SSDs မိတ်ဆက်။ အပိုင်း ၄။ရူပ

"SSD မိတ်ဆက်" စီးရီး၏ ယခင်အပိုင်းများသည် SSD ဒရိုက်များ ပေါ်ပေါက်လာမှုသမိုင်း၊ ၎င်းတို့နှင့် အပြန်အလှန်ဆက်သွယ်နိုင်သော အင်တာဖေ့စ်များနှင့် လူကြိုက်များသောပုံစံအချက်များအကြောင်း စာဖတ်သူကို ပြောပြခဲ့သည်။ စတုတ္ထအပိုင်းသည် drives များအတွင်း data များသိမ်းဆည်းခြင်းအကြောင်းပြောလိမ့်မည်။

စီးရီး၏ ယခင်ဆောင်းပါးများတွင်-

1. HDD နှင့် SSD ဖန်တီးမှုသမိုင်း
2. သိုလှောင်မှုအင်တာဖေ့စ်များပေါ်ထွက်
3. ပုံစံအချက်များ၏အင်္ဂါရပ်များ

Solid-state drives များတွင် ဒေတာသိမ်းဆည်းခြင်းကို ယုတ္တိကျကျ အပိုင်းနှစ်ပိုင်းအဖြစ် ခွဲခြားနိုင်သည်- ဆဲလ်တစ်ခုတည်းတွင် အချက်အလက်သိမ်းဆည်းခြင်းနှင့် ဆဲလ်သိုလှောင်မှုကို စုစည်းခြင်း။

Solid State Drive ၏ ဆဲလ်တစ်ခုစီကို သိမ်းဆည်းထားသည်။ အချက်အလက်တစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော အချက်အလက်. အချက်အလက်များကို သိမ်းဆည်းရန် အမျိုးမျိုးသော အချက်အလက်များကို အသုံးပြုကြသည်။ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာလုပ်ငန်းစဉ်များ. Solid-state drive များကို တီထွင်သောအခါ၊ အချက်အလက်ကို ကုဒ်လုပ်ရန်အတွက် အောက်ပါ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပမာဏများကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားခဲ့သည်-

• လျှပ်စစ်အခကြေးငွေ (Flash memory အပါအဝင်);
• သံလိုက်အခိုက်အတန့် (magneticoresistive memory);
• အဆင့်ပြည်နယ်များ (အဆင့်အခြေအနေပြောင်းလဲမှုနှင့်အတူမှတ်ဉာဏ်။

လျှပ်စစ်ဓာတ်အားကို အခြေခံ၍ မှတ်ဉာဏ်

အနုတ်လက္ခဏာအခကြေးငွေကို အသုံးပြု၍ အချက်အလက်ကို ကုဒ်သွင်းခြင်းသည် ဖြေရှင်းချက်များစွာကို အခြေပြုသည်-

• ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ဖျောက်ဖျက်နိုင်သော ROM (EPROM);
• လျှပ်စစ်ဖြင့် ဖျက်နိုင်သော ROM (EEPROM);
• Flash memory

မမ်မိုရီဆဲလ်တိုင်းသည် ရေပေါ်တံခါး MOSFETအနှုတ်တာဝန်ခံကို သိမ်းဆည်းပေးသော၊ သမားရိုးကျ MOS transistor နှင့် ၎င်း၏ ကွာခြားချက်မှာ dielectric အလွှာအတွင်းရှိ conductor တစ်ခုဖြစ်သည့် floating gate တည်ရှိခြင်း ဖြစ်သည်။

မြောင်းနှင့် အရင်းအမြစ်အကြား အလားအလာ ကွာခြားချက်ကို ဖန်တီးပြီး ဂိတ်ပေါက်တွင် အပြုသဘောဆောင်သော အလားအလာတစ်ခု ရှိနေသောအခါ၊ အရင်းအမြစ်မှ မြောင်းသို့ စီးဆင်းသွားမည်ဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ လုံလောက်သောကြီးမားသောအလားအလာကွာခြားမှုရှိပါက၊ အချို့သောအီလက်ထရွန်များသည် dielectric အလွှာကို “ဖြတ်” ပြီး floating gate တွင်အဆုံးသတ်သည်။ ဤဖြစ်စဉ်ကို ခေါ်သည်။ ဥမင်လိုဏ်ခေါင်းအကျိုးသက်ရောက်မှု.

