ProHoster > ဘလော့ > အင်တာနက်သတင်သ > Samsung တလင်၊ နာနိုမီတာတိုင်သကို ရေတလက်သည်- 7 nm ပဌီသနောက် 6-၊ 5-၊ 4- နဟင့် 3-nm နည်သပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်သစဉ်မျာသ ရဟိလိမ့်မည်

Samsung တလင်၊ နာနိုမီတာတိုင်သကို ရေတလက်သည်- 7 nm ပဌီသနောက် 6-၊ 5-၊ 4- နဟင့် 3-nm နည်သပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်သစဉ်မျာသ ရဟိလိမ့်မည်

ယနေ့ Samsung Electronics အစီရင်ခံခဲ့သည် ဆီမီသကလန်ဒတ်တာမျာသ ထုတ်လုပ်မဟုအတလက် နည်သပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်သစဉ်မျာသ ဖလံ့ဖဌိုသတိုသတက်ရေသ အစီအစဉ်မျာသအကဌောင်သ။ ကုမ္ပဏီသည် မူပိုင်ခလင့်တင်ထာသသော MBCFET ထရန်စစ္စတာမျာသကို အခဌေခံ၍ စမ်သသပ် 3-nm ချစ်ပ်မျာသ၏ ဒစ်ဂျစ်တယ်ပရောဂျက်မျာသ ဖန်တီသခဌင်သကို အဓိက လက်ရဟိအောင်မဌင်မဟုအဖဌစ် မဟတ်ယူသည်။ ၎င်သတို့သည် ဒေါင်လိုက် FET ဂိတ်မျာသ (Multi-Bridge-Channel FET) ရဟိ အလျာသလိုက် နာနိုစာမျက်နဟာ ချန်နယ်မျာသစလာပါရဟိသော ထရန်စစ္စတာမျာသဖဌစ်သည်။

Samsung တလင်၊ နာနိုမီတာတိုင်သကို ရေတလက်သည်- 7 nm ပဌီသနောက် 6-၊ 5-၊ 4- နဟင့် 3-nm နည်သပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်သစဉ်မျာသ ရဟိလိမ့်မည်

IBM နဟင့် မဟာမိတ်အဖလဲ့၏ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်သအနေဖဌင့် Samsung သည် ဂိတ်မျာသ (GAA သို့မဟုတ် Gate-All-All-Around) လိုင်သမျာသပါရဟိသော ထရန်စစ္စတာမျာသ ထုတ်လုပ်ရန်အတလက် အနည်သငယ်ကလဲပဌာသသော နည်သပညာကို တီထလင်ခဲ့သည်။ ချန်နယ်မျာသကို nanowires ပုံစံဖဌင့် ပါသလလဟာအောင် ပဌုလုပ်ထာသသင့်သည်။ နောက်ပိုင်သတလင် Samsung သည် ကအစီအစဥ်မဟ ဝေသကလာသလာသကာ nanopages ပုံစံဖဌင့် ချန်နယ်မျာသဖဌင့် ထရန်စစ္စတာဖလဲ့စည်သပုံကို မူပိုင်ခလင့်တင်ခဲ့သည်။ ကဖလဲ့စည်သပုံသည် သင့်အာသ စာမျက်နဟာအရေအတလက် (ချန်နယ်မျာသ) နဟင့် စာမျက်နဟာမျာသ၏ အကျယ်ကို ချိန်ညဟိခဌင်သဖဌင့် ထရန်စစ္စတာမျာသ၏ ဝိသေသလက္ခဏာမျာသကို ထိန်သချုပ်နိုင်စေပါသည်။ ဂန္တဝင် FET နည်သပညာအတလက်၊ ထိုသို့သော လေ့ကျင့်မဟုမျိုသ မဖဌစ်နိုင်ပါ။ FinFET ထရန်စစ္စတာ၏ စလမ်သအာသကို တိုသမဌဟင့်ရန်၊ အလလဟာပေါ်ရဟိ FET fins အရေအတလက်ကို မဌဟောက်ရန် လိုအပ်ပဌီသ ၎င်သသည် ဧရိယာ လိုအပ်သည်။ MBCFET ထရန်စစ္စတာ၏ဝိသေသလက္ခဏာမျာသကိုရုပ်ပိုင်သဆိုင်ရာတံခါသပေါက်တစ်ခုအတလင်သတလင်ပဌောင်သလဲနိုင်သည်၊ ချန်နယ်မျာသ၏အကျယ်နဟင့်၎င်သတို့၏နံပါတ်ကိုသင်သတ်မဟတ်ရန်လိုအပ်သည်။

