Satu-satunya pembangun cip memori MRAM magnetoresistif diskret dunia, Everspin Technologies, terus menambah baik teknologi pengeluaran. Hari ini Everspin dan GlobalFoundries bersama-sama membangunkan teknologi untuk penghasilan litar mikro STT-MRAM dengan piawaian 12 nm dan transistor FinFET.
Everspin mempunyai lebih 650 paten dan aplikasi yang berkaitan dengan memori MRAM. Ini adalah ingatan, menulis ke sel yang serupa dengan menulis maklumat pada plat magnet cakera keras. Hanya dalam kes litar mikro, setiap sel mempunyai kepala magnet sendiri (bersyarat). Memori STT-MRAM yang menggantikannya, berdasarkan kesan pemindahan momentum putaran elektron, beroperasi dengan kos tenaga yang lebih rendah, kerana ia menggunakan arus yang lebih rendah dalam mod tulis dan baca.
Pada mulanya, memori MRAM yang dipesan oleh Everspin dihasilkan oleh NXP di kilangnya di Amerika Syarikat. Pada 2014, Everspin memeterai perjanjian kerja bersama dengan GlobalFoundries. Bersama-sama, mereka mula membangunkan proses pembuatan MRAM (STT-MRAM) diskret dan terbenam menggunakan proses pembuatan yang lebih maju.
Dari masa ke masa, kemudahan GlobalFoundries melancarkan pengeluaran cip STT-MRAM 40-nm dan 28-nm (berakhir dengan produk baharu - cip STT-MRAM diskret 1-Gbit), dan juga menyediakan teknologi proses 22FDX untuk menyepadukan STT- Susunan MRAM ke dalam pengawal menggunakan teknologi proses nm 22-nm pada wafer FD-SOI. Perjanjian baharu antara Everspin dan GlobalFoundries akan membawa kepada pemindahan pengeluaran cip STT-MRAM kepada teknologi proses 12-nm.
Memori MRAM menghampiri prestasi memori SRAM dan berpotensi menggantikannya dalam pengawal untuk Internet of Things. Pada masa yang sama, ia tidak meruap dan lebih tahan haus berbanding memori NAND konvensional. Peralihan kepada standard 12 nm akan meningkatkan ketumpatan rakaman MRAM, dan ini adalah kelemahan utamanya.
Sumber: 3dnews.ru