အပျက်သဘောဆောင်သော ရေပေါ်တံခါးသည် အရင်းအမြစ်မှ မြောင်းသို့ လျှပ်စီးကြောင်း စီးဆင်းမှုကို တားဆီးသည့် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ဖန်တီးသည်။ ထို့အပြင်၊ Floating Gate တွင် အီလက်ထရွန်များ ရှိနေခြင်းသည် Transistor ကိုဖွင့်သည့် threshold voltage ကို တိုးစေသည်။ transistor ၏ floating gate သို့ "ရေးပါ" တစ်ခုစီဖြင့်၊ ဆဲလ်တစ်ခုစီ၏ပြန်လည်ရေးသားခြင်းသံသရာအရေအတွက်အပေါ်ကန့်သတ်ချက်ပေးသော dielectric အလွှာအနည်းငယ်ပျက်စီးသွားသည်။

ရေပေါ်တံခါး MOSFET များကို ၁၉၆၇ ခုနှစ်တွင် Bell Labs မှ Dawon Kahng နှင့် Simon Min Sze တို့မှ တီထွင်ခဲ့သည်။ နောက်ပိုင်းတွင်၊ ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် ချို့ယွင်းချက်များကို လေ့လာသောအခါတွင် Floating Gate တွင် အားသွင်းခြင်းကြောင့် Transistor ကိုဖွင့်သည့် threshold ဗို့အား ပြောင်းလဲသွားသည်ကို သတိပြုမိသည်။ ဤတွေ့ရှိမှုသည် Dov Frohman သည် ဤဖြစ်စဉ်ကိုအခြေခံ၍ မှတ်ဉာဏ်ကိုစတင်လုပ်ဆောင်စေခဲ့သည်။

တံခါးခုံဗို့အားကိုပြောင်းလဲခြင်းသည် transistor များကို “ပရိုဂရမ်” လုပ်နိုင်သည်။ အီလက်ထရွန်မပါသော ထရန်စစ္စတာတစ်ခုအတွက် ဂိတ်ဗို့အားသည် တံခါးဗို့အားထက် ကြီးနေသောအခါတွင် Floating gate transistor များသည် ဖွင့်မည်မဟုတ်ပေ။ ဤတန်ဖိုးကို ခေါ်ကြပါစို့ ဗို့အားဖတ်ခြင်း။.

ဖျက်နိုင်သော ပရိုဂရမ်မာဖတ်နိုင်သော တစ်ခုတည်းသော မှတ်ဉာဏ်

1971 ခုနှစ်တွင် Intel ဝန်ထမ်း Dov Frohman သည် transistor-based rewritable memory ကိုဖန်တီးခဲ့သည်။ ဖျက်နိုင်သော ပရိုဂရမ်ဖတ်နိုင်သော တစ်ခုတည်းသော မှတ်ဉာဏ် (EPROM). အထူးကိရိယာ - ပရိုဂရမ်မာတစ်ဦးကို အသုံးပြု၍ Memory သို့ မှတ်တမ်းတင်ခြင်း ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ ပရိုဂရမ်မာသည် ဒစ်ဂျစ်တယ်ဆားကစ်များတွင်အသုံးပြုသည်ထက် ပိုမိုမြင့်မားသောဗို့အားကို chip သို့အသုံးပြုသည်၊ ထို့ကြောင့် လိုအပ်သည့်နေရာတွင် ထရန်စစ္စတာများ၏ floating gate များသို့ အီလက်ထရွန်များကို "ရေးခြင်း" ဟုရေးသားသည်။