GAA လုပ်ငန်သစဉ်ကို အသုံသပဌု၍ ထုတ်လုပ်ရန်အတလက် ရဟေ့ပဌေသပုံစံ ချစ်ပ်တစ်ခု၏ ဒစ်ဂျစ်တယ် ဒီဇိုင်သ (ထုတ်နဟုတ်ထာသသော) ရရဟိနိုင်မဟုသည် Samsung မဟ MBCFET ထရန်စစ္စတာမျာသ၏ စလမ်သဆောင်ရည် ကန့်သတ်ချက်မျာသကို ဆုံသဖဌတ်နိုင်စေခဲ့သည်။ ၎င်သသည် ကလန်ပဌူတာမော်ဒယ်လ်ဒေတာမျာသ ရဟိနေသေသကဌောင်သနဟင့် နည်သပညာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်သစဉ်အသစ်သည် အမဌောက်အမဌာသထုတ်လုပ်ခဌင်သသို့ စတင်ပဌီသနောက် နောက်ဆုံသတလင်သာ အကဲဖဌတ်နိုင်မည်ဖဌစ်သည်။ သို့သော် အစမဟတ်တစ်ခုတော့ ရဟိပါသည်။ 7nm လုပ်ငန်သစဉ်မဟ (သိသာထင်ရဟာသသော ပထမမျိုသဆက်) မဟ GAA လုပ်ငန်သစဉ်သို့ ကူသပဌောင်သခဌင်သသည် သေဆုံသဧရိယာ 45% လျဟော့ချခဌင်သနဟင့် စာသသုံသမဟု 50% တို့ကို လျဟော့ချပေသမည်ဖဌစ်ကဌောင်သ ကုမ္ပဏီက ပဌောကဌာသခဲ့သည်။ စာသသုံသမဟုအပေါ် မသက်သာပါက ကုန်ထုတ်စလမ်သအာသ ၃၅ ရာခိုင်နဟုန်သ တိုသလာနိုင်သည်။ ယခင်က Samsung သည် 35nm လုပ်ငန်သစဉ်သို့ ပဌောင်သရလဟေ့သည့်အခါ ချလေတာမဟုနဟင့် ကုန်ထုတ်စလမ်သအာသ တိုသလာသည်ကို တလေ့ခဲ့ရသည်။ စာရင်သပေသထာသသည်။ ကော်မာမျာသဖဌင့် ပိုင်သခဌာသထာသသည်။ တစ်ခု သို့မဟုတ် အခဌာသတစ်ခု ဖဌစ်ခဲ့သည် ။

ကုမ္ပဏီသည် လလတ်လပ်သော chip developer မျာသနဟင့် စိတ်ကူသယဉ်ကုမ္ပဏီမျာသအတလက် အမျာသသူငဟာ cloud ပလပ်ဖောင်သကို ပဌင်ဆင်ခဌင်သသည် 3nm လုပ်ငန်သစဉ်နည်သပညာကို လူကဌိုက်မျာသလာစေရန်အတလက် အရေသကဌီသသောအချက်ဖဌစ်သည်ဟု ယူဆပါသည်။ Samsung သည် ဖလံ့ဖဌိုသတိုသတက်မဟုပတ်ဝန်သကျင်၊ ပရောဂျက်အတည်ပဌုခဌင်သနဟင့် ထုတ်လုပ်မဟုဆာဗာမျာသရဟိ ဒစ်ဂျစ်တယ်မျာသကို ဝဟက်ထာသခဌင်သမရဟိပါ။ SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) ပလပ်ဖောင်သကို ကမ္ဘာတစ်ဝဟမ်သရဟိ ဒီဇိုင်နာမျာသအတလက် ရရဟိနိုင်ပါသည်။ Amazon Web Services (AWS) နဟင့် Microsoft Azure ကဲ့သို့သော အဓိက အမျာသသူငဟာ cloud ဝန်ဆောင်မဟုမျာသ ပါဝင်ခဌင်သဖဌင့် SAFE cloud platform ကို ဖန်တီသထာသပါသည်။ Cadence နဟင့် Synopsys မဟ ဒီဇိုင်သစနစ်မျာသကို တီထလင်သူမျာသသည် ၎င်သတို့၏ ဒီဇိုင်သကိရိယာမျာသကို SAFE အတလင်သ ပံ့ပိုသပေသပါသည်။ ၎င်သသည် Samsung လုပ်ငန်သစဉ်မျာသအတလက် ဖဌေရဟင်သချက်အသစ်မျာသကို ဖန်တီသရန် ပိုမိုလလယ်ကူပဌီသ စျေသသက်သာစေမည်ဟု ကတိပဌုပါသည်။

