ဆလင်ဒါသံလိုက် ဒိုမိန်းများတွင် မှတ်ဉာဏ်။ အပိုင်း ၁။ ဘယ်လိုအလုပ်လုပ်လဲ။

စာရေးသူ၏ စုစည်းမှုမှ ဓာတ်ပုံ

၁။ သမိုင်း

Bubble memory သို့မဟုတ် cylindrical magnetic domain memory သည် Andrew Bobeck မှ 1967 ခုနှစ်တွင် Bell Labs တွင် တီထွင်ခဲ့သော မတည်ငြိမ်သောမှတ်ဉာဏ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ လေ့လာမှုများအရ သေးငယ်သော cylindrical magnetic domains များသည် ferrites နှင့် garnets များ၏ single-crystal ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များတွင် လုံလောက်သော အားကောင်းသော သံလိုက်စက်ကွင်းကို ရုပ်ရှင်၏ မျက်နှာပြင်နှင့် ထောင့်ညီအောင် ချိန်ညှိသောအခါတွင် ဖြစ်ပေါ်လာကြောင်း လေ့လာမှုများက ဖော်ပြသည်။ သံလိုက်စက်ကွင်းကို ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် ဤပူဖောင်းများကို ရွှေ့နိုင်သည်။ ဤကဲ့သို့သော ဂုဏ်သတ္တိများသည် သံလိုက်ပူဖောင်းများကို ဆက်တိုက်ဘစ်စတိုးတစ်ခု တည်ဆောက်ရန်အတွက် စံပြဖြစ်စေသည်၊ ၎င်းတွင် အနေအထားတစ်ခုတွင် ပူဖောင်းတစ်ခုရှိနေခြင်း သို့မဟုတ် မရှိခြင်းမှာ သုည သို့မဟုတ် တစ်ဘစ်တန်ဖိုးကို ညွှန်ပြသည့် shift register တစ်ခုကဲ့သို့ စီတန်းဘစ်စတိုးတစ်ခုတည်ဆောက်ရန်အတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။ ပူဖောင်းသည် အချင်းတစ်မိုက်ခရွန်၏ ဆယ်ပုံတစ်ပုံဖြစ်ပြီး ချစ်ပ်တစ်ခုသည် ဒေတာဘစ်ထောင်ပေါင်းများစွာကို သိမ်းဆည်းနိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 1977 နွေဦးပေါက်တွင် Texas Instruments သည် 92304 bits စွမ်းရည်ရှိသော ချစ်ပ်ပြားကို စျေးကွက်သို့ ပထမဆုံးမိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ ဤမှတ်ဉာဏ်သည် သံလိုက်တိပ် သို့မဟုတ် ဒစ်ခ်နှင့် ဆင်တူသောကြောင့် မတုန်မလှုပ်ဖြစ်နိုင်သော်လည်း ၎င်းသည် အစိုင်အခဲအခြေအနေဖြစ်ပြီး ရွေ့လျားနေသောအစိတ်အပိုင်းများမပါရှိသောကြောင့်၊ ၎င်းသည် တိပ် သို့မဟုတ် ဒစ်ထက် ပိုမိုစိတ်ချရသည်၊ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းရန်မလိုအပ်ဘဲ များစွာသေးငယ်ပေါ့ပါးသည်။ နှင့် ခရီးဆောင်ကိရိယာများတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

အစပိုင်းတွင်၊ bubble memory ကိုတီထွင်သူ Andrew Bobek သည် ferromagnetic ပစ္စည်းပါးလွှာသောအမြှေးပါးကိုအနာဖြစ်စေသည့်ပတ်၀န်းကျင်ရှိချည်မျှင်ပုံစံဖြင့်မှတ်ဉာဏ်၏ "တစ်ဘက်မြင်" ဗားရှင်းကိုအဆိုပြုခဲ့သည်။ ထိုသို့သောမှတ်ဉာဏ်ကို "twistor" memory ဟုခေါ်ပြီး အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်ခဲ့သော်လည်း မကြာမီတွင် " two-dimensional" version ဖြင့်အစားထိုးခဲ့သည်။

bubble memory ဖန်တီးမှုသမိုင်းအကြောင်း [1-3] တွင်ဖတ်နိုင်သည်။

2. လည်ပတ်မှုနိယာမ

ဤတွင် ကျွန်ုပ်အား ခွင့်လွှတ်ရန် တောင်းပန်အပ်ပါသည်၊ ကျွန်ုပ်သည် ရူပဗေဒပညာရှင်မဟုတ်ပါ၊ ထို့ကြောင့် တင်ပြချက်သည် အလွန်အနီးစပ်ဆုံးဖြစ်ပါလိမ့်မည်။