EPROM မမ်မိုရီသည် ထရန်စစ္စတာများ၏ ပေါ်နေသောတံခါးများကို လျှပ်စစ်ဖြင့် သန့်ရှင်းစေရန် ရည်ရွယ်ထားခြင်းမဟုတ်ပါ။ ယင်းအစား၊ ထရန်စစ္စတာများကို အားကောင်းသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်သို့ ထုတ်ဖော်ရန်၊ ဖိုတွန်များသည် ရေပေါ်တံခါးမှ လွတ်မြောက်ရန် လိုအပ်သော အီလက်ထရွန်များကို စွမ်းအင်ပေးစွမ်းနိုင်စေရန် အဆိုပြုခဲ့သည်။ ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်သည် ချစ်ပ်ပြားအတွင်းသို့ နက်ရှိုင်းစွာ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်နိုင်စေရန်အတွက် အိမ်ရာအတွင်း quartz glass ကို ထည့်သွင်းခဲ့သည်။

Froman သည် ၎င်း၏ EPROM ရှေ့ပြေးပုံစံကို 1971 ခုနှစ် ဖေဖော်ဝါရီလတွင် Philadelphia ၌ ကျင်းပသော solid-state IC ကွန်ဖရင့်တွင် ပထမဆုံးတင်ပြခဲ့သည်။ Gordon Moore က အဆိုပါသရုပ်ပြမှုကို ပြန်ပြောင်းပြောပြသည်- “Dov သည် EPROM memory cells တွင် bit ပုံစံကို သရုပ်ပြခဲ့သည်။ ဆဲလ်များသည် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်နှင့် ထိတွေ့သောအခါ၊ မရင်းနှီးသော Intel လိုဂိုကို လုံးလုံးလျားလျား ဖျက်မပစ်မချင်း၊ … ခုန်သံများ ပျောက်ကွယ်သွားကာ နောက်ဆုံးတစ်ခု ပျောက်ကွယ်သွားသောအခါ ပရိသတ်အားလုံး လက်ခုပ်သြဘာပေးကြသည်။ Dov ၏ဆောင်းပါးကို ညီလာခံတွင် အကောင်းဆုံးအဖြစ် အသိအမှတ်ပြုခံရသည်။” - ဆောင်းပါး၏ဘာသာပြန် newsroom.intel.com

EPROM မမ်မိုရီသည် ယခင်ကအသုံးပြုခဲ့သည့် “တစ်ခါသုံး” ဖတ်သာမှတ်ဉာဏ် (ROM) စက်ပစ္စည်းများထက် စျေးပိုသော်လည်း၊ ပြန်လည်ပရိုဂရမ်ပြုလုပ်ခြင်းစွမ်းရည်သည် သင့်အား ဆားကစ်များကို ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ အမှားရှာနိုင်ပြီး ဟာ့ဒ်ဝဲအသစ်တီထွင်ရန် လိုအပ်သည့်အချိန်ကို လျှော့ချနိုင်စေသည်။

ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်ဖြင့် ROM များကို ပြန်လည်အစီအစဉ်ချခြင်းသည် သိသာထင်ရှားသော အောင်မြင်မှုတစ်ခုဖြစ်သော်လည်း၊ လျှပ်စစ်ပြန်လည်ရေးသားခြင်းဆိုင်ရာ စိတ်ကူးသည် လေထဲတွင်ရှိနေပြီဖြစ်သည်။

