सॅमसंग प्रत्येक नॅनोमीटर मोजतो: 7 nm नंतर, 6-, 5-, 4- आणि 3-nm प्रक्रिया तंत्रज्ञान जाईल

आज सॅमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स नोंदवले सेमीकंडक्टरच्या उत्पादनासाठी तांत्रिक प्रक्रियेच्या विकासाच्या योजनांबद्दल. पेटंट MBCFET ट्रान्झिस्टरवर आधारित प्रायोगिक 3-nm चिप्सच्या डिजिटल प्रकल्पांची निर्मिती ही कंपनी सध्याची मुख्य उपलब्धी मानते. हे उभ्या FET गेट्स (मल्टी-ब्रिज-चॅनल FET) मध्ये एकाधिक क्षैतिज नॅनोपेज चॅनेल असलेले ट्रान्झिस्टर आहेत.

IBM सह युतीचा एक भाग म्हणून, सॅमसंगने पूर्णपणे गेट्स (जीएए किंवा गेट-ऑल-अराउंड) वेढलेल्या चॅनेलसह ट्रान्झिस्टरच्या उत्पादनासाठी थोडे वेगळे तंत्रज्ञान विकसित केले. वाहिन्या नॅनोवायरच्या स्वरूपात पातळ केल्या पाहिजेत. त्यानंतर, सॅमसंग या योजनेपासून दूर गेला आणि नॅनोपेजेसच्या स्वरूपात चॅनेलसह ट्रान्झिस्टर रचना पेटंट केली. ही रचना आपल्याला पृष्ठांची संख्या (चॅनेल) दोन्ही हाताळून आणि पृष्ठांची रुंदी समायोजित करून ट्रान्झिस्टरची वैशिष्ट्ये नियंत्रित करण्यास अनुमती देते. शास्त्रीय FET तंत्रज्ञानासाठी, अशी युक्ती अशक्य आहे. FinFET ट्रान्झिस्टरची शक्ती वाढवण्यासाठी, सब्सट्रेटवरील FET पंखांची संख्या गुणाकार करणे आवश्यक आहे आणि यासाठी क्षेत्र आवश्यक आहे. MBCFET ट्रान्झिस्टरची वैशिष्ट्ये एका भौतिक गेटमध्ये बदलली जाऊ शकतात, ज्यासाठी तुम्हाला चॅनेलची रुंदी आणि त्यांची संख्या सेट करणे आवश्यक आहे.

GAA प्रक्रियेचा वापर करून उत्पादनासाठी प्रोटोटाइप चिपच्या डिजिटल डिझाइनची (टेप आउट) उपलब्धता सॅमसंगला MBCFET ट्रान्झिस्टरच्या क्षमतांची मर्यादा निर्धारित करण्यास अनुमती देते. हे लक्षात घेतले पाहिजे की हा अद्याप संगणक मॉडेलिंग डेटा आहे आणि नवीन तांत्रिक प्रक्रियेचा निर्णय मोठ्या प्रमाणावर उत्पादनात लॉन्च झाल्यानंतरच केला जाऊ शकतो. तथापि, एक प्रारंभ बिंदू आहे. कंपनीने म्हटले आहे की 7nm प्रक्रियेपासून (स्पष्टपणे पहिली पिढी) GAA प्रक्रियेत संक्रमण केल्याने डाई एरियामध्ये 45% कपात होईल आणि वापरामध्ये 50% कपात होईल. आपण वापरावर बचत न केल्यास, उत्पादकता 35% वाढू शकते. यापूर्वी, सॅमसंगने 3nm प्रक्रियेकडे जाताना बचत आणि उत्पादकता वाढली होती सूचीबद्ध स्वल्पविरामाने विभक्त. हे एकतर किंवा दुसरे असल्याचे निष्पन्न झाले.

कंपनी स्वतंत्र चिप डेव्हलपर आणि फॅबलेस कंपन्यांसाठी सार्वजनिक क्लाउड प्लॅटफॉर्म तयार करणे हे 3nm प्रक्रिया तंत्रज्ञान लोकप्रिय करण्यासाठी एक महत्त्वाचा मुद्दा मानते. सॅमसंगने उत्पादन सर्व्हरवरील विकास वातावरण, प्रकल्प सत्यापन आणि लायब्ररी लपविल्या नाहीत. SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) प्लॅटफॉर्म जगभरातील डिझायनर्ससाठी उपलब्ध असेल. SAFE क्लाउड प्लॅटफॉर्म Amazon Web Services (AWS) आणि Microsoft Azure सारख्या प्रमुख सार्वजनिक क्लाउड सेवांच्या सहभागाने तयार केले गेले. Cadence आणि Synopsys मधील डिझाईन सिस्टम्सच्या विकसकांनी त्यांची डिझाइन टूल्स SAFE मध्ये प्रदान केली. हे सॅमसंग प्रक्रियेसाठी नवीन उपाय तयार करणे सोपे आणि स्वस्त बनविण्याचे वचन देते.

सॅमसंगच्या 3nm प्रक्रिया तंत्रज्ञानाकडे परत येताना, कंपनीने त्याच्या चिप विकास पॅकेजची पहिली आवृत्ती सादर केली - 3nm GAE PDK आवृत्ती 0.1. त्याच्या मदतीने, तुम्ही आजच 3nm सोल्यूशन्स डिझाईन करणे सुरू करू शकता किंवा सॅमसंगच्या या प्रक्रियेची व्यापकता झाल्यावर ती पूर्ण करण्यासाठी किमान तयारी करू शकता.

सॅमसंगने पुढीलप्रमाणे आपल्या भविष्यातील योजना जाहीर केल्या. या वर्षाच्या उत्तरार्धात, 6nm प्रक्रिया वापरून चिप्सचे मोठ्या प्रमाणावर उत्पादन सुरू केले जाईल. त्याच वेळी, 4nm प्रक्रिया तंत्रज्ञानाचा विकास पूर्ण केला जाईल. 5nm प्रक्रिया वापरून पहिल्या सॅमसंग उत्पादनांचा विकास या गडी बाद होण्याचा क्रम पूर्ण होईल, पुढील वर्षाच्या पहिल्या सहामाहीत उत्पादन सुरू होईल. तसेच, या वर्षाच्या अखेरीस, Samsung 18FDS प्रक्रिया तंत्रज्ञान (FD-SOI वेफर्सवर 18 nm) आणि 1-Gbit eMRAM चिप्सचा विकास पूर्ण करेल. 7 nm ते 3 nm पर्यंत प्रक्रिया तंत्रज्ञान EUV स्कॅनरचा वापर वाढत्या तीव्रतेसह करेल, ज्यामुळे प्रत्येक नॅनोमीटर मोजला जाईल. पुढे उतरताना प्रत्येक पाऊल लढा देऊन टाकले जाईल.

स्त्रोत: 3dnews.ru