेराहर्ट्झ (3.44 पीएसचा कालावधी) ची मध्यवर्ती वारंवारता असलेल्या टेराहर्ट्झ डाळी झुकलेल्या पल्स फ्रंट पद्धतीद्वारे तयार केल्या जातात.

STEAM-बंचर (बीम कंप्रेसर) ला उर्जा देण्यासाठी फक्त 2 x 50 nJ टेराहर्ट्झ ऊर्जा वापरली गेली आणि STEAM-linac (रेखीय प्रवेगक) साठी 2 x 15 mJ आवश्यक आहे.

दोन्ही स्टीम उपकरणांच्या इनलेट आणि आउटलेट छिद्रांचा व्यास 120 मायक्रॉन आहे.

बीम कॉम्प्रेसर समान उंचीच्या (0 मिमी) तीन स्तरांसह डिझाइन केलेले आहे, जे वेळेवर नियंत्रण ठेवण्यासाठी 225 आणि 4.41 मिमी लांबीच्या फ्यूज्ड सिलिका प्लेट्स (ϵr = 0.42) सह सुसज्ज आहेत. कंप्रेसर लेयर्सची समान उंची कोणतेही प्रवेग नसल्याची वस्तुस्थिती दर्शवते (2c).

परंतु रेखीय प्रवेगक मध्ये उंची आधीच भिन्न आहेत - 0.225, 0.225 आणि 0.250 मिमी (+ फ्यूज्ड क्वार्ट्ज प्लेट्स 0.42 आणि 0.84 मिमी). लेयरच्या उंचीत झालेली वाढ प्रवेग दरम्यान इलेक्ट्रॉनच्या गतीमध्ये वाढ स्पष्ट करते.

शास्त्रज्ञांनी लक्षात घ्या की दोन उपकरणांपैकी प्रत्येकाच्या कार्यक्षमतेसाठी स्तरांची संख्या थेट जबाबदार आहे. प्रवेगाचे उच्च दर प्राप्त करण्यासाठी, उदाहरणार्थ, परस्परसंवाद ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी अधिक स्तर आणि भिन्न उंची कॉन्फिगरेशनची आवश्यकता असेल.

व्यावहारिक प्रयोगांचे परिणाम

प्रथम, संशोधक स्मरण करून देतात की पारंपारिक रेडिओ फ्रिक्वेन्सी प्रवेगकांमध्ये, प्रवेगक बीमच्या गुणधर्मांवर एम्बेडेड इलेक्ट्रॉन बीमच्या तात्पुरत्या व्याप्तीचा प्रभाव बीममध्ये येणा-या वेगवेगळ्या इलेक्ट्रॉनांच्या परस्परसंवादाच्या वेळी अनुभवलेल्या विद्युत क्षेत्रामध्ये झालेल्या बदलामुळे होतो. वेगवेगळ्या वेळी. अशाप्रकारे, अशी अपेक्षा केली जाऊ शकते की उच्च ग्रेडियंटसह फील्ड आणि दीर्घ कालावधीसह बीम मोठ्या प्रमाणात ऊर्जा पसरवतील. दीर्घ कालावधीच्या इंजेक्टेड बीममुळे उच्च मूल्ये देखील होऊ शकतात उत्सर्जन*.

उत्सर्जन* — चार्ज केलेल्या कणांच्या प्रवेगक बीमने व्यापलेली फेज स्पेस.

टेराहर्ट्झ प्रवेगकाच्या बाबतीत, उत्तेजित क्षेत्राचा कालावधी अंदाजे 200 पट कमी असतो. त्यामुळे, तणाव* समर्थित फील्ड 10 पट जास्त असेल.

विद्युत क्षेत्राची ताकद* - विद्युत क्षेत्राचे सूचक, या शुल्काच्या परिमाणापर्यंत फील्डमध्ये दिलेल्या बिंदूवर स्थिर पॉइंट चार्जवर लागू केलेल्या बलाच्या गुणोत्तराप्रमाणे.