အချို့သောပစ္စည်းများ (ဥပမာ gadolinium gallium garnet) သည် တစ်ခုတည်းသော ဦးတည်ချက်ဖြင့် သံလိုက်ဓာတ်ပြုနိုင်စွမ်းရှိပြီး ဤဝင်ရိုးတစ်လျှောက် အဆက်မပြတ်သံလိုက်စက်ကွင်းကို သက်ရောက်ပါက၊ အောက်ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း သံလိုက်ဓာတ်ပြုထားသောဒေသများသည် ပူဖောင်းများကဲ့သို့ ဖြစ်ပေါ်လာမည်ဖြစ်သည်။ ပူဖောင်းတစ်ခုစီသည် အချင်း အနည်းငယ်မျှသာရှိသည်။

ကျွန်ုပ်တို့တွင် သံလိုက်မဟုတ်သော အရာတစ်ခုဖြစ်သည့် ဖန်၊ အလွှာပေါ်တွင် တင်ထားသော 0,001 လက်မ အစီအစဥ်အရ ပါးလွှာသော ဖလင်တစ်ခုရှိသည်ဆိုပါစို့။

ဒါတွေအားလုံးက မှော်ပူဖောင်းတွေအကြောင်းပါ။ ဘယ်ဘက်ရှိရုပ်ပုံ - သံလိုက်စက်ကွင်းမရှိပါ၊ ညာဘက်တွင်ပုံ - သံလိုက်စက်ကွင်းသည် ရုပ်ရှင်မျက်နှာပြင်နှင့် ထောင့်မှန်ကျသည်။

ထိုကဲ့သို့သော ပစ္စည်း၏ ဖလင်မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သံလိုက်ပစ္စည်းတစ်ခုမှ ပုံစံတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပါက၊ ဥပမာ၊ permalloy၊ သံ-နီကယ်သတ္တုစပ်၊ ပူဖောင်းများသည် ဤပုံစံ၏ဒြပ်စင်များသို့ သံလိုက်ဓာတ်ပြုသွားမည်ဖြစ်သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့်၊ T-shaped သို့မဟုတ် V-shaped ဒြပ်စင်များ၏ပုံစံများကိုအသုံးပြုသည်။

ပူဖောင်းတစ်ခုအား သံလိုက်စက်ကွင်း 100-200 မှ သံလိုက်စက်ကွင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းနိုင်ပြီး၊ သံလိုက်ဖလင်ကို ထောင့်မှန်ကျစေပြီး အမြဲတမ်းသံလိုက်ဖြင့် ဖန်တီးထားပြီး XY လမ်းကြောင်းရှိ ကွိုင်နှစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော လှည့်ပတ်သံလိုက်စက်ကွင်းတစ်ခု၊ ပုံတွင်ပြထားသည့် ဤကဲ့သို့ သံလိုက် "ကျွန်း" တစ်ခုမှ နောက်တစ်ခုသို့ bubble-domains များ။ သံလိုက်စက်ကွင်း၏ ဦးတည်ရာကို လေးဆပြောင်းလဲပြီးနောက်၊ ဒိုမိန်းသည် ကျွန်းတစ်ကျွန်းမှ နောက်တစ်ခုသို့ ရွေ့လျားမည်ဖြစ်သည်။

ဤအရာအားလုံးသည် ကျွန်ုပ်တို့အား CMD စက်ပစ္စည်းအား shift register တစ်ခုအဖြစ် ထည့်သွင်းစဉ်းစားနိုင်စေပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် မှတ်ပုံတင်ခြင်း၏တစ်ဖက်စွန်းတွင် ပူဖောင်းများဖွဲ့စည်းကာ အခြားတစ်ဖက်တွင် ၎င်းတို့ကိုတွေ့ရှိပါက၊ ပတ်ပတ်လည်တွင် ပူဖောင်းအချို့ကို မှုတ်ထုတ်နိုင်ပြီး စနစ်အား မမ်မိုရီကိရိယာတစ်ခုအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပြီး အချို့အချိန်များတွင် စာဖတ်ခြင်းနှင့် စာရေးခြင်းအပိုင်းများကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