လျှပ်စစ်ဖြင့် ဖျက်နိုင်သော ပရိုဂရမ်မာဖတ်နိုင်သော တစ်ခုတည်းသော မှတ်ဉာဏ်

1972 ခုနှစ်တွင် ဂျပန်လူမျိုး သုံးဦးဖြစ်သည့် Yasuo Tarui၊ Yutaka Hayashi နှင့် Kiyoko Nagai တို့သည် ပထမဆုံး လျှပ်စစ်ဖြင့် ဖျက်နိုင်သော ဖတ်သာမှတ်ဉာဏ် (EEPROM သို့မဟုတ် E2PROM) ကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ နောက်ပိုင်းတွင်၊ ၎င်းတို့၏ သိပ္ပံနည်းကျ သုတေသနသည် EEPROM memory ကို စီးပွားဖြစ် အကောင်အထည်ဖော်မှုများအတွက် မူပိုင်ခွင့်၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။

EEPROM မမ်မိုရီဆဲလ်တစ်ခုစီတွင် ထရန်စစ္စတာများစွာ ပါဝင်သည်-

• ဘစ်သိုလှောင်မှုအတွက် floating gate transistor;
• read-write mode ကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် ထရန်စစ္စတာ

ဤဒီဇိုင်းသည် လျှပ်စစ်ပတ်လမ်း၏ ဝါယာကြိုးများကို အလွန်ရှုပ်ထွေးစေသောကြောင့် EEPROM မမ်မိုရီကို သေးငယ်သောမှတ်ဉာဏ်ပမာဏကို မစိုးရိမ်ရသည့်ကိစ္စများတွင် အသုံးပြုခဲ့သည်။ EPROM သည် ဒေတာအမြောက်အမြားကို သိမ်းဆည်းရန်အတွက် အသုံးပြုနေဆဲဖြစ်သည်။

Flash memory

EPROM နှင့် EEPROM ၏ အကောင်းဆုံးအင်္ဂါရပ်များကို ပေါင်းစပ်ထားသည့် Flash memory ကို 1980 ခုနှစ်တွင် Toshiba မှ အင်ဂျင်နီယာတစ်ဦးဖြစ်သော ဂျပန်ပါမောက္ခ Fujio Masuoka မှ တီထွင်ခဲ့သည်။ ပထမတီထွင်မှုကို NOR Flash Memory ဟုခေါ်ပြီး ၎င်း၏ရှေ့ဆက်သူများကဲ့သို့ Floating-gate MOSFET များကို အခြေခံထားသည်။

NOR flash memory သည် transistor များ၏ နှစ်ဘက်မြင် array တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထရန်စစ္စတာများ၏ ဂိတ်ပေါက်များသည် စကားလုံးလိုင်းနှင့် ချိတ်ဆက်ထားပြီး၊ အပေါက်များသည် ဘစ်လိုင်းနှင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ စကားလုံးလိုင်းကို ဗို့အားသက်ရောက်သောအခါ၊ အီလက်ထရွန်ပါရှိသော ထရန်စစ္စတာများသည် “one” ကို သိမ်းဆည်းထားရာ ပွင့်လိမ့်မည်မဟုတ်သလို လျှပ်စီးကြောင်းလည်း စီးဆင်းမည်မဟုတ်ပါ။ ဘစ်လိုင်းပေါ်တွင် လက်ရှိရှိနေခြင်း သို့မဟုတ် မရှိခြင်းအပေါ် အခြေခံ၍ ဘစ်၏တန်ဖိုးအကြောင်း ကောက်ချက်ဆွဲသည်။

ခုနစ်နှစ်ကြာပြီးနောက် Fujio Masuoka သည် NAND Flash memory ကို တီထွင်ခဲ့သည်။ ဤမှတ်ဉာဏ်အမျိုးအစားသည် ဘစ်လိုင်းရှိ ထရန်စစ္စတာအရေအတွက်နှင့် ကွဲပြားသည်။ NOR memory တွင်၊ transistor တစ်ခုစီသည် bit line နှင့် တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ထားပြီး NAND memory တွင် transistor များကို series ဖြင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။