अशाप्रकारे, टेराहर्ट्झ प्रवेगक मध्ये, इलेक्ट्रॉनद्वारे अनुभवलेले फील्ड ग्रेडियंट हे पारंपारिक उपकरणाच्या परिमाणापेक्षा अनेक ऑर्डर जास्त असू शकतात. फील्ड वक्रता लक्षात येण्याजोगा वेळ स्केल लक्षणीय लहान असेल. यावरून असे दिसून येते की सादर केलेल्या इलेक्ट्रॉन बीमच्या कालावधीचा अधिक स्पष्ट परिणाम होईल.

शास्त्रज्ञांनी या सिद्धांतांची प्रत्यक्ष व्यवहारात चाचणी घेण्याचे ठरविले. हे करण्यासाठी, त्यांनी वेगवेगळ्या कालावधीचे इलेक्ट्रॉन बीम सादर केले, जे प्रथम स्टीम उपकरण (स्टीम-बंचर) वापरून कॉम्प्रेशनद्वारे नियंत्रित केले गेले.

प्रतिमा #3

कंप्रेसर उर्जा स्त्रोताशी जोडलेला नसलेल्या बाबतीत, ∼55 fC (femtocoulomb) च्या चार्जसह इलेक्ट्रॉनचे बीम (1 keV) इलेक्ट्रॉन गनपासून रेखीय प्रवेगक उपकरण (STEAM-linac) पर्यंत सुमारे 300 मिमी पार करतात. हे इलेक्ट्रॉन स्पेस चार्ज फोर्सच्या प्रभावाखाली 1000 fs (फेमटोसेकंद) पेक्षा जास्त कालावधीपर्यंत विस्तारू शकतात.

या कालावधीत, इलेक्ट्रॉन बीमने 60 पीएसच्या वारंवारतेवर प्रवेगक क्षेत्राच्या अर्ध्या तरंगलांबीच्या सुमारे 1,7% भाग व्यापला होता, परिणामी 115 केव्हीच्या शिखरावर आणि ऊर्जा वितरणाच्या अर्ध्या-रुंदीसह प्रवेगोत्तर ऊर्जा स्पेक्ट्रम तयार होते. 60 केव्ही पेक्षा जास्त (एक्सएनयूएमएक्स).

या परिणामांची अपेक्षेशी तुलना करण्यासाठी, रेखीय प्रवेगक द्वारे इलेक्ट्रॉन प्रसाराची परिस्थिती सिम्युलेट केली गेली जेव्हा इलेक्ट्रॉन इष्टतम इंजेक्शन वेळेसह (म्हणजे, समक्रमित नसलेले) होते. या परिस्थितीच्या गणनेवरून असे दिसून आले की इलेक्ट्रॉन उर्जेतील वाढ ही इंजेक्शनच्या क्षणावर अवलंबून असते, उप-सेकंद टाइम स्केलपर्यंत (3b). म्हणजेच, इष्टतम सेटिंगसह, इलेक्ट्रॉनला प्रत्येक थरामध्ये टेराहर्ट्झ रेडिएशन प्रवेगचे पूर्ण अर्ध-चक्र अनुभवेल (3c).

जर इलेक्ट्रॉन वेगवेगळ्या वेळी येतात, तर त्यांना पहिल्या थरात कमी प्रवेग येतो, ज्यामुळे त्यांना त्यामधून प्रवास करण्यास जास्त वेळ लागतो. डिसिंक्रोनाइझेशन नंतर खालील स्तरांमध्ये वाढते, ज्यामुळे अवांछित मंदी येते (3d).

इलेक्ट्रॉन बीमच्या टेम्पोरल एक्स्टेंशनचा नकारात्मक प्रभाव कमी करण्यासाठी, पहिले स्टीम डिव्हाइस कॉम्प्रेशन मोडमध्ये ऑपरेट केले गेले. कंप्रेसरला पुरवलेल्या टेराहर्ट्झ ऊर्जेला ट्यून करून आणि लिनॅकला हॅच मोडवर स्विच करून लिनॅकवरील इलेक्ट्रॉन बीमचा कालावधी कमीत कमी ~350 fs (अर्धा रुंदी) पर्यंत ऑप्टिमाइझ केला गेला (4b).

