ပြင်သစ်သည် မနက်ဖြန်တွင် အဆင့် ၇ ဆင့်ရှိသော GAA ထရန်စစ္စတာကို တင်ပြခဲ့သည်။
3nm လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာဖြင့်၊ ထရန်စစ္စတာများသည် ဒေါင်လိုက် “fin” FinFET ချန်နယ်များမှ အလျားလိုက် nanopage ချန်နယ်များဆီသို့ ဂိတ်များ သို့မဟုတ် GAA (gate-all-around) ဖြင့် ရွေ့လျားသွားလိမ့်မည်ဟူသော လျှို့ဝှက်ချက်မဟုတ်သည်မှာ ကြာပြီ။ ယနေ့တွင် ပြင်သစ်အင်စတီကျု CEA-Leti သည် အဆင့်များစွာသော GAA ထရန်စစ္စတာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် FinFET ထရန်စစ္စတာထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို မည်သို့အသုံးပြုနိုင်ကြောင်း ပြသခဲ့သည်။ နည်းပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ အဆက်ပြတ်မှုကို ထိန်းသိမ်းခြင်းသည် လျင်မြန်သော အသွင်ကူးပြောင်းမှုအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသော အခြေခံတစ်ခုဖြစ်သည်။ VLSI Technology & Circuits Symposium အတွက် […]