यूएस लेजरहरूले बेल्जियमका वैज्ञानिकहरूलाई 3nm प्रक्रिया टेक्नोलोजी र त्यसभन्दा बाहिरको माध्यमबाट तोड्न मद्दत गर्न

IEEE स्पेक्ट्रम वेबसाइटका अनुसार, फेब्रुअरीको अन्त्यदेखि मार्चको शुरुमा, बेल्जियमको केन्द्र इमेकको आधारमा अमेरिकी कम्पनी KMLabs सँगसँगै EUV विकिरण (अल्ट्रा-हार्डमा) को प्रभाव अन्तर्गत अर्धचालक फोटोलिथोग्राफीको समस्याहरू अध्ययन गर्न प्रयोगशाला सिर्जना गरिएको थियो। पराबैंगनी दायरा)। लाग्थ्यो, पढाइ के छ ? होइन, अध्ययनको विषय छ, तर यसका लागि नयाँ प्रयोगशाला किन स्थापना गर्ने ? सैमसंगले EUV दायरा स्क्यानरहरूको आंशिक प्रयोगको साथ आधा वर्ष पहिले 7nm चिपहरू उत्पादन गर्न थालेको थियो। TSMC चाँडै सामेल हुँदैछ। वर्षको अन्त्यसम्ममा यी दुवैले ५ एनएम मापदण्डसहित जोखिमपूर्ण उत्पादन सुरु गर्नेछन् । र अझै पनि त्यहाँ समस्याहरू छन्, र तिनीहरू प्रयोगशालाहरूमा प्रश्नहरूको जवाफ खोज्न पर्याप्त गम्भीर छन्, उत्पादनमा होइन।

आज EUV लिथोग्राफी मा मुख्य समस्या photoresist को गुणस्तर रहन्छ। EUV विकिरणको स्रोत प्लाज्मा हो, लेजर होइन, पुरानो 193nm स्क्यानरहरूको मामलामा। लेजरले ग्यासीय माध्यममा लिडको एक थोपा वाष्पीकरण गर्छ र परिणामस्वरूप विकिरणले फोटानहरू उत्सर्जन गर्दछ जसको ऊर्जा अल्ट्राभायोलेट विकिरण भएका स्क्यानरहरूमा फोटनको ऊर्जा भन्दा 14 गुणा बढी हुन्छ। नतिजाको रूपमा, फोटोरेसिस्ट न केवल ती ठाउँहरूमा नष्ट हुन्छ जहाँ यो फोटोनहरूद्वारा बमबारी गरिन्छ, तर तथाकथित भिन्नात्मक आवाज प्रभावको कारण सहित, अनियमित त्रुटिहरू पनि हुन्छन्। फोटानको ऊर्जा धेरै उच्च छ। EUV स्क्यानरहरूसँगको प्रयोगहरूले देखाउँछ कि फोटोरेसिस्टहरू, जो अझै पनि 7 एनएम मापदण्डहरूसँग काम गर्न सक्षम छन्, 5 एनएम सर्किटहरूमा बनाइएका बेला अस्वीकृतहरूको उच्च स्तरको प्रदर्शन गर्दछ। समस्या यति गम्भीर छ कि धेरै विशेषज्ञहरूले 5nm प्रक्रिया प्रविधिको प्रारम्भिक सफल सुरुवातमा विश्वास गर्दैनन्, 3nm र तलको संक्रमणलाई उल्लेख नगर्न।

Imec र KMLabs को संयुक्त प्रयोगशालामा नयाँ पुस्ताको फोटोरेसिस्ट बनाउने समस्या समाधान हुनेछ। र तिनीहरूले यसलाई वैज्ञानिक दृष्टिकोणको दृष्टिकोणबाट समाधान गर्नेछन्, र अभिकर्मकहरू चयन गरेर होइन, जस्तै विगत तीस-केही वर्षहरूमा गरिएको छ। यो गर्नका लागि, वैज्ञानिक साझेदारहरूले photoresist मा भौतिक र रासायनिक प्रक्रियाहरूको विस्तृत अध्ययनको लागि एक उपकरण सिर्जना गर्नेछ। सामान्यतया, सिंक्रोट्रोनहरू आणविक स्तरमा प्रक्रियाहरू अध्ययन गर्न प्रयोग गरिन्छ, तर Imec र KMLabs ले इन्फ्रारेड लेजरहरूमा आधारित प्रक्षेपण र मापन EUV उपकरणहरू सिर्जना गर्न गइरहेको छ। KMLabs लेजर प्रणाली मा एक विशेषज्ञ मात्र हो।

 

KMLabs लेजर सुविधामा आधारित, उच्च हार्मोनिक्स उत्पादन गर्न प्लेटफर्म सिर्जना गरिनेछ। सामान्यतया, यसको लागि, उच्च-तीव्रता लेजर पल्सलाई ग्यास माध्यममा निर्देशित गरिन्छ, जसमा निर्देशित पल्सको धेरै उच्च आवृत्ति हार्मोनिक्स हुन्छ। यस्तो रूपान्तरणको साथ, एक महत्त्वपूर्ण शक्ति हानि हुन्छ, ताकि EUV विकिरण उत्पन्न गर्ने समान सिद्धान्त अर्धचालक लिथोग्राफीको लागि प्रत्यक्ष रूपमा प्रयोग गर्न सकिँदैन। तर यो प्रयोगको लागि पर्याप्त छ। सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण कुरा, नतिजा विकिरणलाई पिकोसेकेन्ड (10-12) देखि एटोसेकेन्ड (10-18) सम्मको नाडी अवधि र 6,5 nm देखि 47 nm सम्मको तरंग लम्बाइद्वारा नियन्त्रण गर्न सकिन्छ। मापन उपकरणको लागि, यी बहुमूल्य गुणहरू हुन्। तिनीहरूले फोटोरेसिस्टमा अल्ट्राफास्ट आणविक परिवर्तनहरू, आयनीकरण प्रक्रियाहरू र उच्च ऊर्जा फोटोनहरूको जोखिमको प्रक्रियाहरू अध्ययन गर्न मद्दत गर्नेछ। यो बिना, 3 र 5 nm भन्दा कम मापदण्डको औद्योगिक फोटोलिथोग्राफी प्रश्नमा रहन्छ।

स्रोत: 3dnews.ru