ဤဖွဲ့စည်းပုံ၏မှတ်ဉာဏ်မှဖတ်ရှုခြင်းသည် ပို၍ခက်ခဲသည်- စာဖတ်ရန် လိုအပ်သောဗို့အားသည် စကားလုံး၏လိုအပ်သောမျဉ်းသို့သက်ရောက်ပြီး စကားလုံး၏အခြားလိုင်းများအားလုံးသို့ ဗို့အားသက်ရောက်သည်၊ ၎င်းတွင်ရှိသောအားသွင်းမှုအဆင့်မခွဲခြားဘဲ transistor ကိုဖွင့်ပေးသည်။ အခြားထရန်စစ္စတာအားလုံးကို ဖွင့်ထားရန် အာမခံထားသောကြောင့်၊ ဘစ်လိုင်းပေါ်ရှိ ဗို့အားရှိနေခြင်းသည် ဖတ်ဗို့အားအသုံးပြုသည့် ထရန်စစ္စတာတစ်ခုပေါ်တွင်သာ မူတည်ပါသည်။

NAND Flash memory ၏ တီထွင်မှုသည် ဆားကစ်ကို သိသိသာသာ ချုံ့နိုင်စေပြီး တူညီသောအရွယ်အစားတွင် မှတ်ဉာဏ်ပိုမိုထားရှိနိုင်စေသည်။ 2007 ခုနှစ်မတိုင်မီအထိ၊ ချစ်ပ်၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကိုလျှော့ချခြင်းဖြင့်မှတ်ဉာဏ်စွမ်းရည်ကိုတိုးမြှင့်ခဲ့သည်။

2007 ခုနှစ်တွင် Toshiba သည် NAND memory ဗားရှင်းအသစ်ကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်- ဒေါင်လိုက် NAND (V-NAND)အဖြစ်လူသိများသည်။ 3D Nande. ဤနည်းပညာသည် အလွှာများစွာတွင် ထရန်စစ္စတာများကို အလေးပေးထားပြီး၊ ပိုမိုသိပ်သည်းသော circuitry နှင့် memory စွမ်းရည်ကို တိုးလာစေရန် ထပ်မံခွင့်ပြုပေးပါသည်။ သို့သော်၊ circuit compaction ကို အကန့်အသတ်မရှိ ထပ်ခါတလဲလဲ မလုပ်နိုင်ပါ၊ ထို့ကြောင့် သိုလှောင်မှုပမာဏကို တိုးမြှင့်ရန် အခြားနည်းလမ်းများကို ရှာဖွေခဲ့သည်။

အစပိုင်းတွင်၊ ထရန်စစ္စတာတစ်ခုစီသည် အားသွင်းအဆင့်နှစ်ခုကို သိမ်းဆည်းထားသည်- ယုတ္တိသုညနှင့် ယုတ္တိတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤချဉ်းကပ်နည်းဟုခေါ်သည်။ Single-Level Cell (SLC). ဤနည်းပညာပါရှိသော Drive များသည် အလွန်ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ပြန်လည်ရေးရေးစက်ဝန်း အများဆုံးအရေအတွက်ရှိသည်။

အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ၊ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် သိုလှောင်မှုပမာဏကို တိုးမြှင့်ရန် ဆုံးဖြတ်ခဲ့သည်။ ထို့ကြောင့် ဆဲလ်တစ်ခုရှိ အားသွင်းအဆင့် အရေအတွက်သည် လေးခုအထိရှိပြီး နည်းပညာဟုခေါ်သည်။ Multi-Level Cell (MLC). နောက်လာခဲ့တယ်။ Triple-Level Cell (TLC) и Quad-Level Cell (QLC). အနာဂတ်မှာ အဆင့်သစ်တစ်ခုရှိလာမယ်- Penta-Level Cell (PLC) ဆဲလ်တစ်ခုလျှင် ငါးဘစ်ဖြင့်။ ဆဲလ်တစ်ခုတွင် အပိုင်းများပိုမိုကိုက်ညီလေ၊ သိုလှောင်မှုပမာဏ ကြီးမားလေ၊ တူညီသောကုန်ကျစရိတ်ဖြင့် သိုလှောင်နိုင်စွမ်းပိုကြီးသော်လည်း ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်နည်းလေဖြစ်သည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်ကို လျှော့ချပြီး ထရန်စစ္စတာတစ်ခုတွင် ဘစ်အရေအတွက် တိုးလာခြင်းဖြင့် ပတ်လမ်းကို စုစည်းခြင်းသည် သိမ်းဆည်းထားသော ဒေတာကို ထိခိုက်စေပါသည်။ EPROM နှင့် EEPROM တို့သည် တူညီသော ထရန်စစ္စတာများကို အသုံးပြုထားသော်လည်း EPROM နှင့် EEPROM တို့သည် ဒေတာများကို ပါဝါမရှိဘဲ ဆယ်နှစ်ကြာ သိမ်းဆည်းထားနိုင်သော်လည်း ခေတ်မီ Flash memory သည် တစ်နှစ်ပြီးနောက် အရာအားလုံးကို “မေ့နိုင်” နိုင်သည်။

အာကာသလုပ်ငန်းတွင် Flash Memory အသုံးပြုမှုမှာ ခက်ခဲသောကြောင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်များသည် Floating Gates အတွင်းရှိ အီလက်ထရွန်များအပေါ် ထိခိုက်စေနိုင်သောကြောင့် ဖြစ်သည်။

ဤပြဿနာများသည် အချက်အလက်သိုလှောင်မှုနယ်ပယ်တွင် အငြင်းပွားဖွယ်ရာမရှိသော ဦးဆောင်သူဖြစ်လာစေရန် Flash memory ကို တားဆီးပေးသည်။ Flash memory ကိုအခြေခံထားသော drives များ တွင်တွင်ကျယ်ကျယ်ရှိနေသော်လည်း၊ သံလိုက်အခိုက်အတန့်များနှင့် အဆင့်အခြေအနေများတွင် အချက်အလက်များသိမ်းဆည်းခြင်းအပါအဝင် ဤအားနည်းချက်များမရှိသော အခြား memory အမျိုးအစားများသို့ သုတေသနပြုလုပ်ဆောင်နေပါသည်။

သံလိုက်မှတ်ဉာဏ်

သံလိုက်အခိုက်အတန့်များဖြင့် အချက်အလက်ကို ကုဒ်သွင်းခြင်းသည် သံလိုက်အူတိုင်များပေါ်တွင် မှတ်ဉာဏ်ပုံစံဖြင့် ၁၉၅၅ ခုနှစ်တွင် ပေါ်လာသည်။ 1955 ခုနှစ်များအလယ်ပိုင်းအထိ ferrite memory သည် အဓိက memory အမျိုးအစားဖြစ်သည်။ ဤမမ်မိုရီအမျိုးအစားမှ အနည်းငယ်ဖတ်ခြင်းသည် လက်စွပ်ကို ဖြိုခွင်းစေပြီး အချက်အလက်များ ဆုံးရှုံးသွားစေသည်။ ဒါကြောင့် နည်းနည်းဖတ်ပြီးရင် ပြန်ရေးရမယ်။

Magnetoresistive Memory ၏ ခေတ်မီဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင်၊ အကွင်းများအစား ferromagnet အလွှာနှစ်လွှာကို dielectric ဖြင့် ပိုင်းခြားအသုံးပြုသည်။ အလွှာတစ်ခုသည် အမြဲတမ်းသံလိုက်ဖြစ်ပြီး၊ ဒုတိယသည် သံလိုက်ပြုလုပ်ခြင်း၏ ဦးတည်ချက်ကို ပြောင်းလဲသည်။ ထိုသို့သောဆဲလ်တစ်ခုမှ အနည်းငယ်ဖတ်ခြင်းသည် လက်ရှိဖြတ်သန်းသည့်အခါ ခံနိုင်ရည်အား တိုင်းတာခြင်းသို့ ရောက်ရှိလာသည်- အကယ်၍ အလွှာများကို ဆန့်ကျင်ဘက်လမ်းကြောင်းဖြင့် သံလိုက်လုပ်ပါက ခံနိုင်ရည်သည် ပိုကြီးလာပြီး ၎င်းသည် "1" တန်ဖိုးနှင့် ညီမျှသည်။

