Samsung Electronics terus menyelami teknologi proses 10 nm. Kali ini, hanya 16 bulan selepas permulaan pengeluaran besar-besaran memori DDR4 menggunakan teknologi proses kelas 10nm generasi kedua (1y-nm), pengeluar Korea Selatan telah menyelesaikan pembangunan memori DDR4 menggunakan generasi ketiga kelas 10 nm ( 1z-nm) teknologi proses. Apa yang penting ialah proses kelas 10nm generasi ketiga masih menggunakan pengimbas litografi 193nm dan tidak bergantung pada pengimbas EUV berprestasi rendah. Ini bermakna peralihan kepada pengeluaran besar-besaran memori menggunakan teknologi proses 1z-nm terkini akan menjadi agak cepat dan tanpa kos kewangan yang ketara untuk melengkapkan semula talian.
Syarikat itu akan memulakan pengeluaran besar-besaran cip DDR8 4-Gbit menggunakan teknologi proses 1z-nm kelas 10 nm pada separuh kedua tahun ini. Seperti yang menjadi kebiasaan sejak peralihan kepada teknologi proses 20nm, Samsung tidak mendedahkan spesifikasi tepat teknologi proses tersebut. Diandaikan bahawa proses teknikal kelas 1x-nm 10-nm syarikat memenuhi piawaian 18 nm, proses 1y-nm memenuhi piawaian 17- atau 16-nm, dan 1z-nm terkini memenuhi piawaian 16- atau 15-nm, dan mungkin sehingga 13 nm. Walau apa pun, mengurangkan skala proses teknikal sekali lagi meningkatkan hasil kristal dari satu wafer, seperti yang diakui oleh Samsung, sebanyak 20%. Pada masa hadapan, ini akan membolehkan syarikat menjual memori baharu dengan lebih murah atau pada margin yang lebih baik sehingga pesaing mencapai keputusan yang sama dalam pengeluaran. Walau bagaimanapun, agak membimbangkan bahawa Samsung tidak dapat mencipta kristal 1z-nm 16 Gbit DDR4. Ini mungkin membayangkan jangkaan peningkatan kadar kecacatan dalam pengeluaran.
Menggunakan generasi ketiga teknologi proses kelas 10nm, syarikat itu akan menjadi yang pertama menghasilkan memori pelayan dan memori untuk PC mewah. Pada masa hadapan, teknologi proses kelas 1z-nm 10nm akan disesuaikan untuk penghasilan memori DDR5, LPDDR5 dan GDDR6. Pelayan, peranti mudah alih dan grafik akan dapat memanfaatkan sepenuhnya memori yang lebih pantas dan kurang memerlukan memori, yang akan dipermudahkan oleh peralihan kepada piawaian pengeluaran yang lebih nipis.
Sumber: 3dnews.ru