Din il-ġimgħa l-kumpanija Ċiniża YMTC dwar l-iżvilupp ta 'memorja flash 128D NAND ta' 3 saff li tkisser ir-rekords. Iċ-Ċiniżi se jaqbżu l-istadju tal-produzzjoni ta 'memorja ta' 96 saff u fl-aħħar tas-sena immedjatament jibdew jipproduċu memorja ta '128 saff. Għalhekk, se jilħqu l-livell ta 'mexxejja tal-industrija, li huwa ekwivalenti għal waving rag aħmar quddiem barri. U l-"barrin" irreaġixxew kif mistenni.
Is-sit tal-Korea t'Isfel ETNews illum li Samsung aċċellerat l-iżvilupp ta '160-saff 3D NAND (jew V-NAND, kif il-kumpanija ssejjaħ memorja flash b'ħafna saffi). Samsung isejħilha strateġija "super gap", jew playing ahead, li għandha tgħin lill-mexxejja tat-teknoloġija tal-Korea t'Isfel jibqgħu quddiem il-kompetizzjoni. Peress li s-suċċess ta 'Samsung jinsab fil-qalba tal-ekonomija tal-Korea t'Isfel, hija kwistjoni ta' prosperità għan-nazzjon kollu, għalhekk il-kumpanija tieħu x-xogħol tagħha bis-serjetà.
Samsung introduċa memorja b'100+ saff ġewwa . Nistgħu nassumu li l-kumpanija ilha tirrilaxxa konvenzjonalment memorja ta '128 saff għat-tielet kwart konsekuttiv (in-numru eżatt ta' saffi għadu mhux magħruf għal ċert). Li jmiss fix-xena għandu jkun il-memorja Samsung b'160 jew saħansitra aktar saff. Se jappartjeni għas-7 ġenerazzjoni tal-memorja V-NAND. Skont xnigħat, il-kumpanija għamlet progress sinifikanti fl-iżvilupp tagħha. Hemm opinjoni li Samsung se tkun l-ewwel li tilħaq il-marka ta '160 saff, kif ġara mal-ġenerazzjonijiet preċedenti kollha ta' memorja 3D NAND.
Sors: 3dnews.ru