अमेरिकी सेनाले ग्यालियम नाइट्राइड अर्धचालकहरूमा आधारित पहिलो मोबाइल रडार प्राप्त गर्यो

फराकिलो ब्यान्डग्याप (गैलियम नाइट्राइड, सिलिकन कार्बाइड र अन्य) सँग सिलिकनबाट अर्धचालकहरूमा संक्रमणले अपरेटिङ फ्रिक्वेन्सीहरूलाई उल्लेखनीय रूपमा वृद्धि गर्न र समाधानहरूको दक्षता सुधार गर्न सक्छ। तसर्थ, वाइड-ग्याप चिप्स र ट्रान्जिस्टरहरूको प्रयोगको आशाजनक क्षेत्रहरू मध्ये एक सञ्चार र रडारहरू हुन्। GaN समाधानमा आधारित इलेक्ट्रोनिक्सले "नीलो बाहिर" शक्तिमा वृद्धि र रडारहरूको दायराको विस्तार प्रदान गर्दछ, जुन सेनाले तुरुन्तै फाइदा उठायो।

लकहिड मार्टिन कम्पनी रिपोर्ट गरियोग्यालियम नाइट्राइड तत्वहरू भएको इलेक्ट्रोनिक्समा आधारित पहिलो मोबाइल रडार एकाइहरू (राडारहरू) अमेरिकी सेनाहरूलाई पठाइयो। कम्पनीले कुनै नयाँ कुरा ल्याएको छैन । 2010 देखि अपनाइएका AN/TPQ-53 काउन्टर-ब्याट्री रडारहरू, GaN तत्व आधारमा स्थानान्तरण गरियो। यो संसारमा पहिलो र अहिलेसम्मको एकमात्र चौडा-ग्याप सेमीकन्डक्टर रडार हो।

सक्रिय GaN कम्पोनेन्टहरूमा स्विच गरेर, AN/TPQ-53 रडारले बन्द आर्टिलरी पोजिसनहरूको पत्ता लगाउने दायरा बढायो र एकै साथ हावा लक्ष्यहरू ट्र्याक गर्ने क्षमता प्राप्त गर्यो। विशेष गरी, AN/TPQ-53 रडार साना सवारीहरू सहित ड्रोनहरू विरुद्ध प्रयोग गर्न थाले। कभर आर्टिलरी स्थितिहरूको पहिचान 90-डिग्री सेक्टरमा र 360-डिग्री चौतर्फी दृश्यको साथ गर्न सकिन्छ।

लकहिड मार्टिन अमेरिकी सेनालाई सक्रिय चरणबद्ध एरे (फेज्ड एरे) रडारहरूको एक मात्र आपूर्तिकर्ता हो। GaN तत्व आधारमा संक्रमणले यसलाई सुधार र रडार स्थापनाहरूको उत्पादनको क्षेत्रमा थप दीर्घकालीन नेतृत्वमा भरोसा गर्न अनुमति दिन्छ।

स्रोत: 3dnews.ru