CMD memory ၏ အားသာချက်များနှင့် အားနည်းချက်များကို ဤနေရာမှ လိုက်နာကြည့်ပါ- အားသာချက်မှာ စွမ်းအင်လွတ်လပ်မှု (အမြဲတမ်းသံလိုက်ဖြင့် ဖန်တီးထားသော ထောင့်မှန်အကွက်ကို အသုံးချနေသမျှ ကာလပတ်လုံး ပူဖောင်းများသည် မည်သည့်နေရာမှ ပျောက်ကွယ်သွားလိမ့်မည်မဟုတ်သလို ၎င်းတို့၏ အနေအထားမှ ရွေ့လျားမည်မဟုတ်ပါ)၊ အားနည်းချက်မှာ ကြာမြင့်ချိန်မို့ပါ။ အများသူငှာဘစ်တစ်ခုအားဝင်ရောက်ရန်၊ သင်လိုချင်သောအနေအထားသို့ပြောင်းရန် shift register တစ်ခုလုံးကို ရွှေ့ရန် လိုအပ်ပြီး ၎င်းသည် ပိုရှည်လေ၊ ၎င်းသည် သံသရာများစွာ လိုအပ်မည်ဖြစ်သည်။

CMD သံလိုက်ဖလင်ပေါ်တွင် သံလိုက်ဒြပ်စင်များ၏ ပုံစံ။

သံလိုက်ဒိုမိန်းတစ်ခုဖန်တီးခြင်းကို အင်္ဂလိပ်လို "nucleation" ဟုခေါ်တွင်ပြီး 100 ns ခန့်အကြာတွင် အကွေ့အကောက်တွင် ရာဂဏန်းရှိသော မီလီamps များစွာကို အသုံးချပြီး သံလိုက်စက်ကွင်းကို ထောင့်မှန်အတိုင်း ဖန်တီးထားခြင်းဖြစ်သည်။ ရုပ်ရှင်နှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သော အမြဲတမ်း သံလိုက်စက်ကွင်း။ ၎င်းသည် ရုပ်ရှင်ထဲတွင် သံလိုက် "ပူဖောင်း" ကို ဖန်တီးပေးသည်။ ကံမကောင်းစွာဖြင့်၊ လုပ်ငန်းစဉ်သည် အပူချိန်ပေါ်တွင် အလွန်မူတည်ပြီး၊ ပူဖောင်းတစ်ခုမဖြစ်ပေါ်ဘဲ စာရေးခြင်းလုပ်ဆောင်မှု ပျက်သွားနိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် အများအပြားပူဖောင်းများဖွဲ့စည်းရန်အတွက် ဖြစ်နိုင်သည်။

ရုပ်ရှင်တစ်ခုမှ အချက်အလက်များကို ဖတ်ရန် နည်းပညာများစွာကို အသုံးပြုသည်။

တစ်နည်းအားဖြင့် အပျက်သဘောမရှိသော ဖတ်ရှုခြင်းမှာ သံလိုက်ဓာတ်အား အာရုံခံကိရိယာကို အသုံးပြု၍ ဆလင်ဒါရီယာဒိုမိန်း၏ အားနည်းသော သံလိုက်စက်ကွင်းကို ရှာဖွေရန်ဖြစ်သည်။

ဒုတိယနည်းကတော့ အဖျက်စာဖတ်ခြင်းပါပဲ။ ပူဖောင်းကို ပစ္စည်း၏ ရှေ့သို့ သံလိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် ပူဖောင်းပျက်စီးသွားသည့် အထူးမျိုးဆက်/ထောက်လှမ်းမှုလမ်းကြောင်းသို့ ခေါ်ဆောင်သွားပါသည်။ ပစ္စည်းအား ပြောင်းပြန်သံလိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားလျှင်၊ ဆိုလိုသည်မှာ ပူဖောင်းတစ်ခု ရှိနေပါက၊ ၎င်းသည် ကွိုင်အတွင်း လျှပ်စီးကြောင်းများ ပိုမိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး ၎င်းကို အီလက်ထရွန်းနစ် ဆားကစ်ဖြင့် သိရှိနိုင်မည်ဖြစ်သည်။ ထို့နောက် အထူးအသံသွင်းသည့်လမ်းကြောင်းပေါ်တွင် ပူဖောင်းကို ပြန်လည်ထုတ်ပေးရပါမည်။


သို့သော် memory သည် contiguous array တစ်ခုအဖြစ် စုစည်းထားပါက ၎င်းတွင် ကြီးမားသောအားနည်းချက်နှစ်ခုရှိသည်။ ပထမဦးစွာဝင်ရောက်ခွင့်အချိန်သည်အလွန်ရှည်လျားလိမ့်မည်။ ဒုတိယအနေဖြင့်၊ ကွင်းဆက်ရှိ ချို့ယွင်းချက်တစ်ခုသည် စက်တစ်ခုလုံး၏ လုံး၀လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းမရှိခြင်းကို ဦးတည်စေမည်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် ၎င်းတို့သည် ပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း ပင်မအပုဒ်တစ်ခုနှင့် လက်အောက်ခံတေးသွားများစွာကို စုစည်းထားသည့် မှတ်ဉာဏ်တစ်ခုပြုလုပ်သည်။