प्रतिमा #4

किमान बीम कालावधी फोटोकॅथोड यूव्ही पल्सच्या कालावधीनुसार सेट केला होता, जो ~ 600 fs होता. कंप्रेसर आणि स्ट्रिपमधील अंतर देखील महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते, ज्यामुळे जाड होण्याच्या शक्तीची गती मर्यादित होती. एकत्रितपणे, हे उपाय प्रवेग टप्प्याच्या इंजेक्शन टप्प्यात फेमटोसेकंद अचूकता सक्षम करतात.

प्रतिमेवर एक्सएनयूएमएक्स हे पाहिले जाऊ शकते की रेखीय प्रवेगक मध्ये ऑप्टिमाइझ केलेल्या प्रवेगानंतर कॉम्प्रेस्ड इलेक्ट्रॉन बीमचा उर्जा प्रसार असंपीडित इलेक्ट्रॉनच्या तुलनेत ~ 4 पट कमी होतो. प्रवेगामुळे, संकुचित बीमचा उर्जा स्पेक्ट्रम उच्च उर्जेकडे हलविला जातो, असंपीडित बीमच्या उलट. प्रवेगानंतर उर्जा स्पेक्ट्रमचे शिखर सुमारे 115 keV असते आणि उच्च-ऊर्जा शेपूट सुमारे 125 keV पर्यंत पोहोचते.

हे आकडे, शास्त्रज्ञांच्या माफक विधानानुसार, टेराहर्ट्झ श्रेणीतील एक नवीन प्रवेग रेकॉर्ड (प्रवेगपूर्वी ते 70 केव्ही होते) आहेत.

परंतु उर्जेचा प्रसार कमी करण्यासाठी (एक्सएनयूएमएक्स), आणखी लहान बीम प्राप्त करणे आवश्यक आहे.

प्रतिमा #5

अनकंप्रेस्ड इंट्रोडेटेड बीमच्या बाबतीत, विद्युत् प्रवाहावरील तुळईच्या आकाराचे पॅराबॉलिक अवलंबित्व आडव्या आणि उभ्या दिशांमधील ट्रान्सव्हर्स उत्सर्जन प्रकट करते: εx,n = 1.703 मिमी*mrad आणि εy,n = 1.491 मिमी*mrad (एक्सएनयूएमएक्स).

कॉम्प्रेशनने, उलट, ट्रान्सव्हर्स उत्सर्जन εx,n = 6 mm*mrad (क्षैतिज) आणि εy,n = 0,285 mm*mrad (लंबवत) पर्यंत 0,246 पटीने सुधारले.

हे लक्षात घेण्यासारखे आहे की उत्सर्जन कमी होण्याची डिग्री बीम कालावधी कमी करण्याच्या डिग्रीपेक्षा अंदाजे दुप्पट आहे, जे प्रवेग दरम्यान चुंबकीय क्षेत्राचे मजबूत फोकसिंग आणि डीफोकसिंग अनुभवते तेव्हा वेळेसह परस्परसंवादाच्या गतिशीलतेच्या नॉनलाइनरिटीचे मोजमाप आहे (5b и 5c).

प्रतिमेवर 5b हे पाहिले जाऊ शकते की इष्टतम वेळी सादर केलेले इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राच्या प्रवेगाचे संपूर्ण अर्ध-चक्र अनुभवतात. परंतु इष्टतम वेळेच्या आधी किंवा नंतर येणारे इलेक्ट्रॉन्स कमी प्रवेग आणि अगदी आंशिक मंदी अनुभवतात. असे इलेक्ट्रॉन कमी उर्जेसह संपतात, ढोबळमानाने.

