सॅमसंग 160-लेयर 3D NAND मेमरीच्या विकासाला गती देतो

या आठवड्यात चिनी कंपनी वाय.एम.टी.सी नोंदवले रेकॉर्ड-ब्रेकिंग 128-लेयर 3D NAND फ्लॅश मेमरीच्या विकासावर. चायनीज 96-लेयर मेमरी निर्मितीचा टप्पा वगळतील आणि वर्षाच्या शेवटी ते लगेच 128-लेयर मेमरी तयार करण्यास सुरवात करतील. अशा प्रकारे, ते उद्योगातील नेत्यांच्या पातळीवर पोहोचतील, जे बैलासमोर लाल चिंधी ओवाळण्यासारखे आहे. आणि "बैल" अपेक्षेप्रमाणे प्रतिक्रिया देत होते.

दक्षिण कोरियन साइट ETNews आज नोंदवलेसॅमसंगने 160-लेयर 3D NAND (किंवा V-NAND, ज्याला कंपनी मल्टी-लेयर फ्लॅश मेमरी म्हणतात) च्या विकासाला गती दिली आहे. सॅमसंग याला “सुपर गॅप” धोरण म्हणतो, किंवा पुढे खेळत आहे, ज्याने दक्षिण कोरियाच्या तंत्रज्ञान नेत्यांना स्पर्धेच्या पुढे राहण्यास मदत केली पाहिजे. सॅमसंगचे यश दक्षिण कोरियाच्या अर्थव्यवस्थेच्या केंद्रस्थानी असल्याने, ही संपूर्ण देशाच्या समृद्धीची बाब आहे, त्यामुळे कंपनी आपले काम गांभीर्याने घेते.

सॅमसंगने 100+ लेयर्ससह मेमरी सादर केली गेल्या वर्षी ऑगस्ट. आम्ही असे गृहीत धरू शकतो की कंपनी सलग तिसऱ्या तिमाहीत पारंपारिकपणे 128-लेयर मेमरी सोडत आहे (थरांची अचूक संख्या निश्चितपणे अज्ञात आहे). सीनवर पुढे 160 किंवा त्याहून अधिक लेयर्स असलेली Samsung मेमरी असावी. ती V-NAND मेमरीच्या 7 व्या पिढीतील असेल. अफवांच्या मते, कंपनीने त्याच्या विकासात लक्षणीय प्रगती केली आहे. असे मत आहे की 160D NAND मेमरीच्या मागील सर्व पिढ्यांप्रमाणेच सॅमसंग 3-लेयरचा टप्पा गाठणारा पहिला असेल.

स्त्रोत: 3dnews.ru