ဆက်တိုက်တစ်ပုဒ်တည်းဖြင့် ပူဖောင်းမှတ်ဉာဏ်

မာစတာ/ကျွန်တေးသွားများဖြင့် ပူဖောင်းမှတ်ဉာဏ်

ထိုသို့သော memory configuration သည် ဝင်ရောက်ချိန်ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးရုံသာမက ချို့ယွင်းနေသော သီချင်းပုဒ်ရေအချို့ပါရှိသော မမ်မိုရီစက်ပစ္စည်းများကို လည်း ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။ မမ်မိုရီထိန်းချုပ်ကိရိယာသည် ၎င်းတို့ကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားပြီး ဖတ်ရှု/ရေးသည့် လုပ်ဆောင်မှုများအတွင်း ၎င်းတို့ကို ကျော်ဖြတ်ရမည်ဖြစ်သည်။

အောက်ပါပုံသည် bubble memory "chip" ၏ အပိုင်းကို ပြသထားသည်။

bubble memory ၏နိယာမ [4၊ 5] တွင်လည်း ဖတ်နိုင်သည်။

3 ။ Intel 7110

Intel 7110 - bubble memory module၊ MBM (magnetic-bubble memory) 1 MB (1048576 bits) စွမ်းရည်။ KDPV တွင် ပုံဖော်ပြခံရသော သူဖြစ်သည်။ 1 megabit သည် မလိုအပ်သော လမ်းကြောင်းများကို ထည့်သွင်းကာ အသုံးပြုသူဒေတာကို သိမ်းဆည်းရန် စွမ်းရည်ဖြစ်ပြီး စုစုပေါင်းစွမ်းရည်မှာ 1310720 bits ဖြစ်သည်။ စက်တွင် 320 ဘစ်တစ်ခုစီစွမ်းရည်ရှိသော ကွင်းဆက်လမ်းကြောင်း (loops) 4096 ပါဝင်သော်လည်း ၎င်းတို့ထဲမှ 256 ခုကိုသာ အသုံးပြုသူဒေတာအတွက် အသုံးပြုထားပြီး ကျန်သည် "ကျိုးသွားသော" တေးသွားများကို အစားထိုးရန်နှင့် ထပ်နေသောအမှားပြင်ဆင်ခြင်းကုဒ်ကို သိမ်းဆည်းရန်အတွက် အရန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ စက်တွင် အဓိက လမ်းကြောင်း-အငယ်စား ကွင်းဆက် တည်ဆောက်မှု ပါရှိသည်။ တက်ကြွသောတေးသွားများအကြောင်း အချက်အလက်များကို သီးခြား boot track (bootstrap loop) တွင် ပါရှိသည်။ KDPV တွင်၊ module ပေါ်တွင် hexadecimal ကုဒ်ကိုရိုက်နှိပ်ထားသည်ကိုတွေ့နိုင်သည်။ ဤသည်မှာ "ကျိုးပဲ့သော" သီချင်းများ၏ မြေပုံဖြစ်သည်၊ 80 hexadecimal ဂဏန်းများသည် ဒေတာလမ်းကြောင်း 320 ကို ကိုယ်စားပြုသည်၊ လှုပ်ရှားနေသော အရာများကို တစ်နည်းနည်းဖြင့် ကိုယ်စားပြုသည်၊ မလှုပ်ရှားသော အတွဲများကို သုညဖြင့် ကိုယ်စားပြုပါသည်။

သင်ခန်းစာအတွက် မူရင်းစာရွက်စာတမ်းကို [7] တွင် သင်ဖတ်နိုင်သည်။

ကိရိယာတွင် ပင်တန်းနှစ်ထပ်အစီအမံပါရှိသော case တစ်ခုရှိပြီး ဂဟေမပါဘဲ (ပေါက်ပေါက်တစ်ခုတွင်) တပ်ဆင်ထားသည်။

