အမေရိကန်စစ်တပ်သည် ဂယ်လီီယမ်နိုက်ထရိတ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာကိုအခြေခံသည့် ပထမဆုံးမိုဘိုင်းရေဒါကို လက်ခံရရှိခဲ့သည်။

ကျယ်ပြန့်သော bandgap (gallium nitride၊ silicon carbide နှင့် အခြား) ဆီလီကွန်မှ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းသို့ ကူးပြောင်းခြင်းသည် လည်ပတ်မှုကြိမ်နှုန်းများကို သိသာထင်ရှားစွာ တိုးမြင့်စေပြီး ဖြေရှင်းချက်များ၏ ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေသည်။ ထို့ကြောင့်၊ wide-gap chips နှင့် transistor များအသုံးပြုခြင်းအတွက် အလားအလာကောင်းများထဲမှ တစ်ခုမှာ ဆက်သွယ်ရေးနှင့် ရေဒါများဖြစ်သည်။ GaN ဖြေရှင်းချက်များအား အခြေခံထားသည့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများသည် ပါဝါတိုးလာပြီး စစ်တပ်မှ ချက်ချင်းအခွင့်ကောင်းယူခဲ့သည့် ရေဒါအကွာအဝေးကို တိုးချဲ့ပေးသည်။

လော့ခ်ဟိမာတင် ကုမ္ပဏီ အစီရင်ခံခဲ့သည်ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်ဒြပ်စင်များပါရှိသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကိုအခြေခံ၍ ပထမဆုံးမိုဘိုင်းရေဒါယူနစ်များ (ရေဒါများ) ကို အမေရိကန်တပ်များထံ ပေးပို့ခဲ့ကြောင်း သိရသည်။ ကုမ္ပဏီသည် အသစ်အဆန်းများ မပေါ်ပေါက်ခဲ့ပေ။ AN/TPQ-2010 တန်ပြန်-ဘက်ထရီရေဒါများကို 53 ခုနှစ်ကတည်းက စတင်အသုံးပြုခဲ့ပြီး GaN ဒြပ်စင်အခြေစိုက်စခန်းသို့ ပြောင်းရွှေ့ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ကမ္ဘာပေါ်တွင် ပထမဆုံးနှင့် ယခုအချိန်အထိ ကျယ်ပြန့်သော ကွာဟချက်ရှိသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ရေဒါဖြစ်သည်။

တက်ကြွသော GaN အစိတ်အပိုင်းများသို့ ပြောင်းခြင်းဖြင့် AN/TPQ-53 ရေဒါသည် အမြောက်တပ်များ၏ ထောက်လှမ်းမှုအကွာအဝေးကို တိုးမြှင့်ကာ လေကြောင်းပစ်မှတ်များကို တစ်ပြိုင်နက် ခြေရာခံနိုင်စွမ်း ရရှိခဲ့သည်။ အထူးသဖြင့် AN/TPQ-53 ရေဒါကို ယာဉ်ငယ်များအပါအဝင် ဒရုန်းများကို စတင်အသုံးပြုခဲ့သည်။ ဖုံးအုပ်ထားသော အမြောက်များ၏ တည်နေရာများကို ဖော်ထုတ်ခြင်းအား 90 ဒီဂရီ ကဏ္ဍတွင် လည်းကောင်း၊ 360 ဒီဂရီ ဘက်စုံ မြင်ကွင်းဖြင့်လည်းကောင်း ဆောင်ရွက်နိုင်ပါသည်။

Lockheed Martin သည် US စစ်တပ်သို့ active phased array (phased array) ရေဒါများကို တစ်ခုတည်းသော ထောက်ပံ့ပေးသူဖြစ်သည်။ GaN ဒြပ်စင်အခြေခံသို့ ကူးပြောင်းခြင်းသည် ၎င်းအား ရေဒါတပ်ဆင်မှုများ တိုးမြှင့်ထုတ်လုပ်ခြင်းနယ်ပယ်တွင် နောက်ထပ်ရေရှည်ခေါင်းဆောင်မှုအပေါ် အားကိုးနိုင်စေပါသည်။

source: 3dnews.ru