Xtacking प्रविधिको दोस्रो संस्करण चिनियाँ 3D NAND को लागि तयार गरिएको छ

कसरी रिपोर्ट चिनियाँ समाचार एजेन्सीहरू, याङ्त्जे मेमोरी टेक्नोलोजीहरू (YMTC) ले बहु-तह 3D NAND फ्ल्यास मेमोरीको उत्पादनलाई अनुकूलन गर्न आफ्नो स्वामित्वको Xtacking प्रविधिको दोस्रो संस्करण तयार गरेको छ। Xtacking टेक्नोलोजी, हामीलाई सम्झना छ, गत वर्ष अगस्टमा वार्षिक फ्ल्यास मेमोरी शिखर सम्मेलन फोरममा प्रस्तुत गरिएको थियो र "फ्ल्यास मेमोरीको क्षेत्रमा सबैभन्दा नवीन स्टार्टअप" श्रेणीमा एक पुरस्कार पनि प्राप्त भयो।

निस्सन्देह, बहुबिलियन डलरको बजेट भएको उद्यमलाई स्टार्टअप भन्नु भनेको स्पष्ट रूपमा कम्पनीलाई कम आँकलन गर्नु हो, तर, इमानदार बनौं, YMTC ले अझै ठूलो मात्रामा उत्पादनहरू उत्पादन गर्दैन। कम्पनी यस वर्षको अन्त्यमा 3D NAND को ठूलो व्यावसायिक आपूर्तिमा सर्नेछ जब यसले 128-Gbit 64-लेयर मेमोरीको उत्पादन सुरु गर्छ, जुन, वैसे, त्यही अभिनव Xtacking प्रविधिद्वारा समर्थित हुनेछ।

हालैका रिपोर्टहरूबाट निम्नानुसार, हालै GSA मेमोरी+ फोरममा, याङ्त्जे मेमोरी CTO Tang Jiang ले Xtacking 2.0 प्रविधि अगस्टमा प्रस्तुत गरिने कुरा स्वीकार गरे। दुर्भाग्यवश, कम्पनीको प्राविधिक प्रमुखले नयाँ विकासको विवरण साझा गरेन, त्यसैले हामीले अगस्टसम्म कुर्नु पर्छ। विगतको अभ्यासले देखाएको अनुसार, कम्पनीले अन्त्यसम्म गोप्य राख्छ र फ्ल्यास मेमोरी शिखर सम्मेलन २०१९ को सुरु हुनु अघि, हामीले Xtacking 2019 को बारेमा केही रोचक कुरा सिक्ने सम्भावना छैन।

Xtacking प्रविधिको लागि, यसको लक्ष्य तीन अंक थियो: प्रदान गर्नुहोस् 3D NAND र त्यसमा आधारित उत्पादनहरूको उत्पादनमा निर्णायक प्रभाव। यी फ्ल्यास मेमोरी चिप्सको इन्टरफेसको गति, रेकर्डिङ घनत्वमा वृद्धि र बजारमा नयाँ उत्पादनहरू ल्याउने गति हुन्। Xtacking प्रविधिले तपाईंलाई 3D NAND चिपहरूमा मेमोरी एरेसँग 1–1,4 Gbit/s (ONFi 4.1 र ToggleDDR इन्टरफेसहरू) बाट 3 Gbit/s मा विनिमय दर बढाउन अनुमति दिन्छ। चिप्सको क्षमता बढ्दै जाँदा, विनिमय गतिको आवश्यकताहरू बढ्दै जान्छ, र चिनियाँहरूले यस क्षेत्रमा सफलता हासिल गर्ने पहिलो हुने आशा राख्छन्।

त्यहाँ रेकर्डिङ घनत्व बढाउन अर्को बाधा छ - मेमोरी एरेको 3D NAND चिपमा उपस्थिति मात्र होइन, तर परिधीय नियन्त्रण र पावर सर्किटहरू पनि। यी सर्किटहरूले मेमोरी एरेहरूबाट प्रयोगयोग्य क्षेत्रको 20% देखि 30% सम्म, र 128-Gbit चिपहरूबाट चिप सतहको 50% पनि टाढा लैजान्छन्। Xtacking प्रविधिको मामलामा, मेमोरी एरे आफ्नै चिपमा उत्पादन गरिन्छ, र नियन्त्रण सर्किटहरू अर्कोमा उत्पादन गरिन्छ। क्रिस्टल पूर्णतया मेमोरी सेलहरूमा समर्पित छ, र चिप एसेम्बलीको अन्तिम चरणमा नियन्त्रण सर्किटहरू मेमोरीको साथ क्रिस्टलसँग जोडिएका छन्।

छुट्टै निर्माण र त्यसपछिको एसेम्बलीले पनि अनुकूलन मेमोरी चिप्स र अनुकूलन उत्पादनहरूको छिटो विकासको लागि अनुमति दिन्छ जुन सही संयोजनमा ईंटहरू जस्तै भेला हुन्छन्। यस दृष्टिकोणले हामीलाई 3 देखि 12 महिनाको कुल विकास समयको कम्तिमा 18 महिनाले अनुकूलन मेमोरी चिपहरूको विकासलाई कम गर्न अनुमति दिन्छ। बृहत्तर लचिलोपन भनेको उच्च ग्राहक चासो हो, जुन युवा चिनियाँ निर्मातालाई हावा जस्तै चाहिन्छ।

स्रोत: 3dnews.ru