Module ၏ ဖွဲ့စည်းပုံကို ပုံတွင် ပြထားသည်။

မမ်မိုရီအခင်းအကျင်းကို "တစ်ဝက်အပိုင်း" (တစ်ဝက်အပိုင်းများ) နှစ်ခုအဖြစ် ပိုင်းခြားထားပြီး တစ်ခုချင်းစီကို "လေးပုံတစ်ပုံ" (quads) နှစ်ခုအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသည်)၊ လေးပုံတစ်ပုံစီတွင် ကျွန်သီချင်းပုဒ်ရေ 80 ပါရှိသည်။ မော်ဂျူးတွင် လှည့်ပတ်နေသော သံလိုက်စက်ကွင်းကို ဖန်တီးပေးသည့် အလှည့်အပြောင်းနှစ်ခုအတွင်း သံလိုက်ဓာတ်ပါသည့် ပန်းကန်ပြားတစ်ခုပါရှိသည်။ ထိုသို့လုပ်ဆောင်ရန်၊ တစ်ခုနှင့်တစ်ခု ဆက်စပ်နေသော 90 ဒီဂရီဖြင့် ရွှေ့ပြောင်းထားသော တြိဂံပုံသဏ္ဍာန်၏ လက်ရှိအချက်ပြမှုများကို အကွေ့အကောက်များတွင် အသုံးချသည်။ ပန်းကန်ပြားနှင့် အကွေ့အကောက်များကို အမြဲတမ်းသံလိုက်များကြားတွင် ထားရှိထားပြီး အမြဲတမ်းသံလိုက်မှထုတ်ပေးသော သံလိုက်အခိုးအငွေ့များကို ပိတ်ကာ ကိရိယာအား ပြင်ပသံလိုက်စက်ကွင်းများမှ အကာအကွယ်ပေးသော သံလိုက်ဒိုင်းတစ်ခုတွင် ထားရှိပါသည်။ ပန်းကန်ပြားကို 2,5 ဒီဂရီ လျှောစောက်တွင် ထားရှိပြီး လျှောစောက်တစ်လျှောက် သေးငယ်သော နေရာရွှေ့ကွက်တစ်ခု ဖန်တီးပေးသည်။ ဤအကွက်သည် ကွိုင်၏အကွက်နှင့် နှိုင်းယှဉ်လျှင် အနည်းငယ်မျှသာဖြစ်ပြီး ကိရိယာ၏လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း ပူဖောင်းများ၏ရွေ့လျားမှုကို အနှောင့်အယှက်မဖြစ်စေဘဲ ကိရိယာကိုပိတ်သည့်အခါ permalloy ဒြပ်စင်များနှင့် သက်ဆိုင်သည့် ပုံသေအနေအထားသို့ ပူဖောင်းများကို ပြောင်းပေးသည်။ အမြဲတမ်းသံလိုက်များ၏ ခိုင်ခံ့သော ထောင့်မှန်အစိတ်အပိုင်းသည် ပူဖောင်းသံလိုက်ဒိုမိန်းများတည်ရှိမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

module တွင်အောက်ပါ node များပါရှိသည်။

1. ဉာဏ်ပုဒ်။ ပူဖောင်းများကို ထိန်းညှိပေးသော permalloy ဒြပ်စင်များ၏ လမ်းကြောင်းများကို တိုက်ရိုက်ပြသပါသည်။
2. ပုံတူမီးစက်။ မျိုးဆက်၏နေရာတွင် အဆက်မပြတ်တည်ရှိနေသည့် ပူဖောင်း၏ပုံတူပွားခြင်းအတွက် ဆောင်ရွက်သည်။
3. လမ်းကြောင်းကို ထည့်သွင်းပြီး ဖလှယ်မှု ဆုံမှတ်များ။ ထုတ်လုပ်ထားသော ပူဖောင်းများသည် ထည့်သွင်းလမ်းကြောင်းတစ်လျှောက် ရွေ့လျားသည်။ ပူဖောင်းများကို ကျွန်သီချင်းပုဒ်ရေ 80 မှတစ်ခုသို့ ရွှေ့ထားသည်။
4. အထွက်လမ်းကြောင်းနှင့် ပုံတူကူးယူမှု အမှတ်အသား။ ပူဖောင်းများကို ၎င်းတို့ကို မဖျက်ဆီးဘဲ ဒေတာလမ်းကြောင်းများမှ နုတ်ယူသည်။ ပူဖောင်းသည် နှစ်ပိုင်းကွဲသွားပြီး ၎င်းတို့ထဲမှ တစ်ခုသည် အထွက်လမ်းကြောင်းသို့ သွားပါသည်။
5. ထောက်လှမ်း။ အထွက်လမ်းကြောင်းမှ ပူဖောင်းများသည် magnetoresistive detector သို့ ဝင်ရောက်သည်။
6. တစ်ပုဒ်တင်ပေးသည်။ boot track တွင် active နှင့် inactive data track များအကြောင်း အချက်အလက် ပါရှိသည်။

အောက်တွင်ကျွန်ုပ်တို့သည်ဤ node များကိုပိုမိုအသေးစိတ်ကြည့်ရှုပါမည်။ [6] တွင် ဤ node များ၏ ရှင်းလင်းချက်ကို သင်ဖတ်နိုင်သည်။