चुंबकीय क्षेत्राच्या संपर्कात आल्यावर अशीच परिस्थिती दिसून येते. इष्टतम वेळी इंजेक्ट केलेले इलेक्ट्रॉन सकारात्मक आणि नकारात्मक चुंबकीय क्षेत्रांच्या सममितीय प्रमाणात अनुभवतात. जर इष्टतम वेळेपूर्वी इलेक्ट्रॉनचा परिचय झाला असेल, तर तेथे अधिक सकारात्मक फील्ड आणि कमी नकारात्मक क्षेत्रे होती. जर इलेक्ट्रॉन इष्टतम वेळेपेक्षा नंतर सादर केले गेले, तर कमी सकारात्मक आणि अधिक नकारात्मक असतील (5c). आणि अशा विचलनांमुळे इलेक्ट्रॉन अक्षाशी संबंधित त्याच्या स्थितीनुसार डावीकडे, उजवीकडे, वर किंवा खाली विचलित होऊ शकतो, ज्यामुळे बीमच्या फोकसिंग किंवा डीफोकसिंगशी संबंधित ट्रान्सव्हर्स गती वाढते.

अभ्यासाच्या बारकाव्यांबद्दल अधिक तपशीलवार परिचित होण्यासाठी, मी पहाण्याची शिफारस करतो शास्त्रज्ञांनी अहवाल दिला и अतिरिक्त साहित्य त्याला.

एपिलोग

सारांश, इलेक्ट्रॉन बीमचा कालावधी कमी केल्यास प्रवेगक कामगिरी वाढेल. या कामात, प्राप्य बीम कालावधी स्थापनेच्या भूमितीद्वारे मर्यादित होता. परंतु, सिद्धांतानुसार, बीम कालावधी 100 fs पेक्षा कमी पोहोचू शकतो.

शास्त्रज्ञांनी असेही नमूद केले आहे की थरांची उंची कमी करून आणि त्यांची संख्या वाढवून बीमची गुणवत्ता आणखी सुधारली जाऊ शकते. तथापि, ही पद्धत समस्यांशिवाय नाही, विशेषतः डिव्हाइसच्या निर्मितीची जटिलता वाढवते.

हे काम रेखीय प्रवेगकाच्या सूक्ष्म आवृत्तीच्या अधिक विस्तृत आणि तपशीलवार अभ्यासाचा प्रारंभिक टप्पा आहे. चाचणी केलेली आवृत्ती आधीच उत्कृष्ट परिणाम दर्शवित आहे हे असूनही, ज्याला योग्यरित्या रेकॉर्ड-ब्रेकिंग म्हटले जाऊ शकते, तरीही बरेच काम करायचे आहे.

तुमचे लक्ष दिल्याबद्दल धन्यवाद, उत्सुक रहा आणि प्रत्येकाचा आठवडा चांगला जावो! 🙂

आमच्यासोबत राहिल्याबद्दल धन्यवाद. तुम्हाला आमचे लेख आवडतात का? अधिक मनोरंजक सामग्री पाहू इच्छिता? ऑर्डर देऊन किंवा मित्रांना शिफारस करून आम्हाला समर्थन द्या, एंट्री-लेव्हल सर्व्हरच्या अनन्य अॅनालॉगवर Habr वापरकर्त्यांसाठी 30% सवलत, ज्याचा शोध आम्ही तुमच्यासाठी लावला आहे: VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps बद्दल संपूर्ण सत्य $20 पासून किंवा सर्व्हर कसा शेअर करायचा? (RAID1 आणि RAID10 सह उपलब्ध, 24 कोर पर्यंत आणि 40GB DDR4 पर्यंत).

Dell R730xd 2 पट स्वस्त? फक्त इथेच 2 x इंटेल टेट्राडेका-कोर Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 टीव्ही $199 पासून नेदरलँड मध्ये! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 पासून! बद्दल वाचा इन्फ्रास्ट्रक्चर कॉर्पोरेशन कसे तयार करावे. डेल R730xd E5-2650 v4 सर्व्हरचा वापर करून 9000 युरो किमतीचा वर्ग?

स्त्रोत: www.habr.com