Illum Samsung Electronics dwar pjanijiet għall-iżvilupp ta 'proċessi tekniċi għall-produzzjoni ta' semikondutturi. Il-kumpanija tqis il-ħolqien ta 'proġetti diġitali ta' ċipep sperimentali ta '3-nm ibbażati fuq transisters MBCFET patentati bħala l-kisba attwali ewlenija. Dawn huma transisters b'kanali ta 'nanopage orizzontali multipli f'gradi vertikali tal-FET (Multi-Bridge-Channel FET).
Bħala parti minn alleanza ma 'IBM, Samsung żviluppat teknoloġija kemmxejn differenti għall-produzzjoni ta' transistors b'kanali kompletament imdawra minn gradi (GAA jew Gate-All-Around). Il-kanali kellhom isiru rqaq fil-forma ta 'nanowires. Sussegwentement, Samsung tbiegħed minn din l-iskema u pprivattiva struttura ta 'transistor b'kanali fil-forma ta' nanopages. Din l-istruttura tippermettilek tikkontrolla l-karatteristiċi tat-transistors billi timmanipula kemm in-numru ta 'paġni (kanali) kif ukoll taġġusta l-wisa' tal-paġni. Għat-teknoloġija FET klassika, manuvra bħal din hija impossibbli. Biex tiżdied il-qawwa ta 'transistor FinFET, huwa meħtieġ li jiġi mmultiplikat in-numru ta' xewk FET fuq is-sottostrat, u dan jeħtieġ żona. Il-karatteristiċi tat-transistor MBCFET jistgħu jinbidlu f'bieb fiżiku wieħed, li għalih trid tissettja l-wisa 'tal-kanali u n-numru tagħhom.
Id-disponibbiltà ta 'disinn diġitali (taped out) ta' ċippa prototip għall-produzzjoni bl-użu tal-proċess GAA ppermettiet lil Samsung tiddetermina l-limiti tal-kapaċitajiet tat-transistors MBCFET. Wieħed għandu jżomm f'moħħu li din għadha data tal-immudellar tal-kompjuter u l-proċess tekniku ġdid jista 'jiġi ġġudikat biss finalment wara li jkun ġie mniedi fil-produzzjoni tal-massa. Madankollu, hemm punt tat-tluq. Il-kumpanija qalet li t-tranżizzjoni mill-proċess 7nm (ovvjament l-ewwel ġenerazzjoni) għall-proċess GAA se tipprovdi tnaqqis ta '45% fiż-żona tad-die u tnaqqis ta' 50% fil-konsum. Jekk ma tiffrankax il-konsum, il-produttività tista 'tiżdied b'35%. Preċedentement, Samsung ra tfaddil u gwadann fil-produttività meta tgħaddi għall-proċess 3nm separati b'virgoli. Irriżulta li kien jew wieħed jew ieħor.
Il-kumpanija tqis il-preparazzjoni ta 'pjattaforma ta' sħab pubbliku għal żviluppaturi ta 'ċippa indipendenti u kumpaniji fabless bħala punt importanti fil-popolarizzazzjoni tat-teknoloġija tal-proċess 3nm. Samsung ma ħebitx l-ambjent ta 'żvilupp, il-verifika tal-proġett u l-libreriji fuq is-servers tal-produzzjoni. Il-pjattaforma SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) se tkun disponibbli għad-disinjaturi madwar id-dinja. Il-pjattaforma tal-cloud SAFE inħolqot bil-parteċipazzjoni ta’ servizzi tal-cloud pubbliċi ewlenin bħal Amazon Web Services (AWS) u Microsoft Azure. L-iżviluppaturi tas-sistemi tad-disinn minn Cadence u Synopsys ipprovdew l-għodod tad-disinn tagħhom fi ħdan SAFE. Dan iwiegħed li jagħmilha aktar faċli u orħos biex jinħolqu soluzzjonijiet ġodda għall-proċessi Samsung.
Nirritornaw għat-teknoloġija tal-proċess 3nm ta 'Samsung, ejja nżidu li l-kumpanija ppreżentat l-ewwel verżjoni tal-pakkett ta' żvilupp taċ-ċippa tagħha - 3nm GAE PDK Version 0.1. Bl-għajnuna tagħha, tista 'tibda tfassal soluzzjonijiet ta' 3nm illum, jew għall-inqas tipprepara biex tissodisfa dan il-proċess Samsung meta jsir mifrux.
Samsung tħabbar il-pjanijiet futuri tagħha kif ġej. Fit-tieni nofs ta 'din is-sena, se titnieda l-produzzjoni tal-massa ta' ċipep bl-użu tal-proċess 6nm. Fl-istess ħin, se jitlesta l-iżvilupp tat-teknoloġija tal-proċess 4nm. L-iżvilupp tal-ewwel prodotti Samsung li jużaw il-proċess 5nm se jitlesta dan it-tnaqqis, bi tnedija tal-produzzjoni fl-ewwel nofs tas-sena d-dieħla. Ukoll, sal-aħħar ta 'din is-sena, Samsung se jlesti l-iżvilupp tat-teknoloġija tal-proċess 18FDS (18 nm fuq wejfers FD-SOI) u ċipep eMRAM ta' 1 Gbit. Teknoloġiji tal-proċess minn 7 nm sa 3 nm se jużaw skaners EUV b'intensità dejjem tiżdied, u jagħmlu kull nanometru jgħodd. Aktar fit-triq 'l isfel, kull pass se jittieħed bi ġlieda.
Sors: 3dnews.ru