ပူဖောင်းမျိုးဆက်

bubble တစ်ခုထုတ်လုပ်ရန်၊ input track ၏အစတွင် သေးငယ်သော loop ပုံစံဖြင့် conductor ကွေးနေပါသည်။ အမြဲတမ်းသံလိုက်စက်ကွင်းထက် အလွန်သေးငယ်သော ဧရိယာတွင် သံလိုက်စက်ကွင်းတစ်ခု ဖန်တီးပေးသည့် လက်ရှိသွေးခုန်နှုန်းကို ၎င်းအား သက်ရောက်စေသည်။ စိတ်အားထက်သန်မှု သည် ဤအချက်တွင် အဆက်မပြတ်သံလိုက်စက်ကွင်းဖြင့် အမြဲတမ်းထိန်းသိမ်းထားကာ လည်ပတ်နေသော သံလိုက်စက်ကွင်း၏လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် permalloy ဒြပ်စင်တစ်လျှောက် ပျံ့နှံ့သွားသည့် ဤအချက်တွင် ပူဖောင်းတစ်ခု ဖန်တီးသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် မှတ်ဉာဏ်တွင် ယူနစ်တစ်ခုရေးရန် လိုအပ်ပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် conducting loop သို့ short pulse ကို အသုံးချပြီး ရလဒ်အနေဖြင့် ပူဖောင်းနှစ်ခု မွေးဖွားလာသည် (ပုံတွင် Bubble split seed အဖြစ် ညွှန်ပြထားသည်)။ ပူဖောင်းများထဲမှ တစ်ခုသည် permalloy လမ်းကြောင်းတစ်လျှောက် လှည့်ပတ်နေသော အကွက်ဖြင့် ပြေးသွားသည်၊ ဒုတိယတစ်ခုသည် နေရာ၌ရှိနေကာ ၎င်း၏မူလအရွယ်အစားကို လျင်မြန်စွာ ရရှိသည်။ ၎င်းသည် ကျွန်လမ်းကြောင်းတစ်ခုသို့ ရွေ့လျားပြီး ၎င်းတွင် ပျံ့နှံ့နေသော ပူဖောင်းနှင့် နေရာများကို လဲလှယ်ပေးသည်။ တစ်ဖန်၊ ၎င်းသည် ထည့်သွင်းမှုလမ်းကြောင်း၏အဆုံးသို့ရောက်ရှိပြီး ပျောက်သွားသည်။

ပူဖောင်းလဲလှယ်

ဆက်စပ်စပယ်ယာသို့ ထောင့်မှန်စတုဂံလက်ရှိသွေးခုန်နှုန်းကို သက်ရောက်သောအခါတွင် ပူဖောင်းလဲလှယ်မှု ဖြစ်ပေါ်သည်။ ဤကိစ္စတွင်၊ ပူဖောင်းသည် နှစ်ပိုင်းမကွဲပါ။

အချက်အလက်ဖတ်ခြင်း။

ဒေတာကို ပုံတူပွားခြင်းဖြင့် အထွက်လမ်းကြောင်းသို့ ပေးပို့ပြီး ဖတ်ပြီးနောက် ၎င်း၏လမ်းကြောင်းတွင် ဆက်လက်ပျံ့နှံ့နေပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဤစက်ပစ္စည်းသည် အဖျက်သဘောမဟုတ်သော စာဖတ်နည်းကို အကောင်အထည်ဖော်သည်။ ပုံတူပွားရန်၊ ပူဖောင်းကို ဆွဲဆန့်ထားသည့် ရှည်လျားသော permalloy ဒြပ်စင်အောက်တွင် ညွှန်ကြားထားသည်။ အထက်တွင် ကွင်းပတ်ပုံစံ စပယ်ယာတစ်ခုလည်း ပါရှိသည်၊ အကယ်၍ လက်ရှိ သွေးခုန်နှုန်းကို ကွင်းပတ်သို့ သက်ရောက်ပါက၊ ပူဖောင်းကို အပိုင်းနှစ်ပိုင်းခွဲပါမည်။ လက်ရှိ pulse တွင် ပူဖောင်းကို အထွက်လမ်းကြောင်းဆီသို့ ညွှန်ပြရန်အတွက် bubble ကို နှစ်ပိုင်းခွဲရန်နှင့် အောက်ပိုင်း၏ ပိုရှည်သောအပိုင်းတစ်ခု ပါဝင်ပါသည်။