Ferrite memory သည် မှတ်တမ်းတင်ထားသော အချက်အလက်များကို ထိန်းသိမ်းရန် အဆက်မပြတ် ပါဝါရင်းမြစ် မလိုအပ်သော်လည်း၊ ဆဲလ်၏ သံလိုက်စက်ကွင်းသည် circuit compaction ကို ကန့်သတ်ချက် ချမှတ်နိုင်သည့် "အိမ်နီးနားချင်း" ကို လွှမ်းမိုးနိုင်သည်။

အတိုင်း JEDEC ပါဝါမရှိသော Flash memory ကိုအခြေခံထားသော SSD ဒရိုက်များသည် ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန် 40°C တွင် အနည်းဆုံးသုံးလကြာ အချက်အလက်များကို ထိန်းသိမ်းထားရပါမည်။ Intel မှ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ Magnetoresistive Memory ကို အခြေခံထားသော ချစ်ပ် ဒေတာကို 200°C တွင် ဆယ်နှစ်ကြာ သိမ်းဆည်းထားမည်ဟု ကတိပြုပါသည်။

ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ရှုပ်ထွေးနေသော်လည်း၊ Magnetoresistive Memory သည် အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း ပြိုပျက်မသွားဘဲ အခြားမှတ်ဉာဏ်အမျိုးအစားများကြားတွင် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ရှိကြောင်း၊ ၎င်းသည် ဤမှတ်ဉာဏ်အမျိုးအစားကို ရေးမှတ်ရန် ခွင့်မပြုပေ။

အဆင့်မှတ်ဉာဏ်ပြောင်းလဲခြင်း။

တတိယအလားအလာရှိသော memory အမျိုးအစားမှာ အဆင့်ပြောင်းလဲမှုအပေါ် အခြေခံသည့် memory ဖြစ်သည်။ ဤမမ်မိုရီအမျိုးအစားသည် အပူပေးသောအခါတွင် ပုံဆောင်ခဲနှင့် amorphous ပြည်နယ်များအကြား ပြောင်းရန် chalcogenides ၏ ဂုဏ်သတ္တိများကို အသုံးပြုသည်။

Chalcogenides - အလှည့်ကျဇယား၏ 16th အုပ်စု (ပင်မအုပ်စုခွဲ၏ 6th အုပ်စု) ပါရှိသော ဒြပ်ပေါင်းများ။ ဥပမာအားဖြင့်၊ CD-RW၊ DVD-RW၊ DVD-RAM နှင့် Blu-ray disc များသည် germanium telluride (GeTe) နှင့် antimony(III) telluride (Sb2Te3) ကို အသုံးပြုသည်။

သတင်းအချက်အလက် သိမ်းဆည်းခြင်းအတွက် အဆင့်အကူးအပြောင်းကို အသုံးပြုခြင်းဆိုင်ရာ သုတေသနကို ဆောင်ရွက်ခဲ့ပါသည်။ ၁၉၆၀ ခုနှစ်များ စတန်းဖို့ဒ် Ovshinsky မှ တစ်နှစ်တာ လုပ်ဆောင်ခဲ့သော်လည်း နောက်ပိုင်းတွင် စီးပွားဖြစ် အကောင်အထည်ဖော်ခြင်းသို့ မရောက်ခဲ့ပေ။ 2000 ခုနှစ်များတွင် နည်းပညာကို အသစ်တဖန် စိတ်ဝင်စားလာခဲ့ပြီး Samsung သည် 5 ns တွင် bit switching လုပ်ခွင့်ပြုသည့် နည်းပညာကို မူပိုင်ခွင့်တင်ခဲ့ပြီး Intel နှင့် STMicroelectronics တို့သည် ပြည်နယ်အရေအတွက်ကို လေးခုအထိ တိုးလာသောကြောင့် ဖြစ်နိုင်ချေကို နှစ်ဆတိုးစေသည်။

