वर्षाच्या शेवटी, चिनी निर्माता चांगक्सिन मेमरी 8-Gbit LPDDR4 चिप्सचे उत्पादन सुरू करेल

तैवानमधील उद्योग सूत्रांनी दिलेल्या माहितीनुसार, जे संदर्भ देते इंटरनेट संसाधन DigiTimes, चिनी मेमरी निर्माता ChangXin Memory Technologies (CXMT) LPDDR4 मेमरीच्या मोठ्या प्रमाणावर उत्पादनासाठी ओळी तयार करत आहे. इनोट्रॉन मेमरी म्हणून ओळखल्या जाणार्‍या ChangXin ने 19nm तंत्रज्ञानाचा वापर करून स्वतःची DRAM उत्पादन प्रक्रिया विकसित केली आहे.

पहिल्या 300 मिमी एंटरप्राइझमध्ये मेमरीच्या व्यावसायिक उत्पादनासाठी, चांगझिनला हे करावे लागले प्रारंभ 2019 च्या पहिल्या सहामाहीत. अरेरे, हे अद्याप झाले नाही. परंतु 8-Gbit DDR4 LPDDR4 चीपचे उत्पादन सुरू केल्यावर दर महिन्याला 20 हजार 300-nm सिलिकॉन वेफर्स क्षमतेचा विस्तार केला जाईल. चांगक्सिन एंटरप्राइझमधील ओळींची कमाल क्षमता दरमहा 125 हजार 300 मिमी वेफर्सपर्यंत पोहोचते. पण ही मर्यादाही नाही. 300 मिमी मेमरी वेफर्सवर प्रक्रिया करण्यासाठी पुढील वर्षी दुसरा प्लांट बांधण्यास सुरुवात करणार असल्याचे कंपनीने म्हटले आहे.

त्याच वेळी, या चिनी उत्पादकाला वेगळ्या प्रकारच्या समस्यांचा सामना करावा लागू शकतो. आपण स्मरण करूया की DRAM मेमरीचे मोठ्या प्रमाणावर उत्पादन सुरू करणारी पहिली चीनी कंपनी फुजियान जिन्हुआ होती. मंजूरी यादीत समाविष्ट केले होते अमेरिकन भागीदारांकडून उत्पादन उपकरणे खरेदी करण्यावर बंदी असलेले यूएसए. तैवानमध्ये, त्यांचा विश्वास आहे की चांगक्सिनला फुजियानसारख्याच समस्यांना तोंड द्यावे लागेल. याव्यतिरिक्त, जपानी Elpida च्या माजी तैवानी उपकंपनीमधून पात्र अभियंत्यांची भरती केली, ज्यांचा व्यवसाय अमेरिकन मायक्रोनने आत्मसात केला होता. विश्लेषकांना मायक्रॉनकडून चांगक्सिन विरुद्ध दावे अपेक्षित आहेत आणि जर चिनी बाजूने प्रतिसाद दिला नाही तर प्रतिबंध.

समांतर, ChangXin 17 nm मानकांसह मेमरी तयार करण्यासाठी तांत्रिक प्रक्रिया विकसित करत आहे. 2021 मध्ये विकास पूर्ण होणे अपेक्षित आहे. कदाचित, दुसरा चांगक्सिन प्लांट या मानकांसह DRAM क्रिस्टल्सच्या उत्पादनासह काम सुरू करेल. जोपर्यंत, अर्थातच, यूएस निर्बंध आणि मायक्रॉनचे डावपेच तिच्या मार्गात एक दुर्गम अडथळा बनत नाहीत.

स्त्रोत: 3dnews.ru