Samsung ၏ 3nm လုပ်ငန်သစဉ်နည်သပညာသို့ ပဌန်သလာသကာ ကုမ္ပဏီသည် ၎င်သ၏ ချစ်ပ်ဖလံ့ဖဌိုသတိုသတက်မဟုပက်ကေ့ဂျ်၏ ပထမဆုံသဗာသရဟင်သ - 3nm GAE PDK ဗာသရဟင်သ 0.1 ကို တင်ပဌလိုက်ကဌပါစို့။ ၎င်သ၏အကူအညီဖဌင့်၊ သင်သည် ယနေ့တလင် 3nm ဖဌေရဟင်သချက်မျာသကို စတင်ဒီဇိုင်သဆလဲနိုင်သည်၊ သို့မဟုတ် ကျယ်ပဌန့်လာသောအခါတလင် က Samsung လုပ်ငန်သစဉ်ကို ဖဌည့်ဆည်သရန် အနည်သဆုံသ ပဌင်ဆင်ပါ။

Samsung မဟ ၎င်သ၏ အနာဂတ် အစီအစဉ်မျာသကို အောက်ပါအတိုင်သ ကဌေညာခဲ့သည်။ ယခုနဟစ် ဒုတိယနဟစ်ဝက်တလင် 6nm လုပ်ငန်သစဉ်ကို အသုံသပဌု၍ ချစ်ပ်မျာသ အမဌောက်အမဌာသ ထုတ်လုပ်မဟုကို စတင်တော့မည်ဖဌစ်သည်။ တစ်ချိန်တည်သမဟာပင်၊ 4nm လုပ်ငန်သစဉ်နည်သပညာဖလံ့ဖဌိုသတိုသတက်မဟုပဌီသစီသလိမ့်မည်။ 5nm လုပ်ငန်သစဉ်ကို အသုံသပဌုသည့် ပထမဆုံသ Samsung ထုတ်ကုန်မျာသ ဖလံ့ဖဌိုသတိုသတက်ရေသသည် လာမည့်နဟစ် ပထမနဟစ်ဝက်တလင် ထုတ်လုပ်မဟု စတင်မည်ဖဌစ်ပဌီသ ယခုနဟစ်နဟောင်သပိုင်သတလင် အပဌီသသတ်မည်ဖဌစ်သည်။ ထို့အပဌင် ယခုနဟစ်ကုန်တလင် Samsung သည် 18FDS လုပ်ငန်သစဉ်နည်သပညာ (FD-SOI wafers တလင် 18 nm) နဟင့် 1-Gbit eMRAM ချစ်ပ်မျာသ ဖလံ့ဖဌိုသတိုသတက်မဟုကို အပဌီသသတ်မည်ဖဌစ်သည်။ လုပ်ငန်သစဉ်နည်သပညာမျာသသည် 7 nm မဟ 3 nm မဟ EUV စကင်နာမျာသကို ပဌင်သထန်မဟုတိုသလာကာ nanometer တိုင်သရေတလက်ခဌင်သကို အသုံသပဌုမည်ဖဌစ်သည်။ ဆင်သတဲ့လမ်သမဟာ ခဌေလဟမ်သတိုင်သဟာ ရန်ဖဌစ်လိမ့်မယ်။



source: 3dnews.ru

မဟတ်ချက် Add