အထွက်လမ်းကြောင်း၏အဆုံးတွင် Bubble Detector သည် ရှည်လျားသောပတ်လမ်းကိုဖွဲ့စည်းထားသော permalloy ဒြပ်စင်များနှင့်ပြုလုပ်ထားသည့် သံလိုက်ဓာတ်ခံတံတားဖြစ်သည်။ သံလိုက်ပူဖောင်းသည် permalloy ဒြပ်စင်တစ်ခုအောက်တွင် ကျရောက်သောအခါ၊ ၎င်း၏ ခံနိုင်ရည်သည် ပြောင်းလဲသွားပြီး တံတား၏ အထွက်တွင် မီလီဗို့များစွာ၏ အလားအလာ ကွာခြားချက် ပေါ်လာသည်။ permalloy ဒြပ်စင်များ၏ပုံသဏ္ဍာန်ကိုရွေးချယ်ပြီးပူဖောင်းသည် ၎င်းတို့တစ်လျှောက် ရွေ့လျားသွားစေရန်၊ အဆုံးတွင် အထူး "အကာ" တာယာကို ထိပြီး ပျောက်သွားသည်။

ပိုများခြင်း။

စက်တွင် သီချင်းပုဒ်ရေ 320 ပါဝင်ပြီး တစ်ခုစီတွင် 4096 bits ပါဝင်ပါသည်။ ယင်းတို့အနက် ၂၇၂ မှု၊ အားလပ်ချိန် ၄၈ မှု၊ မလှုပ်ရှားပါ။

Boot Track (Boot Loop)

စက်တွင် ဒေတာပုဒ်ရေ 320 ပါ၀င်ပြီး 256 ခုသည် အသုံးပြုသူဒေတာကို သိမ်းဆည်းရန်အတွက် ရည်ရွယ်ထားပြီး ကျန်သည် မှားယွင်းနေနိုင်သည် သို့မဟုတ် မှားယွင်းနေသည့်အရာများကို အစားထိုးရန်အတွက် အပိုပစ္စည်းများအဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ နောက်ထပ်သီချင်းတစ်ပုဒ်တွင် ဒေတာလမ်းကြောင်းအသုံးပြုမှုဆိုင်ရာ အချက်အလက်၊ တစ်ပုဒ်လျှင် 12 bits ပါဝင်ပါသည်။ စနစ်အား ပါဝါဖွင့်သောအခါ၊ ၎င်းကို စတင်လုပ်ဆောင်ရပါမည်။ စတင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ ထိန်းချုပ်သူသည် boot လမ်းကြောင်းကိုဖတ်ပြီး ၎င်းမှအချက်အလက်များကို ဖော်မတ်ချပ်/လက်ရှိအာရုံခံကိရိယာ၏ အထူးမှတ်ပုံတင်တစ်ခုသို့ ရေးရပါမည်။ ထို့နောက် ထိန်းချုပ်သူသည် အသက်ဝင်နေသော တေးသွားများကိုသာ အသုံးပြုမည်ဖြစ်ပြီး မလှုပ်ရှားနိုင်သော အရာများကို လျစ်လျူရှုပြီး စာရေးမည်မဟုတ်ပါ။

Data Warehouse - ဖွဲ့စည်းပုံ

အသုံးပြုသူ၏ရှုထောင့်မှကြည့်လျှင် ဒေတာကို 2048 bits တစ်ခုစီ၏ 512 စာမျက်နှာတွင် သိမ်းဆည်းထားသည်။ ဒေတာ 256 bytes၊ အမှားပြင်ခြင်းကုဒ် 14 bits နှင့် အသုံးမပြုသော bit 2 ခုကို စက်၏တစ်ဝက်စီတွင် သိမ်းဆည်းထားသည်။

အမှားပြင်ခြင်း။

အမှားရှာဖွေခြင်းနှင့် အမှားပြင်ဆင်ခြင်းကို 14 ဘစ် (ကုဒ်ကိုယ်တိုင်အပါအဝင်) ဘစ်တစ်ခုစီတွင် အမှားတစ်ခုကို 5 ဘစ်အထိ ပြုပြင်ပေးသည့် 270-ဘစ်ကုဒ်ဒီကုဒ်ဒါပါရှိသော လက်ရှိအာရုံခံချစ်ပ်တစ်ခုဖြင့် အမှားရှာဖွေခြင်းနှင့် အမှားပြင်ဆင်ခြင်းကို လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ ကုဒ်ကို 256-bit block တစ်ခုစီ၏အဆုံးတွင် ပေါင်းထည့်ထားသည်။ အမှားပြင်ကုဒ်ကို သုံးနိုင်သည် သို့မဟုတ် အသုံးမပြုနိုင်၊ အသုံးပြုသူ၏တောင်းဆိုချက်အရ၊ ထိန်းချုပ်ကိရိယာတွင် ကုဒ်အတည်ပြုခြင်းကို ဖွင့်နိုင် သို့မဟုတ် ပိတ်နိုင်သည်။ ကုဒ်ကို အသုံးမပြုပါက၊ အသုံးပြုသူဒေတာအတွက် 270 bits အားလုံးကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

