नॅनोमीटर सेमीकंडक्टरच्या उत्पादनासाठी एक नवीन तंत्रज्ञान यूएसएमध्ये विकसित केले गेले आहे

सेमीकंडक्टर उत्पादन तंत्रज्ञान सुधारल्याशिवाय मायक्रोइलेक्ट्रॉनिकच्या पुढील विकासाची कल्पना करणे अशक्य आहे. सीमांचा विस्तार करण्यासाठी आणि क्रिस्टल्सवर कधीही लहान घटक कसे तयार करावे हे शिकण्यासाठी, नवीन तंत्रज्ञान आणि नवीन साधनांची आवश्यकता आहे. यापैकी एक तंत्रज्ञान अमेरिकन शास्त्रज्ञांनी केलेला एक अपूर्व विकास असू शकतो.

यूएस डिपार्टमेंट ऑफ एनर्जीच्या अर्गोन नॅशनल लॅबोरेटरीतील संशोधकांची टीम विकसित झाले आहे स्फटिकांच्या पृष्ठभागावर पातळ फिल्म्स तयार आणि कोरीव करण्याचे नवीन तंत्र. यामुळे आजच्या आणि नजीकच्या भविष्यात चिप्सचे उत्पादन कमी प्रमाणात होऊ शकते. केमिस्ट्री ऑफ मटेरियल्स या जर्नलमध्ये हा अभ्यास प्रकाशित झाला आहे.

प्रस्तावित तंत्र पारंपारिक प्रक्रियेसारखे आहे अणू थर जमा करणे आणि एचिंग, केवळ अजैविक चित्रपटांऐवजी, नवीन तंत्रज्ञान सेंद्रिय चित्रपट तयार करते आणि कार्य करते. वास्तविक, सादृश्यतेनुसार, नवीन तंत्रज्ञानाला मॉलेक्युलर लेयर डिपॉझिशन (एमएलडी, मॉलिक्युलर लेयर डिपॉझिशन) आणि मॉलिक्युलर लेयर एचिंग (MLE, मॉलिक्युलर लेयर एचिंग) म्हणतात.

अणू लेयर एचिंगच्या बाबतीत, MLE पद्धतीमध्ये सेंद्रिय-आधारित सामग्रीच्या फिल्म्ससह क्रिस्टलच्या पृष्ठभागाच्या चेंबरमध्ये गॅस प्रक्रिया वापरली जाते. फिल्म दिलेल्या जाडीपर्यंत पातळ होईपर्यंत क्रिस्टलवर चक्रीय पद्धतीने दोन वेगवेगळ्या वायूंनी प्रक्रिया केली जाते.

रासायनिक प्रक्रिया स्वयं-नियमन कायद्याच्या अधीन आहेत. याचा अर्थ असा की थरानंतरचा थर समान रीतीने आणि नियंत्रित पद्धतीने काढला जातो. आपण फोटोमास्क वापरत असल्यास, आपण चिपवर भविष्यातील चिपचे टोपोलॉजी पुनरुत्पादित करू शकता आणि उच्च अचूकतेसह डिझाइन कोरू शकता.

प्रयोगात, शास्त्रज्ञांनी लिथियम क्षार असलेला वायू आणि आण्विक कोरीव कामासाठी ट्रायमेथिलाल्युमिनियमवर आधारित वायू वापरला. एचिंग प्रक्रियेदरम्यान, लिथियम कंपाऊंडने अॅल्युकोन फिल्मच्या पृष्ठभागावर अशा प्रकारे प्रतिक्रिया दिली की लिथियम पृष्ठभागावर जमा होते आणि फिल्ममधील रासायनिक बंध नष्ट होते. नंतर ट्रायमेथिलाल्युमिनियमचा पुरवठा केला गेला, ज्याने लिथियमसह फिल्मचा थर काढून टाकला आणि चित्रपट इच्छित जाडीपर्यंत कमी होईपर्यंत एक-एक करत. प्रक्रियेची चांगली नियंत्रणक्षमता, शास्त्रज्ञांच्या मते, प्रस्तावित तंत्रज्ञानाला अर्धसंवाहक उत्पादनाच्या विकासास चालना मिळू शकते.

स्त्रोत: 3dnews.ru