အရည်ပျော်မှတ်အထက်တွင် အပူပေးသောအခါ၊ chalcogenide သည် ၎င်း၏ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံအား ဆုံးရှုံးသွားပြီး၊ အအေးခံသောအခါတွင်၊ လျှပ်စစ်ခုခံမှု မြင့်မားသော သတ္ထုပုံစံအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲသွားသည်။ တစ်ဖန်၊ အရည်ပျော်မှတ်အောက်ရှိ အပူချိန်တစ်ခုသို့ အပူပေးသောအခါ၊ chalcogenide သည် ခုခံမှုနည်းသော ပုံဆောင်ခဲအခြေအနေသို့ ပြန်သွားပါသည်။

Phase change memory သည် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ "အားပြန်သွင်းခြင်း" မလိုအပ်ပါ၊ လျှပ်စစ်ဖြင့် အားသွင်းထားသည့် memory နှင့်မတူဘဲ ဓါတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ကိုလည်း ခံနိုင်ရည်မရှိပါ။ ဤမှတ်ဉာဏ်အမျိုးအစားသည် အပူချိန် 300 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် နှစ် 85 သတင်းအချက်အလက်များကို သိမ်းဆည်းနိုင်သည်။

Intel ၏နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်ဟုယုံကြည်သည်။ 3D Crosspoint (3D XPoint) အချက်အလက်သိမ်းဆည်းရန် အဆင့်အကူးအပြောင်းများကို အသုံးပြုသည်။ 3D XPoint ကို Intel® Optane™ Memory drives များတွင် အသုံးပြုထားပြီး၊ ပိုမိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်ဟု ဆိုကြသည်။

ကောက်ချက်

Solid-state drives များ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဒီဇိုင်းသည် သမိုင်း၏ ရာစုတစ်ဝက်ကျော်ကျော်တွင် အပြောင်းအလဲများစွာ ကြုံတွေ့ခဲ့ရသော်လည်း ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုစီတိုင်းတွင် အားနည်းချက်များရှိသည်။ Flash memory ၏ လူကြိုက်များမှုမှာ ငြင်းလို့မရနိုင်သော်လည်း၊ Samsung နှင့် Intel အပါအဝင် ကုမ္ပဏီအများအပြားသည် သံလိုက်အခိုက်အတန့်များကို အခြေခံ၍ memory ဖန်တီးနိုင်ခြေကို ရှာဖွေနေကြသည်။

ဆဲလ်ဟောင်းနွမ်းမှုကို လျှော့ချခြင်း၊ ၎င်းတို့ကို ကျစ်ကျစ်လျစ်လျစ်ဖြစ်စေခြင်းနှင့် ဒရိုက်ဗ်၏ အလုံးစုံစွမ်းရည်ကို တိုးမြှင့်ပေးခြင်းများသည် Solid-state drive များ၏ နောက်ထပ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် လက်ရှိအလားအလာရှိသော နေရာများဖြစ်သည်။

ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့၏ အအေးဆုံး NAND နှင့် 3D XPoint drives များကို ယခုပင် စမ်းသပ်နိုင်ပါသည်။ Selectel LAB.

လျှပ်စစ်ဓာတ်အားခများဆိုင်ရာ အချက်အလက်များကို သိမ်းဆည်းခြင်းဆိုင်ရာ နည်းပညာများကို အခြားသူများက အစားထိုးပေးမည်ဟု သင်ထင်ပါသလား။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဆားနနိုခရစ်စတယ်များပေါ်တွင် အလင်းဓာတ်ပြားများ၊

source: www.habr.com