ဝင်ရောက်ချိန်

သံလိုက်စက်ကွင်းသည် 50 kHz ကြိမ်နှုန်းဖြင့် လှည့်ပတ်သည်။ ပထမစာမျက်နှာ၏ ပထမဘစ်သို့ ပျမ်းမျှဝင်ရောက်အသုံးပြုချိန်သည် 41 ms ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းသည် လမ်းကြောင်းတစ်ခုလုံးကို လည်ပတ်ရန် အချိန်ထက်ဝက်နှင့် အထွက်လမ်းကြောင်းကို ဖြတ်သန်းရန် လိုအပ်သည့်အချိန်ဖြစ်သည်။

အပုဒ် 320 စီတွင် အပိုင်းလေးပိုင်းခွဲ၍ တက်ကြွပြီး အားလပ်သည့်ပုဒ်ရေ 80 ကို ပိုင်းခြားထားသည်။ ဤအဖွဲ့အစည်းသည် ဝင်ရောက်အသုံးပြုချိန်ကို လျှော့ချပေးသည်။ လေးပုံတစ်ပုံကို အတွဲများဖြင့် ဖော်ပြသည်- လေးပုံတစ်ပုံစီတွင် စာလုံးတစ်လုံးစီနှင့် အတွဲများပါရှိသည်၊ အသီးသီး။ စက်ပစ္စည်းတွင် ကနဦးပူဖောင်းလေးခုနှင့် အထွက်လမ်းကြောင်း လေးခုပါရှိသော ထည့်သွင်းလမ်းကြောင်းလေးခုပါရှိသည်။ အထွက်လမ်းကြောင်းသည် detector နှစ်ခုကိုအသုံးပြုသည်၊ ၎င်းတို့ကို လမ်းကြောင်းနှစ်ခုမှ ပူဖောင်းနှစ်ခုက detector တစ်ခုတစ်ပြိုင်တည်းမထိမိစေရန် စုစည်းထားသည်။ ထို့ကြောင့် bubble stream လေးခုကို multiplexed လုပ်ပြီး bit stream နှစ်ခုအဖြစ် ပြောင်းလဲကာ လက်ရှိ sensor chip ၏ registers များတွင် သိမ်းဆည်းထားသည်။ အဲဒီမှာ၊ စာရင်းဇယားတွေရဲ့ အကြောင်းအရာတွေကို ထပ်ပြီး ပွားပြီး အမှတ်စဉ် အင်တာဖေ့စ်မှတစ်ဆင့် ထိန်းချုပ်ကိရိယာထံ ပေးပို့ပါတယ်။

ဆောင်းပါး၏ဒုတိယအပိုင်းတွင်၊ bubble memory controller ၏ circuitry ကို အနီးကပ်လေ့လာပါမည်။

4. အကိုးအကား

စာရေးသူသည် ကွန်ရက်၏ အမှောင်ဆုံးထောင့်များတွင် တွေ့ရှိပြီး CMD ရှိ memory ဆိုင်ရာ အသုံးဝင်သော နည်းပညာဆိုင်ရာ အချက်အလက်များစွာကို သင့်အတွက် သိမ်းဆည်းထားပါသည်

1. https://old.computerra.ru/vision/621983/ - အင်ဂျင်နီယာ Bobek ၏အမှတ်တရနှစ်ခု
2. https://old.computerra.ru/vision/622225/ - အင်ဂျင်နီယာ Bobek ၏အမှတ်တရနှစ်ခု (အပိုင်း 2)
3. http://www.wikiwand.com/en/Bubble_memory - ပူဖောင်းမှတ်ဉာဏ်
4. https://cloud.mail.ru/public/3qNi/33LMQg8Fn Standard Microcomputer ပတ်ဝန်းကျင်တွင် Magnetic Bubble Memory ကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ခြင်း။
5. https://cloud.mail.ru/public/4YgN/ujdGWtAXf — Texas တူရိယာ TIB 0203 Bubble Memory
6. https://cloud.mail.ru/public/4PRV/5qC4vyjLa - Memory Components လက်စွဲစာအုပ်။ Intel 1983။
7. https://cloud.mail.ru/public/4Mjv/41Xrp4Rii 7110 1-Megabit Bubble Memory

source: www.habr.com